磁控溅射用CoCrPt系靶材制备技术研究进展

目前在高密度磁记录薄膜中大量使用到CoCrPt系溅射靶材。重点介绍了CoCrPt系磁性靶材国内外发展现状,靶材制备中的主要工艺以及质量控制内容和方法,最后分析了存在的技术难点和需要解决的问题。     

Ru非磁性中间层的制备及其结构研究

以不同晶面的Si片作为基底,室温下,采用射频磁控溅射的方法制备得到Ru非磁性薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)分析薄膜的结构和形貌.研究不同基底材料对Ru中间层结构和形貌的影响.结果表明:以单晶Si(100)、Si(110)、Si(111)片作为基底制备的Ru薄膜均呈(002)晶面的择优取向生长;Ru-Si(100)、Ru-Si(110)和Ru-Si(111)薄膜表面均由细小的圆形晶粒组成.Si(111)面上生长的Ru薄膜表面颗粒尺寸最小,表面粗糙度最大,有利于磁记录层磁学性能的提高.     

高温抗氧化铱涂层材料的研究进展

铱涂层具有良好的抗氧化性能、高的电导率、很强的催化活性以及很好的抗腐蚀性等.这使它在电学、抗氧化涂层、催化领域都有广泛的应用.文章阐述了高温抗氧化铱涂层材料的研究发展现状及其应用领域,介绍了其主要制备方法和存在的问题,并且预测了铱涂层将来的发展趋势.     

水轮发电机定子绕组三相泄漏电流不平衡处理及分析

常规预防性试验项目,对查找水轮发电机定子绕组端部绝缘缺陷的具体位置存在一定的难度。本文结合具体的案例,通过借鉴汽轮机绕组电位外移的试验方法,找到了水轮发电机定子绕组存在绝缘缺陷的具体部位,成功解决了定子绕组三相泄漏电流不平衡的问题,验证了水轮发电机定子绕组表面电位测试的可行性及其具有的优点。     

渗铝时间对PtAl涂层高温抗氧化行为的影响

以镍基高温合金GH586为基体材料,采用电镀Pt和固体粉末包埋渗铝的方法在其表面制备PtAl涂层。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对不同渗铝时间下PtAl涂层的高温氧化过程中各阶段的物相结构及微观组织变化进行表征及分析。研究表明,在高温氧化过程中,随着渗铝时间的增加,涂层中β-NiAl相转变为γ'-Ni_3Al相的几率越小,迅速生成Al_2O_3膜的时间越短,形成起扩散障作用的Cr、W等元素富集区的厚度越大,从而大大提高了镍基合金的抗氧化性。渗铝3 h的PtAl涂层具有最优的抗氧化性能,其氧化速率常数k_(3h)=1.17×10~(-6)。     

NiPt15合金热变形行为及热加工图研究

通过Gleeble-3500 热模拟实验机在950~1150℃,应变速率为0.01~3s-1 条件下的近等温热模拟压缩实验,建立了NiPt 15合金的流变应力-应变曲线及其热加工图。分析了NiPt15合金不同变形阶段的功率耗散情况;阐明了NiPt15合金的损伤失稳机制;基于Prasad 动态材料模型获得了不同应变速率、温度条件下的能量耗散率和失稳系数;研究了应变量、温度和应变速率对于能量耗散率和失稳系数的影响。结果表明：（1）变形温度是影响曲线变化趋势及动态再结晶的主要因素,且变形温度越高,应变速率越低,动态再结晶越充分;（2）加工失稳机制主要包括局部塑性变形、剪切变形带以及开裂,随真应变的增大先发生局部塑性变形,而后由剪切变形带取代,并最终向开裂演变;（3）NiPt15合金较为优异的加工实验条件主要集中在非失稳区,即变形参数1000~1100℃,0.03~0.1s-1以及1100~1130℃,0.01~0.03s-1范围内,并通过显微组织分析对热加工图进行了验证。     

放电等离子体烧结FePt合金的微观结构和磁学性能（英文）

采用熔炼、机械破碎和放电等离子体烧结法制备了Fe50Pt50合金,研究了合金的微观结构和磁学性能。结果表明在烧结过程中合金中无序的面心立方相向有序的L10有序相转变,Fe50Pt50合金的有序度和矫顽力随着放电等离子体烧结温度的升高而降低;在800℃烧结时,可获得的最大磁能积为50.81 kJ/m3。     

表面严重塑性变形过程中Ag-Cu共晶合金的结构演变

采用表面机械研磨处理技术对Ag-Cu共晶合金进行了表面严重塑性变形处理。采用硬度、透射电镜(TEM)等手段对Ag-Cu共晶合合金结构演变进行了研究。研究表明,采用表面严重塑性变形方法获得了具有纳米表层的Ag-Cu共晶梯度结构,合金变形层厚度为~100 mm,最表层纳米晶尺寸~10 nm。同时对其晶粒细化机制进行了讨论。     

电子行业用高纯金溅射靶材研究综述

围绕半导体集成电路产业的需求,综述高纯金提纯中杂质元素的控制,制备工艺中的金靶材结构设计、微结构调控技术及靶材与背板焊接绑定等技术的研究现状。提出通过行业协调修订相关产品标准,结合溅射设备完善靶材的结构设计,开展靶材微结构调控进行金薄膜与靶材结构的关联性研究,拓展高纯金靶材的绑定技术等研究方向。     

一种制备MexSey （Me=Cu,In,Ga）的简便工艺

提出了一种制备太阳能电池靶材CIGS的中间产物Cu2 Se、In2 Se3和Ga2 Se3的简便工艺.以高纯铜粉、铟决、镓决、硒粉为原料,根据中间产物的化学计量比配制混合粉末,先进行热分析,然后将粉末装入石英管中,在抽真空的状态下用乙炔火焰将石英管密封,分别加热到300℃、500℃、650℃和770℃,最后打破石英管取出产物研成粉末,进行XRD分析.结果表明：在升温速率为1℃·min-1、冷却方式为炉冷的条件下,300℃保温3h得到单相的Cu2Se;300℃、500℃和650℃分别保温3h,得到单相的In2 Se3;300℃、500℃、650℃和770℃分别保温3h,得到Ga2 Se3相和少量的GaSe相.