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92.
93.
SiC薄膜的场致发射实验研究 总被引:2,自引:1,他引:1
利用常压化学气相淀积(APCVD)设备,在单晶Si片上淀积出一层SiC膜,这种SiC薄膜可以用作和发射的阴极,该文了其和发现的I-V特性测试结果,结果表明,该薄膜的场致发射具有Fowler-Nordheim的指数形式,而其发射场强的阈值约为1V/μm,在测试出的I-V特性曲线上,发现了共振隧穿特征,该特征值进一步研究。 相似文献
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针对传统半导体光电探测器件结构的宽带隙半导体紫外探测器可测信号弱的问题,提出了一种基于ZnO纳米线膜的声表面波型紫外探测器.该探测器利用ZnO纳米线膜的强紫外光电响应特性和声表面波器件的灵敏的声电相互作用机制,将采用高纯锌粉的热蒸发氧化工艺制备的纤锌矿型ZnO纳米线制作在已有声表面波小波传感器上.利用光致发光谱研究发现,由于低维激子限域效应和表面效应,所制作ZnO纳米线敏感膜中的紫外光电效应优于外延ZnO半导体薄膜;同时,基于ZnO纳米线膜的声表面波式紫外探测器在紫外光辐照下该探测器的中心频率减小,损耗增大.实验研究表明该器件能够实现长波紫外光的高灵敏度探测. 相似文献
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研制出不锈钢针尖,特制钨尖,以及在尖端上生长有碳纳米管(CNT)阵列的针尖与钨尖4种尖端电极,分别测试了4种尖端电极的负离子产生量,及其在空气中汤生放电的不同的I—V特性曲线。影响气体放电的因素很多,其中电极形状和材料是极为关键的因素。笔者通过大量的研究,对这4种尖端电极进行了分析和讨论,发现特制钨尖比不锈钢针尖的表面电场强,而在这两种尖端上生长了碳纳米管后,负离子产生量分别提高到原来的3倍,表明其表面电场加强且表面逸出功降低。汤生放电研究发现,选择生长有碳纳米管的特制钨尖作为电极,不仅可以降低气体的放电电压,而且还可以增大极间距,有利于气流的通畅和传感器的恢复。 相似文献
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集成电路技术:过去与未来:写在晶体管发明50年 总被引:2,自引:1,他引:1
对微电子技术50年发展的风雨历程作了简要回顾,着重叙述了IC近年来设计和工艺技术上的进步,展望了IC技术的未来发展。 相似文献
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用有限差分法求解相互耦合的电流连续方程导热方程,对硅锥阴极的电热状态进行了数值模拟。模拟中采用了与温度、电场相关电导率模型。模拟的表明,锥体顶端的电位变化比较突出,在较小的电流下其内部电场即可以达到临界场强,使载流子漂移速度开始饱和,并表现出饱和的发射特性。在尖锥顶端内部电场达到监界场强直至发生碰撞电离时,温升不显。 相似文献