发刊词

纳米科技是20世纪80年代发展起来的前沿交叉学科。它利用现代化的微观测试技术和手段,将人类认识自然、改造自然的工作带入到一个全新的领域——介观世界。在这片全新的领域中,有许多新的规律和现象有待发现,有许多新的技术和器件有待研发,无论从纳米技术的基础研究还是从应用开发来看,该领域都充满了巨大的创新机会和广阔的市场空间。     

Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统制备及退火气氛对其热稳定性的影响

采用磁控溅射法在n型〈111〉晶向的Si衬底上形成了Zr-Si-N薄膜及Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统.将Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统样品分别在真空及H2/N2(体积比为1∶9)气氛中800℃退火1h.对Zr-Si-N 薄膜和退火后的金属化系统样品进行X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜、薄层电阻率及俄歇电子能谱测试与分析.结果表明,Zr-Si-N阻挡层是以ZrN晶体与非晶相Si3N4或其他Si-N化合物的复合结构形式存在.经过两种气氛退火后的样品均没有发生阻挡层失效,但与真空退火相比,H2/N2退火气氛由于不存在残余O2的作用而表现出较低的Cu膜薄层电阻率及较好的Cu/Zr-Si-N/Si界面状态.     

新型硅基MEMS集成光波导加速度传感器

本文设计了一种新型硅基ＭＥＭＳ集成光强调制型光波导加速度传感器，在同一 集成了分束器、悬臂梁、质量块、光波导、光探测器等元件，解决了光纤传感器向微型化发展时遇到的装配困难及长期稳定性差等问题，讨论了利用现有工艺在硅基片上实现ＭＥＭＳ集成光波导加速度传感器的可行性。     

微机械传感器的现状与发展

概述国内外目前已实现的微机械传感器，特别是微机械谐振式传感器的类型、工作原理性能和发展方向。     

三极碳纳米管场发射显示屏的制作研究

利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示屏是一种新型的平板器件。介绍了三极结构碳纳米管场致发射显示屏的工作原理,基本结构以及寻址方式。重点讨论了在制作器件方面所存在的真空封装问题,荧光粉制作问题以及绝缘隔离层问题。在提出一种新型结构栅极制作工艺的基础上,成功地制作了三极碳纳米管场发射显示屏器件。     

MEMS器件各向异性腐蚀过程中的Al连线保护

微电子机械系统 ( MEMS)器件制造过程中的各向异性腐蚀工序 ,会引起硅片正面的 Al连线被腐蚀 ,造成器件的失效。本文论述了使用一种环氧树脂和聚酰胺调配的胶体将器件正面电路密封起来的方法 ,使 MEMS器件在 85℃ ,浓度为 3 3 %的 KOH溶液里进行各向异性腐蚀 ,可以成功地保护 Al连线。这种方法的使用 ,为 MEMS器件的制作完成奠定了技术基础     

高分子电致变色和电致发光材料应用技术的进展

介绍了导电高分子材料在电致变色和电致发光方面的应用，综合报道了该科学技术领域国内外的进展状况以及存在的问题，并对电致变色和电致发光机理、材料制备与器件的制作等研究现状作了评述。     

碳纳米管及其应用

综述了碳纳米管材料当前的研究状况、独特性质及其应用潜力,对碳纳米管材料的制备技术进行了简单介绍,详细说明了碳纳米管场致发射显示器的工作原理和制作技术、方法,讨论了碳纳米管材料在各种应用领域中的巨大应用前景,包括高强度复合材料、微机械、信息存储、纳米电子器件、平板场致发射显示器以及碳纳米管微操作等。利用碳纳米管材料制作的平板显示器具有优越的视觉性能,而且可以极大地降低生产成本。     

快速乘法器中高速4-2压缩器的设计

文章给出了两种优化的4－2压缩器电路结构，一种是选用不同结构的异或门电路对传统的异或门4－2压缩器结构进行优化，另一种是通过单值到双值逻辑的转换用传输门搭建的4－2压缩器电路。基于0.35μm和0.25μm CMOS模型参数的SPICE模拟。对两种4－2压缩器电路的最大延迟，功耗和面积进行了比较。结果表明，和库综合的4－2压缩相比，文章的设计对提高乘法器速度减小面积是有效的。     

电热激励微谐振器及谐振式传感器

硅微谐振式传感器具有灵敏度和分辨率高、准数字信号输出、抗干扰能力强的优点,在精确测量领域具有独特的优势。其中,电热激励/压敏电阻拾振的微谐振器与工业IC技术兼容,可将敏感元件与信号调理电路集成在一块芯片上构成功能强大的智能传感器。着重论述了电热激励/压敏电阻拾振的硅微谐振器的几种典型结构及其制造技术,并在此基础上阐述了以该谐振器为敏感元件开发的质量流量、气体、压力、温度和接近传感器等多种谐振式传感器。