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11.
将两级压缩与CO_2跨临界循环技术相结合,设计了一套以小型CO_2两级压缩制冷循环为制冷系统的冷藏柜。研究该CO_2系统及冷藏柜在C,D 2种测试工况下的性能,并与在相同条件下的CO_2单级压缩试验进行比较。结果表明:对于两级压缩制冷循环,C工况下的COP高于D工况,蒸发温度则低于D工况;C、D工况下,CO_2两级压缩制冷循环的COP分别比单级压缩制冷循环高11%~15%、15%~17%,排气温度分别低26~30℃、29~32℃;机组在2种工况下分别运行12 h、17.5 h后,负载温度降至7.2℃,运行时间分别小于标准要求的19 h和24 h;证明了将CO_2两级压缩制冷循环系统运用于冷藏柜中可提高系统性能,为今后CO_2冷藏柜的设计提供依据。  相似文献   
12.
探讨了棉/粘纤混纺织物的纤维含量分析方法,对59.5%硫酸法进行了试验研究,确定了此方法棉纤维的质量修正系数为1.02,平均值在95%置信水平下置信界限不超过±2%;同时通过试验对59.5%硫酸法与现行的GB/T 2910-1997<纺织品二组分纤维混纺产品定量化学分析方法>中甲酸/氯化锌法进行了比较,并指出了目前标准存在的问题.  相似文献   
13.
用户提示:此机无图像、无伴音,经上门修理人员修理,说是电源部分损坏。修理当中损坏部分元件,最后放弃修理。检修:因该机被人修过,打开机壳检查,发现电源部分许多元件皆动过,其中电源开关管V704(2SD2334)、V702、V703(2SD965)皆被新换,测108V电源输出对地不短路。随即通电试机,只见保险F701处亮光一闪。关机检查,保险熔断,开关管V704集电极对地击穿、V703击穿。查其他相关元件无问题,换上损坏元件后,通电,电视机不起动,只得关机寻求电源不起振和开关管击穿的原因。  相似文献   
14.
宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100~250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0~250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率.  相似文献   
15.
研制了一种张应变准体In Ga As半导体放大器光开关.该结构具有显著的带填充效应,从而导致在80 m A的注入电流下,器件的3d B光带宽大于85 nm(1 5 2 0~1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了C带(1 5 2 5~1 5 6 5 nm )和L带(1 5 70~1 6 1 0 nm ) .最为重要的是,在3d B光带范围内,光开关的偏振灵敏度小于0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在70~90 m A之间;消光比大于5 0 d B.通过降低了载流子寿命,开关速度有所提高.在未来密集波分复用通信系统中,这种宽带偏振不灵敏半导体放大器光开关很有实用前景  相似文献   
16.
采用选择混合InGaAsP InGaAsP量子阱技术,研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射(DBR)激光器.激光器的阈值电流为51mA ,可调谐范围为4 6nm ,边模抑制比(SMSR)为40dB .  相似文献   
17.
朱洪亮 《试采技术》2003,24(3):57-58
试从经济、法律、实际运用三方面对石油企业劳动用人“双向选择”机制进行阐述,并提出将该机制引入劳动合同期内的劳动人事动态管理,以期建立公平竞争的内部劳动力人才市场。  相似文献   
18.
制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件阈值电流为11.5mA,100mA时最大输出功率为14mW,边模抑制比为33.5dB.  相似文献   
19.
针对单个主机单个协议流量的自相似性和非宏观上流量的自相似性,分析了端到端(P2P)网络流量的自相似性. 对常见的端到端(P2P)应用进行分析后发现,其应用层数据存在自相似性,且在时间尺度与行为尺度的比较中,P2P应用层流量在行为尺度上的自相似性表现得更加明显和稳定. 为了将行为尺度上的自相似性应用到业务感知领域,提出了一种新的P2P流量识别算法,该算法通过计算网络流量不同行为尺度下的容量维,再辅以主动系数来识别P2P流量. 实验结果证明,新算法在P2P流量识别方面的准确率高于同类算法,在加密流量的识别上表现尤为突出.  相似文献   
20.
研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的1.3μm边发射AlGaInAs多量子阱激光器.有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限制层.这种结构提供了良好的侧向电流限制和光场限制.当电流通道为5μm宽时,获得了12.9mA的阈值电流和0.47W/A的斜率效率.与具有相同宽度的脊条的脊波导结构的激光器相比,这种AlInAs氧化物限制的激光器的阈值电流降低了31.7%,斜率效率稍微有所提高.低阈值和高效率的特性表明,氧化AlInAs波导层能够提供良好的侧向电流限制.这种AlInAs氧化物限制的激光器垂直方向的远场半高全宽角为36.1°,而水平方向的是21.6°,表明AlInAs氧化物对侧向光场也有很强的限制能力.  相似文献   
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