改性酚醛树脂碳化制备玻璃碳的研究

文章探索以一种自制的新型改性酚醛树脂为原料制备玻璃碳的工艺研究了固化、碳化工艺条件与产品性能的关系。所用改性酚醛树脂具有室温下粘度低，高温固化时小分子易逸出；快速升温固化、碳化后得到的产品气孔较少等特点。     

一种开环高速高精度采样保持电路

设计了一种改进型开环结构采样保持电路.与传统Miller电容开环结构相比,本设计采用了新型Bootstrapped开关,不但实现了沟道导通电阻线性化,而且消除了与输入信号相关的时钟馈通;采用全差分结构消除了共模信号引入的误差以及偶阶谐波,提高了电路的信噪比;采用高速高精度缓冲器增大电路的驱动能力,实现了高速高精度采样.设计采用0.35μm n-well CMOS工艺,经仿真验证,在驱动2.5pF负载电容下采样率达到100MSPS,电路有效位数12bits,功耗为21.5mW.     

一个3位flash ADC核设计

用CMOS反相器作比较器设计了一个3位的高速低功率flash ADC核。该ADC核可以应用到分级型和流水线型结构的ADC中,实现更高的转换位数。该3位ADC核采用Choudhury等人提出的编码方案,解决了高速ADC的编码电路问题。采用SMIC的0.35μm/3.3CMOS工艺模型,用Candence软件进行仿真,该3位ADC速度高达2Gsps,在该速度下具有0.56mW的低功率。     

铝酸盐及添加剂对铝阳极电化学性能的影响

为了扩大铝阳极的应用范围,采用添加剂来降低其腐蚀速度,同时活化铝阳极.用塔菲尔曲线、线性扫描伏安法、恒电流放电等方法,研究了在4 mol/L KOH溶液中,NaAlO2及添加剂NaF对铝(99.999%)阳极电化学性能的影响.结果表明:NaAlO2对铝阳极有害,NaAlO2的浓度不要超过3 mol/L;但添加50 mmol/L NaF在3.5 mol/L NaAlO2 4 mol/L KOH中,则铝的腐蚀电流密度由23.7 mA/cm2降低到20.8 mA/cm2,电极电位由-0.75 V负移到-1.50 V,开路电位由-1.64 V负移到-1.68 V,电位滞后时间缩短,基本上恢复到铝在4 mol/L KOH溶液中的电化学性能.     

Fe^3＋对钢铁酸洗的影响及CQH—2缓蚀机理研究

采用失重法测试了Ｆｅ＾３＋在酸洗中对钢铁的影响，以及多功能酸洗缓蚀抑雾剂ＣＱＨ－２对Ｆｅ＾３＋腐蚀的抑制作用，采用恒电流法，线性极化技术测试了极化曲线，分析讨论了ＣＱＨ－２的吸附等温式。     

一种通过激光修调产生精确时钟的方法

文章介绍了一种通过修调,可在片内得到精确时钟的方法。该方法由于内部集成了检测电路,只需通过判断pad的输出结果即可得到修调状态,因此可应用于大规模工业化生产。在文章中给出了修调值的选取方法,同时还讨论了影响修调精度的因素。     

固相研磨-低温煅烧法制备钛酸钡纳米粉体

以氢氧化钡和钛酸丁酯为原料,采用固相研磨与低温(200～300℃)煅烧相结合的方法制得了钛酸钡纳米粉体.用XRD、TEM、IR和ICP对产品进行了表征;并用TG-DTA对纳米粉体的形成过程进行了分析.结果表明,所得钛酸钡纳米粉体的粒径约为15～20nm,粒子形状近似为球形,晶体结构为立方相,钡钛物质的量之比约为1.0.该粉体在热外理温度为800～1000℃时,由立方相转变为四方相;而在热外理温度为668～892℃时,存在于晶格中的羟基被除去.     

利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的片上静电保护电路

传统的片上静电放电(ESD)保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μm CMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期,和增加设计成功率的目的。     

用电位衰减数据计算阴极保护下金属的腐蚀电流密度

本文对在阴极保护下的埋地金属(管道、贮罐)的腐蚀,利用测得的电位衰减数据进行计算,得到金属腐蚀电流密度,以此评定阴极保护对金属的保护度.详细地演绎了计算的过程和方法.     

埋地管道阴极保护效果的评定

对埋地管道和贮罐,涂层加阴极保护是最有效的防腐蚀措施。迄今为止,评定和控制阴极保护的水平,仍以电位测量为主。使用试片可以更方便地测量电位,在试片上进行电化学极化测量或电位衰减测量,可以求得阴极保护下管道金属的腐蚀速度和保护度,更有利于对阴极保护运行的实时监测和控制。