江口电站灯泡贯流式水轮发电机设计

介绍了江口电站灯炮贯流式水轮发电机的主要结构,以及关于通风、冷却、支承等技术问题的处理方法。     

利用Ru缓冲层中V的添加提高Co_(0.85)W_(0.15)磁性薄膜的磁性能（英文）

垂直磁记录材料需要高的磁晶各向异性能。尝试了通过改变缓冲层成分来产生晶格畸变以提高磁晶各向异性的方法。300℃下,利用直流磁控溅射设备在RuV缓冲层上沉积了Co0.85W0.15磁性薄膜,其中Ru缓冲层中添加15%V。利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的精细晶体结构,确定了薄膜的结构、取向关系、晶格常数、c轴分散性、fcc/hcp体积分数比和堆垛层错密度。根据实验结果,研究了Co0.85W0.15/Ru0.85V0.85/MgO(111)薄膜的晶体结构和磁晶各向异性能间的关系。实验结果表明,由于缓冲层中V的添加,晶格常数比降低,显著提高了Co0.85W0.15薄膜的磁晶各向异性。因此,可以通过缓冲层的成分设计实现不同磁性材料的磁晶各向异性。     

MB-OFDM超宽带系统中模拟前端非理想因素的估计与补偿

解决模拟前端非理想因素:载波频率偏差、采样频率偏差以及I/Q失配对多带-正交频分复用超宽带系统的影响.提出时域载波频偏和I/Q失配估计和补偿方案.该方案包括一种能有效对抗大范围I/Q失配的数据辅助载波频偏估计算法,一种时域I/Q失配估计算法和一种2步式载波频偏、I/Q失配补偿算法.在频域,利用超宽带数据帧头的时域扩展特性进行残余载波频偏和采样频偏估计.仿真结果表明,即使存在较大非理想因素的情况下,提出的估计与补偿方案仍然能提供较好的系统误码性能.     

采用改进型1.5位/级结构的10位100MHz流水线模数转换器

介绍了一个采用改进型1.5位/级结构的10位100MHz流水线结构模数转换器. 测试结果表明,模数转换器的信噪失真比最高可以达到57dB,在100MHz输入时钟下,输入信号为57MHz的奈奎斯特频率时,信噪失真比仍然可以达到51dB. 模数转换器的差分非线性和积分非线性分别为0.3LSB和1.0LSB. 电路采用0.18μm 混合信号CMOS工艺实现,芯片面积为0.76mm2.     

基于CAN总线的智能测控节点研究

本文介绍了基于CAN总线技术的工业控制体系结构中现场级网络的智能测控节点,对CAN总线的特点作了简要的介绍,对智能测控节点的功能模块组成,各模块的工作原理,硬件设计,软件设计及它们的实现方法进行了较深入的探讨和详细的论述。     

拿什么来“看齐世界”——透视中国国际时装周（05／06秋冬系列）

“看齐世界”并非等同于“齐身”于世界，这是所有的人都知道的道理。此时，我们的时装需要的是“创造”而非“舶来”，是“引领消费”而非“跟随消费”，是“国际化”而非“民族化”……此时，中国国际时装周在看齐世界，那么中国服装业呢?     

浅谈选矿技术的科学化发展

选矿技术正在高速发展,本文对于选矿技术中的各项控制过程进行了分析和探讨,同时对于选矿自动化控制系统的进展进行了研究,为其进一步发展打下坚实的基础,促进选矿技术的高效化、科学化发展。     

液相色谱质谱法同时测定土壤中多菌灵、啶虫脒、扑虱灵和速扑杀的残留

实验建立采用振荡提取土壤中多菌灵、啶虫脒、扑虱灵和速扑杀 4 种常用农药,凝胶净化色谱法净化后上液相色谱 - 三重四级杆串联质谱质谱仪定性、定量检测的分析方法。多菌灵、啶虫脒、扑虱灵和速扑杀在 0.01～10.0μg·m L^-1浓度范围内具有良好的线性;检出限在 1.8～2.3μg·kg^-1之间;加标回收率在 86.1%～102.1%之间;精密度 RSD 分别为 3.7%、4.1%、2.5%和 3.0%。实验建立的方法具有准确、快速等优点,此方法适用于土壤中微量农药残留的检测,为农药施用的合理化和土壤环境保护提供技术参考。     

14-bit 100 MS/s 121 mW pipelined ADC

本文实现了一款低功耗、小面积的高速高精度流水线型模数转换器,可以作为IP核应用于片上系统中。该模数转换器应用了逐级尺寸递减、运放共享等技术来实现低功耗的设计。采用分离的双输入通道共享的运算放大器输入端,从而实现运放共享带来的级间串扰、记忆效应等非线性影响的消除。同时,该模数转换器中采用了动态预放大比较器的设计来减小比较器的静态功耗以及回踢噪声的影响。本设计在SMIC 0.18μm CMOS工艺下流片,实现面积开销为3.1mm2。在采样频率为100MHz,输入信号为2.4MHz的情况下,实现无杂散动态范围（SFDR）为82.7dB,信号噪声失真比（SNDR）为69.1dB。在输入信道达到100MHz的情况下,实现SFDR和SNDR分别为81.4dB和65.8dB。该模数转换器的供电电压为1.8V,功耗开销为121mW。     

一个1.12Gb/s 11.3mW LVDS发射器设计

这篇文章提出了基于0.18μm混合信号CMOS工艺,工作在1.8V电源电压下的1.12Gb/s 11.3mW的发射器。该发射器采用了LVDS技术实现了高速传输,输出共模为1.2V。MUX和LVDS驱动电路对于发射器实现高速数据传输而言是很重要的。这篇文章提出了一个高能效的单级14:1 MUX和一个可调LVDS驱动电路,该驱动电路能够驱动不同的负载而仅增加很少的功耗。该发射器的芯片面积为970μm×560μm,实现了低功耗和可调驱动能力。