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81.
丝网印刷碳纳米管薄膜的电子发射 总被引:1,自引:0,他引:1
将碳纳米管(CNT)浆料印刷在不锈钢衬底上,进行了特殊的热烧结和后处理工艺处理.经过特殊热烧结和后处理工艺处理后的试样,在外加电场后,电子发射的开启电场从2.50 V/μm降低到1.40 V/μm.外加电场为3.30 V/μm时场发射电流从8.50 μA/cm<'2>提高到350μA/cm2,场发射效率提高;当场强为4.0 V/μm时,阳极上荧光点的面密度约从(5~8)个/cm2提高到(22~26)个/cm2,发射均匀性得到有效的提高.讨论了丝网印刷CNT薄膜中电子的场发射实验,表明特殊的热烧结和后处理工艺使CNT之间的残留物厚度变薄,而且使更多的CNT均匀地露出薄膜表面,只有电子隧穿达到裸露的CNT才能有效地发生场发射. 相似文献
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聚合物电致发光器件以其独有的优点在显示方面显现了光明的前景.聚合物电致发光器件的稳定性是器件实用化过程中所面临的一个重要的技术难题.合成了单层薄膜电致发光器件ITO/P10/A1.研究了聚合物材料本身的退化,聚合物与金属电极之间界面的结构变化和电极对聚合物器件性能的影响.发现空气中的氧和热效应是引起聚合物膜不稳定的主要原因,ITO膜释放的氧破坏聚合物的发光层,器件工作时聚合物/金属界面形成的气泡导致器件电致发光区暗斑的出现. 相似文献
87.
制作了新型IDC结构聚苯胺膜SO2传感器,测得不同SO2浓度的电导响应与恢复时间曲线。从这些气敏特性曲线出发,以电导响应曲线的斜率作为网络的输入,对应的SO2浓度作为输出,建立了BP网络预测推理模式,对四组数据的预测结果表明精度较高(误差小于3%),具有很好的预测能力。这种方法不同于传统的标定方法,后者需要4min才能稳定的响应,神经网络样本检测不需要达到稳定的响应就可以预测SO2的浓度,从而大大缩短了结果的响应时间(缩短了75%)。 相似文献
88.
采用温控电弧炉,在600℃下,使用Fe/Ni/Mg催化剂大量制备了单壁碳纳米管。用两步纯化方法对单壁纳米管进行提纯:首先,原始的单壁碳纳米管在500℃,空气中加热30min;接着用37%的盐酸浸泡加热后的样品72h,水洗过滤后烘干,通过SEM、TGA、HRTEM和激光拉曼表征,纯化后单壁碳纳米管的纯度可高达95%,其直径范围为:1.24-1.38nm。 相似文献
89.
介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战。针对尺寸量子化效应。建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型,分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响。得出结论,反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面。造成有效栅氧厚度的增加,阈值电压的波动达到约10%。 相似文献
90.
研制了特定比例的纳米金刚石浆料,采用了丝网印刷工艺在石墨衬底上大面积印制了纳米金刚石场发射薄膜,实验探索了石墨衬底纳米金刚石薄膜的烧结工艺和后处理过程,利用扫描电镜(SEM)观察了纳米金刚石膜的表面形貌,经后处理的薄膜中纳米金刚石露出薄膜表面,纳米金刚石的棱角是天然的发射体.采用本课题组研制的多功能场发射测试台在10-6Pa的真空条件下进行了场发射特性的测试,结果发现石墨上低成本大面积印刷的纳米金刚石薄膜具有均匀稳定的场发射特性,作为电子器件的理想冷阴极发射,可在宇宙飞船、原子反应堆等恶劣条件下工作的平面显示器中得到应用. 相似文献