空调喷口内部流道型线对射流流场的影响

利用FLUENT 6.1模拟软件对4种不同内部流道型线的喷口的流速分布、喷口轴线流速、喷口出口断面流速、喷口出口断面的总压及静压进行了数值模拟,对喷口内部流道型线对射流流场的影响进行了研究。     

西安银诚大厦给排水及消防设计

本文介绍西安银诚大厦的生活与消防给水和排水设计。其中含总用水量、供水分区供水方式、特殊给水、专用通气管排水、以及消火栓系统、自动喷淋系统、气体灭火系统等的设计。     

高速摄影同步触发光源系统设计及应用

为了解决高速摄影中由于时间短、同步难和照度低导致拍摄不到弹丸的问题,设计了一种同步触发光源系统。该系统以高亮度发光二极管(LED)阵列为光源,采用现场可编程门阵列进行控制。使用MATLAB软件对LED阵列进行仿真后可知,在距光源1m的中心位置上,该阵列光源的最大光照度可以达到9104Lux。实验中,实验弹出膛时启动相机拍摄,同时输出触发电平同步触发光源系统。结果表明,当实验弹的装药量为0.15g、相机帧频为5000frame/s时,经估算出膛速率大约为100m/s,并且同步触发光源有效地提高了照度和补充光照的同步程度。此研究对提高弹丸测试技术是有帮助的。     

用恒温控制平台测量零差光纤干涉仪初相位差

利用恒温控制平台,通过测量干涉光电流和干涉仪两臂光电流的方法,实现了对全光纤干涉仪两臂初相位差的测量.这种方法不同于传统的步进相移法,不需使用压电晶体(PZT)等移相器,操作简单.实验结果有很好的重复性,精度约为0.04°.     

Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比对AlGaInP材料MOCVD外延生长的影响

用MOCVD系统外延生长AlGaInP材料时往往要通入过量的PH3来获得足够大的Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比,以便得到高质量的晶体结构.分别采用1 000 ml/min和400 ml/min 的PH3流量(对应的Ⅴ/Ⅲ比分别为723和289),利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)系统生长了AlGaInP材料,并使用MOCVD在位监测(in-situ)软件、X射线双晶衍射仪以及光荧光测试系统等对样品进行了测量分析.发现Ⅴ/Ⅲ比不但会影响AlGaInP材料的生长速度,对外延材料与衬底GaAs的晶格失配度和材料的光学特性也有影响.     

煤自然发火期预测模型研究

通过对煤自燃过程及总参数的理论分析，得出煤体自然发火期与表征外界散热条件的毕渥数Bi、表征煤体散热性的煤体导温系数α和表征煤体放热性的参数A有关．根据大型煤样自然发火实验台(1．5t)的测定结果，求出与发火期相对应的煤体等效放热强度，并拟合出等效放热强度与表征煤体自燃性强弱的特征放热强度的函数关系，从而建立了实验条件下煤体自然发火期预测模型，该预测模型中未知参数少，易确定，预测误差小于15％．     

煤岩热破坏对露头火灾的影响研究

论述了煤体与岩体的受热破坏特性,对露头煤层自燃火灾中煤岩体的热破坏机制进行了定性分析.提出对露头煤层自燃火灾发展过程的研究中应加强对煤体与岩体的破坏,尤其是热破坏的力学规律的研究.这对深刻揭示露头煤层自燃向煤层深部发展的动力学过程,自燃火灾的防治具有重要的意义.     

熔融制样-X射线荧光光谱法测定微晶铸石中6种组分

利用工业废渣(高炉矿渣、钢渣、铜渣、铬渣、铁合金渣等)为主要原料生产微晶铸石效益巨大,而目前对微晶铸石中主要组分(SiO₂、Al₂O₃、CaO、MgO、TFe、TiO₂)的分析一般采用化学湿法,操作相对繁琐、流程长。实验采用Li₂B₄O₇-LiBO₂混合熔剂(m∶m=67∶33)按质量比为1∶12.5的比例进行熔融制样,无需采用氧化剂预氧化,加入0.15g NH₄I做脱模剂,消除了样品的矿物结构效应,降低了基体效应的影响,实现了熔融制样-X 射线荧光光谱法对微晶铸石中SiO₂、Al₂O₃、CaO、MgO、TFe和TiO₂含量的同时测定。实验选择与微晶铸石基体相似的国家级和行业级转炉渣、高炉渣、古冶熟料、矾土等标准物质人工合成校准样品绘制校准曲线,解决了微晶铸石标准物质缺失的问题,以数学回归法、基本参数法和理论影响系数法消除基体效应和谱线干扰,校准曲线的相关系数均大于0.999。对同一个微晶铸石样品进行精密度考察,6种组分测定结果的相对标准偏差(RSD,n=10)均小于5.0%;正确度验证结果表明,实验方法的测定值与其他方法的测定值吻合较好。     

利用钾长石制取氟硅酸钾的研究

针对洛阳嵩县的钾长石,采用回转窑低温分解,分解残渣用水浸取得到钾浸取液,以钾浸取液为原料制取氟硅酸钾。优化工艺条件：反应温度为60 ℃,氟硅酸加入量为理论用量的120%,浸取液氢离子浓度为2.0 mol/L,反应时间为10 min。在此条件下,钾收率达到96%以上,制得氟硅酸钾产品纯度达到98%,产品质量达到相关化工企业标准要求。     

Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律

为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小,对Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律进行了分析研究.首先运用一维Deal-Grove模型分析了Al0.98Ga0.02As条形台面湿法氧化的一般规律,并在此基础上进一步分析推导,加以适当的简化,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合.同时,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象.运用这些规律,将氧化长度的精度控制在0.5μm内,基本实现了氧化工艺的可控性及可重复性.