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磁控溅射法制备TiO2空穴缓冲层的有机发光器件 总被引:4,自引:0,他引:4
采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管(OLEDs)的空穴缓冲层,使OLEDs(ITO/TiO2/TPD/Alq3/Al)的发光性能得到很大改善。研究TiO2缓冲层厚度对器件性能影响的结果表明,当TiO2缓冲层厚度为1nm,电流密度为100mA/cm^2时,器件的发光效率为2cd/A,比未加缓冲层器件的发光效率增加了近一倍。这是由于加入适当厚度的TiO2缓冲层限制了空穴的注入并且提高了空穴与电子注入之间的平衡。 相似文献
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研究了高效磷光染料八乙基卟啉铂(PtOEP)掺杂于主体材料八羟基喹啉铝(A1q3)体系中PtOEP、A1q3之间的能量传输机制。分别以PtOEP掺杂和未掺杂的A1q3膜作为发光层制作有机发光器件(OLED),改变掺杂浓度,检测器件电致发光(EL)光谱的变化。经分析,在5%、10%、20%三种掺杂浓度中,10%掺杂浓度能量传递效果最好。通过对掺杂和未掺杂器件电流密度-电压、亮度-电压数据检测,计算外量子效率,在低电流密度(≤7mA/cm^2)驱动下掺杂器件外量子效率是未掺杂器件的5倍。 相似文献
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实验制备了ITO/V2O5/Rubrene/C70:Rubrene/C70/BCP/Al的PIN结构有机太阳能电池(OSC),其中Rubrene、Rubrene:C70和C70分别作为P、I和N层。通过改变I层厚度,研究了I层对OSC性能的影响及作用机理。实验显示,I层厚为5nm时器件的功率转换效率η达到最大值为1.580%,同时获得了较大的短路电流密度Jsc为4.365mA·cm-2;相对PN结构器件,功率转化效率η短路电流密度Jsc和填充因子FF分别提高了40.3%、29.7%和8.2%。我们认为,I层中激子分离效率的提高导致了器件性能的改善。 相似文献
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ZnO缓冲层改善Rubrene/C70有机太阳能电池的性能 总被引:2,自引:2,他引:0
通过制备结构为ITO/ZnO/C70 /Rubrene/MoO3/Al 的有机太阳能电池(OSCs),研究了ZnO作为阴极 修饰层对Rubrene/C70有机太阳能电池性能的改善。同时通过 优化ZnO的厚度研究了ZnO的工作机理。 从实验结果可以看出,随着ZnO厚度的变化,器件的短路电流密度(Jsc)、开路电压(Voc)、填充因子 (FF)、光电转换效率(PCE)和串联电阻(Rs)等性能参数呈现出了规律 性变化,当ZnO层厚度比较 薄时,器件PCE随着厚度的增加不断增大,当ZnO层厚度为53nm时,器件PCE达到最高为1.13%, 对应的Jsc、Voc、FF分别为2.82mA·cm-2、0. 84V、45.86%,Rs为66.2Ω·cm2,当ZnO层厚度继续增 加时,器件PCE开始减小。对比没有ZnO阴极修饰层,器件最优时 的Jsc、Voc、FF和PCE 分别提高了49%、17%,Rs降低了56%。 相似文献
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双阴极修饰层改善Rubrene/C70有机太阳能电池的性能 总被引:1,自引:1,他引:0
采用NTCDA/PTCBI双阴极修饰层制备了结构为ITO /MoO3/Rubrene/C70/NTCDA/PTCBI/Al有机太阳能 电池(OSC),研究了双阴极修饰层对Rubrene/C70 OSC性能的影 响。实验结果表明,引入双阴极修饰层 后,器件的各性能参数有了显著提高。通过对PTCBI厚度优化发现,当PTCBI厚为5nm时器件 的各性 能参数最佳,器件的功率转换效率(PCE)=3.19%,电流密度Jsc=8.99mA·cm-2,开路电 压Voc=0.85V, 填充因子(FF)=41.58%,与未插入PTCBI 层相比器件的各性能分别提高了538%、338.5% 、13.3%和16.5%。 相似文献
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