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1.
用热模拟试验机研究了纯铂在真应变量为0.9、变形温度为550℃~950℃和应变速率为0.01~1 s~(-1)的热塑性变形行为,并对热压缩后的样品进行了金相观察和显微硬度测量。结果表明,纯铂的流变应力随变形温度的升高和应变速率的降低而降低;其热压缩变形过程中软化行为由变形温度和变形速率共同作用决定,一般以动态回复为主,而在低应变速率和高形变温度下以动态再结晶为主,动态再结晶发生造成的软化使纯铂样品的硬度迅速下降。利用Zener-Hollomon参数方程获得了热塑性变形流变应力本构方程,得到纯铂的热变形激活能为208.51 kJ/mol,流变应力拟合公式计算值与实验值的平均误差为5.9%。  相似文献   
2.
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对锐钛矿型TiO_2(101)面上两种键桥形式吸附Ag原子的吸附能、电子布居、单位键长及电子结构等参数进行计算,研究Ag/锐钛矿型TiO_2复合材料中的Ag与TiO_2的相互作用。研究发现,锐钛矿型TiO_2(101)吸附Ag原子时,将是O-Ag之间的电子转换;并且,Ag原子更容易与锐钛矿型TiO_2(101)面的键桥Ti上的O原子发生反应生成相应的化合物。  相似文献   
3.
推广“121”轧花新工艺的几点体会总社郑州棉麻工程技术设计研究所许彦亭“121”轧花新工艺是国家“八五”、“九五”期间重点推广的科技项目,是棉花加工行业的重大进步。它具有生产效率高,加工质量好,操作维修方便,造型美观,经济技术指标高等很多优点。几年来...  相似文献   
4.
靶材微观组织均匀性直接影响半导体集成电路溅射薄膜质量。采用金相显微镜、X射线衍射(XRD)和显微硬度计,研究了纯铂单向冷轧及热处理过程中的微观结构演变及力学性能。结果表明,纯铂单向冷轧时随变形量的增加晶粒沿轧向拉长,显微硬度逐渐上升;单向冷轧变形量为80%的纯铂在450℃退火发生再结晶,产生的细小等轴晶平均晶粒尺寸约为41 μm;随着退火温度升高,晶粒尺寸增大,显微硬度降低,纯铂由冷轧态(111)、(220)晶面择优取向过渡为(200)、(311)、(220)晶面择优取向。  相似文献   
5.
棉花加工企业都以力求最低的生产成本,加工出高质量的皮棉,从而获得最高的经济效益。而棉花含水量的高低直接影响生产能力及产品质量。如何在加工过程中的每个环节正确控制棉花含水率是至关重要的。现从籽棉收购到皮棉成整个过程做如下分析。  相似文献   
6.
通过Gleeble-3500 热模拟实验机在950~1150℃,应变速率为0.01~3s-1 条件下的近等温热模拟压缩实验,建立了NiPt 15合金的流变应力-应变曲线及其热加工图。分析了NiPt15合金不同变形阶段的功率耗散情况;阐明了NiPt15合金的损伤失稳机制;基于Prasad 动态材料模型获得了不同应变速率、温度条件下的能量耗散率和失稳系数;研究了应变量、温度和应变速率对于能量耗散率和失稳系数的影响。结果表明:(1)变形温度是影响曲线变化趋势及动态再结晶的主要因素,且变形温度越高,应变速率越低,动态再结晶越充分;(2)加工失稳机制主要包括局部塑性变形、剪切变形带以及开裂,随真应变的增大先发生局部塑性变形,而后由剪切变形带取代,并最终向开裂演变;(3)NiPt15合金较为优异的加工实验条件主要集中在非失稳区,即变形参数1000~1100℃,0.03~0.1s-1以及1100~1130℃,0.01~0.03s-1范围内,并通过显微组织分析对热加工图进行了验证。  相似文献   
7.
NiPt合金溅射靶材是半导体工业制备NiPtSi接触层的重要原材料。本文对NiPt5合金在冷轧过程中的结构演变及磁性能进行研究。结果表明:NiPt5合金在冷轧过程中微观结构的演变经历位错缠结、位错壁、含小角晶界的拉长亚晶粒、新晶界形成4个阶段。晶粒细化主要是位错的聚集、湮灭和重排所导致。NiPt5的矫顽力随着轧制变形量的增加而增加,这归因于冷轧诱导的缺陷及内应力对畴壁移动的阻碍。剩磁与NiPt5合金择优取向密切相关,(200)织构导致剩磁升高。Ni合金较高的磁各向异性使á200?取向的织构对提高靶材质量十分有利。  相似文献   
8.
围绕半导体集成电路产业的需求,综述高纯金提纯中杂质元素的控制,制备工艺中的金靶材结构设计、微结构调控技术及靶材与背板焊接绑定等技术的研究现状。提出通过行业协调修订相关产品标准,结合溅射设备完善靶材的结构设计,开展靶材微结构调控进行金薄膜与靶材结构的关联性研究,拓展高纯金靶材的绑定技术等研究方向。  相似文献   
9.
采用射频磁控溅射,通过改变基底温度、溅射时间、基底形貌,制备不同参数的钌薄膜。结果表明,该工艺制备的钌薄膜均没有明显的择优取向。随着溅射温度的升高,薄膜的致密性不断提高,表面由平整向起伏型结构转变,晶粒尺寸出现先增大后减小的趋势。随着溅射时间的增加,晶粒尺寸小幅增加,晶粒由圆形状演变为致密的长条状。在表面形貌较平坦的基底上更易获得光滑而致密的钌薄膜。在此基础上,研究并讨论了不同基底形貌上钌薄膜的生长方式。  相似文献   
10.
溅射靶材是磁控溅射制备薄膜的关键原材料,其质量决定着溅射薄膜的性能.贵金属溅射靶材因具有优异的物理和化学性能而广泛应用于高性能薄膜的制备.综述了贵金属溅射靶材制备方法、技术要求和应用情况的研究进展,指出高纯化、大尺寸、高利用率以及靶材生产与溅射镀膜一体化是贵金属靶材未来发展方向.  相似文献   
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