Ce、Gd、Ce/Tb、Gd/Tb单双掺杂ZCB基质光致发光性质

采用高温固相法在弱还原气氛下,分别合成了单掺Ce3+、Gd3+和双掺Ce3+/Tb3+、Gd3+/Tb3+的ZnO-CdO-B2O3(ZCB)基质系列荧光体.光谱分析表明:Ce3+的5d→4f(2F7/2,2F5/2)和Gd3+的8P7/2→8S7/2跃迁的强发射分别对应于427 nm和574 nm,而Ce3+/Tb3+和Gd3+/Tb3+的强发射分别对应于546 nm和548 nm.双掺Ce3+/Tb3+、Gd3+/Tb3+的荧光体比单掺Tb3+的发射强度显著增强,这表明存在Ce3+→Tb3+、Gd3+→Tb3+的能量传递,且Ce3+和Gd3+都是Tb3+的优异敏化剂.     

In3+离子在多孔SiO2干凝胶中的发光

采用常规的Sol-gel工艺合成了In^3 掺杂的多孔SiO2干凝胶，In^3 离子作为间隙离子存在于SiO2网络中，展示了一种新颖的发光现象，改变了多孔SiO2干凝胶的发射光谱。这种掺杂的多孔SiO2干凝胶的激发和发射光谱均由2个带组成，短波长的发光峰在440nm(λex=380nm），其相对荧光强度约是未掺杂的多孔SiO2干凝胶的4倍；长波长的发光峰（In^3 离子在多孔SiO2干凝胶的特征发射）在600nm(λex=476nm），其相对荧光强度约是In^3 掺杂ZnS纳米晶的10倍。由此可以看出：掺杂的多孔SiO2干凝胶是一种高效的发光材料。     

Synthesis and characterization of CePO4 nanorods via solvothermal process

One-dimensional cerium phosphate(CePO4) nanorods were successfully synthesized by a facile and simple solvothermal method at 150 ℃ for 12 h, using Ce(NO3)3·6H2O and NaH2PO4·2H2O as the starting materials. Phase and morphologie of the as-synthesized CePO4 products, characterized by XRD, FESEM, and TEM, were proved to be perfect and uniform hexagonal CePO4 nanorods with aspect ratio of more than 100. The photoluminescence(PL) spectrometer was used to investigate the optical properties of the assynthesized hexagonal CePO4 nanorods.     

双核稀土配合物Gd_xSm_(1-x)(TTA)_3phen的制备及发光性能

合成了系列钆钐双核稀土有机配合物GdxSm1-x(TTA)3phen(x=0~0.9).红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)、热重(TG)结果推测了配合物可能的分子结构;紫外可见光谱(UV/vis)结果表明,该系列稀土有机配合物能有效的吸收紫外光,吸收峰主要来自于有机配体TTA和phen(270nm和351nm处);荧光光谱(FS)结果表明,Gd3+对于Sm3+具有荧光增效,当Gd3+的摩尔分数为0.6时,Gd0.6Sm0.4(TTA)3phen类配合物的特征荧光(562nm,596nm和643nm处)强度均达到最大.     

ZnO nanoneedles fabricated by a simple approach and their optical properties

Spoke-like ZnO nanoneedles have been successfully synthesized at the ambient pressure through thermally oxidizing Zn powders containing Au nanoparticles. X-ray diffraction analysis indicates that the ZnO nanoneedles have a hexagonal wurtzite structure of the crystalline ZnO. The morphology of the products was examined by FESEM. The photoluminescenee(PL) spectrum under 325 nm exhibits both an UV emission and a green emission. It is interesting to note that the heating rate plays a key role in the synthesis of ZnO nanoneedles. Based on this discovery we propose to explain the special growth behavior as novel mechanism that a large temperature gradient and Au nanoparticles simultaneously result in the spoke-like ZnO nanoneedles growth.     

碳热法合成具有蓝光发射特性的氧化镓纳米线、纳米带和纳米片

利用碳纳米管通过碳热法合成了氧化镓纳米线、纳米带和纳米片。采用扫描电镜和透射电镜对其进行了形态和结构表征。合成的氧化镓纳米结构是单晶体。室温光致发光谱分析发现，氧化镓纳米晶在蓝光区域487nm处产生明显的发射峰。     

MOCVD外延Al2O3基AlGaN/GaN超晶格的结构和光学特性

通过X射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积（MOCVD）的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石（Al2O3）衬底上生长的AlGaN/GaN超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性.X射线衍射结果表明,GaN基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取向.透射电镜观察表明,超晶格试样的周期结构分布均匀,实际周期为13.3nm，且观察到高密度的位错存在于外延膜中。通过光学试验数据，确定了试样的光学吸收边都是在370nm附近，理论计算显示试样为直接跃迁型半导体，禁带宽度约为3．4eV。试样的折射率随光子能量的增加而增加、随波长的增加而减小，计算表明消光系数的极小值位于370nm处。光致发光测试分析表明，超晶格有很好的发光性能，并发现存在黄带发光。     

InPBi禁带下红外光致发光效率的Bi组分依赖研究

稀Bi半导体InPBi的光致发光（Photoluminescence, PL）主要来自缺陷能级跃迁过程,具有红外长波长、大线宽和高辐射强度等特点,因而引发广泛兴趣。针对InPBi的红外发光效率问题,本文研究了不同Bi组分InPBi的激发功率依赖红外PL光谱演化规律。实验发现,随着Bi组分增大,PL线型发生显著变化,导致发光波长总体红移;同时激发功率依赖的PL积分强度演化分析表明,发光效率随Bi组分先增大然后下降,在0.5%组分时发光效率达到峰值。发光效率增大一方面归因于Bi捕获空穴降低非辐射复合,另一方面来自Bi的表面活性剂效应;而高Bi组分引入过多缺陷从而抑制了Bi的优势,导致发光效率下降。这些结果或有助于理解InPBi的红外发射性能,表明InPBi具有红外光电子应用前景。     

InPBi薄膜材料的结构性能和光学性能研究

室温下,InPBi表现出强而宽的光致发光光谱,其宽光谱特性来自于材料中的PIn反位深能级和与Bi相关的深能级。该特性使得InPBi有希望应用于制备光学相干层析扫描系统中的超辐射光源。文章利用透射电子显微镜和三维原子探针研究了InPBi薄膜材料的结构性能,发现Bi原子在InPBi薄膜中的分布极不均匀,在InPBi/InP界面出现了Bi的富集区,从该区域沿[001]方向出现了Bi的纳米面,此纳米面位于(110)平面上。这种Bi原子的富集分布阻碍了PIn反位参与的载流子复合过程,对InPBi的光学性能有显著的影响。研究结果可为制造光学相干层析扫描系统的超辐射发光二极管提供一定的理论基础。