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应用坩埚下降法成功地生长出了Ni 2+掺杂的CdWO4单晶。测定了晶体的吸收与荧光光谱。根据晶体分裂场理论和吸收特性,计算了Ni 2+在该Cd-WO4晶体中的晶格场分裂参量Dq=1054cm-1、Racah参量B=1280cm-1与C=5982cm-1。在314nm光的激发下,观察到发光中心为480nm的蓝光,这是Cd-WO4晶体中WO66+中的电子跃迁所致。在808与980nm的激发下,均观察到发光中心分别为1068nm的近红外发射带,归结为和Ni 2+八面体格位的3 T2g(3F)→3 A2g(3F)能级跃迁。 相似文献
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应用改进工艺的提拉(CZ)法技术,采用合适的化学组分配比和二次化料过程,选用约60℃的固液界面温度梯度与1mm/h生长速度等工艺参量,成功地生长出了Cr3 离子掺杂、无气泡、无云层和核心、长度与厚度约110×25mm的紫翠色Cr3 :BeAl2O4晶体。测定了晶体的吸收光谱,根据获得的吸收光谱与晶体分裂场理论,计算了Cr3 的八面体晶格场参数Dq=1764cm-1以及Racah参数B=608cm-1。晶体样品加工成6(60、80)mm的激光棒,并实现了激光的输出。 相似文献
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在常温常压下,以硝酸钙(Ca(NO3)2·4H2O)和磷酸氢二铵((NH4)2HPO4)为原料,分别将其作为钙与磷的先驱体,运用超声喷雾法特种工艺技术制备羟基磷灰石(HAP)纳米粉体。探讨在制备工艺过程中添加柠檬酸、甘氨酸、葡萄糖和TX-104种表面活性剂对制备的羟基磷灰石纳米粉体的分散性能、粒度、均匀性及形貌等的影响情况。结果表明,所有表面活性剂的加入对粉体的产物相没有影响,但对制备出的纳米羟基磷灰石粉体的分散效果均有一定的影响,在本反应体系中当甘氨酸适量加入时,对纳米羟基磷灰石粉体能起到很好的分散作用;而等量柠檬酸的加入反而加剧了纳米HAP颗粒的团聚。从扫描电镜照片看出,在未加活性剂时,HAP大多呈现椭圆的、30~40nm的颗粒;加入甘氨酸后,有利于HAP颗粒的细化与均匀,而葡萄糖与TX-10的加入则使粒度变大,并易造成局部团聚。并从物化基本原理出发初步探讨与解释上述表面活性剂对HAP产物所造成影响的原因。 相似文献
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用溶胶-凝胶(Sol-gel)技术及柠檬酸自燃法,成功制备了新型的纳米CaCu3Ti4O12氧化物超细粉体.将得到的超细粉体压块,并在1000℃高温烧结成微晶陶瓷材料.用X射线粉末衍射(X-ray powdef diffraction,XRD)确定了烧结体的晶相,用扫描电镜(Scanning electron microscopy,SEM)观察了晶粒的形貌特征与大小.同时研究了徽晶陶瓷的介电常数和介电损耗.CaCu3Ti4O12室温介电常数达104,接近目前高介电常数复合含Pb钙钛矿系陶瓷;介电损耗低于0.20.因此,Sol-gel工艺技术是一种制备CaCu3Ti4O12超细粉体与高介电常数微晶陶瓷的有效方法. 相似文献