具有片上巴伦的CMOS超宽带接收机

本文介绍了一种具有片上巴伦的超宽带（UWB）3GHz～5GHz直接转换接收机。它由电容交叉耦合共栅极低噪声放大器（LNA）和改进型吉尔伯特混频器组成,采用SMIC RFCMOS技术。仿真结果表明,本文所设计的UWB接收机具有较好的输入匹配（〈-9dB）、3.9dB～5.5dB的噪声系数和19dB～25dB的功率转换增益。在1.2V供电情况下消耗22mA电流,并占用0.66×0.8mm2芯片面积（包括焊盘）。     

一种宽带正交振荡器中子频带的精确设计方法

设计了一个应用于3.5 GHz频段锁相环的低电压宽带正交压控振荡器。通过对开关电容阵列进行功能划分和优化设计,从而精确地将锁相环的频道点逐一映射到了振荡器的子频带中,进而消除了频道切换时子频带的选择过程时间。该芯片采用0.18μm CMOS工艺实现,测试结果表明:振荡器的频率覆盖范围从3.04~3.58 GHz,并且所有的子频带均一一准确地覆盖了目标频道点;调谐增益从86 MHz/V变化至132 MHz/V,其平均值仅比设计值高6%;最高子频带的中心频率为3.538 GHz,其偏离载波1 MHz处的相位噪声为-121.6 dBc/Hz;在1.2 V电源电压下,振荡器核心的功耗约为14 mW。     

用于控制RFID－NVM中电荷泵电流冲击的电路结构

本文提出了一种新的电路结构用于控制RFID非挥发存储器中电荷泵启动阶段的电流冲击。通过引入一个由参考电流源和电流镜组成的电路模块,此结构可以把电荷泵的周期平均电流恒定控制在任何想要的值之下,例如2.5微安。因此它可以防止RFID标签芯片的整流输出电压在电荷泵的启动阶段不被破坏。此结构可以有效地把整流输出上多于50％的压降减小到几乎为0,然而却占用更少的芯片面积。另外,用于计算此结构中电荷泵启动时间的理论公式也一并被提出。     

CMOS RFIC平面螺旋差分变压器参数化等效电路建模

对现今常用的八边形CMOS RFIC平面螺旋差分变压器进行了参数化的2-π集总参数等效电路建模.所建模型包含随频率变化的各种损耗效应,各元件值均可根据工艺参数和器件几何尺寸以参数化的解析表达式得出.将电路仿真值与ADS Momentum器件仿真值进行对比,两者在DC～20 GHz谐振点前的频率范围内都得到了较好的拟合效果.在此基础上,对同样结构的巴仑也进行了建模和仿真.从仿真结果分别得出两者符合实际应用需要的频段.     

一种高性能、低功耗音频ΣA调制器

设计了一个应用于18位高端音频模数转换器(ADC)的三阶低功耗Σ△调制器.调制器采用2-1级联结构,通过优化调制器系数来提高其动态范围,并减小调制器输出频谱中的杂波.电路设计中采用栅源自举技术实现输入信号采样开关,有效提高了采样电路的线性度;提出一种高能效的A/AB类跨导放大器,在仅消耗0.8mA电流的情况下,达到100V/μs以上的压摆率.针对各级积分器不同的采样电容,逐级对跨导放大器进行进一步功耗优化.调制器在中芯国际0.18μm混合信号CMOS工艺中流片,芯片核心面积为1.1mm×1.0mm.测试结果表明在22.05kHz带宽内,信噪失真比和动态范围分别达到91dB和94dB.在3.3V电源电压下,调制器功耗为6.8mW,适合于高性能、低功耗音频模数转换器应用.     

利用VPCM设计深亚微米RFCMOS的LCVCO

本文介绍了采用SMIC RF CMOS技术的设计方法以及VPCM的确性，并设计了一款高性能LCVCO来验证VPCM。