WO3对Rubrene/C70有机太阳能电池性能的改善

研究了WO₃对Rubrene/C₇₀有机太阳能电池 (OSCs)性能的 改善,制备了结构为ITO/WO₃/Rubrene/C₇₀/BCP/Al的OSCs,其中WO₃插入在I TO和Rubrene中间作为阳极修饰层。通过优化WO₃的厚度,研究了WO₃对OSCs性能的改善及其作用机理。实验发现,器件的短路电流Jsc、开路电压V_oc、 填充因子(FF)、光电转换效率(PCE)和串联电阻Rs等性能参数随WO₃厚度的变化呈规律性变化;当 WO₃厚度小于80 nm时,器件PCE随着厚度的增加不断增大;当W O ₃厚大于80 nm时,器件PCE随着厚度的 增加不断减小;当WO₃厚度为80 nm 时,器件PCE达到最高为1.03%, 相应的J sc、V_oc、FF分别为2.81mA·cm－2、 0.83V、43.85%,Rs为45.3Ω·cm²,对比没有WO₃修饰层, 器件的J_sc、V_oc、FF和PCE分别提高了31%、137%、17%,Rs降低了33%。     

校企大型科研仪器设备管理对比研究

对我国高校大型仪器设备和企业科研仪器设备管理现状进行了分析,主要从大型仪器采购、大型仪器管理、仪器管理人员配置、仪器培训及新功能开发、问责制等5个方面对比校企大型科研仪器管理方面的差异,取长补短,提出提高和完善我国高校大型仪器管理水平的三条建议,即有章可依,有章必依、大力推进大型仪器共享收费和提高实验技术人员工作水平。     

基于PIN结构的Rubrene/C70太阳能电池的性能研究

实验制备了ITO/V₂O₅/Rubrene/C₇₀:Rub rene/C₇₀/BCP/Al的PIN结构有机太阳能电池(OSC),其中 Rubrene、Rubrene:C₇₀和C₇₀分别作为P、I和N层。通过改变I层厚度,研究了I 层对OSC性能的影响及作用机理。实验显示,I层厚为5nm时器件的功率转换效率η达到最大值为1.580%,同时 获得了较大的短路电流密度Jsc为4.365mA· cm－2;相对PN结构器件,功率转化效率η短路电流密度Jsc和填充因子FF分别提 高了40.3%、29.7%和8.2%。我们认为,I层中激子分离效率的提高导 致了器件性能的改善。     

氧化亚锡薄膜晶体管的研究进展EI北大核心CSCD

p型金属氧化物材料氧化亚锡由于其特有的光学和电学性能,使得其在催化、传感、光电器件等领域受到越来越多人的青睐。本文重点介绍了氧化亚锡在薄膜晶体管中的研究应用,薄膜晶体管作为显示器驱动面板核心部件,其在显示器中的作用至关重要。本文归纳了氧化亚锡薄膜晶体管的研究进展,对氧化亚锡微观性能分析、氧化亚锡薄膜材料制备以及晶体管制备方法等进行介绍。通过对氧化亚锡晶体结构以及电子结构进行详细介绍,探讨了氧化亚锡性能微观调控机制;并通过对氧化亚锡材料的制备以及器件的应用研究,分析了氧化亚锡薄膜晶体管所面临的器件电流开关比低的问题并展望其在互补金属氧化物半导体器件方向的前景,以期为制备稳定和环保的p型金属氧化物薄膜晶体管提供参考。     

一种新型汽车节气门角度传感器设计

节气门用角度传感器研究逐渐趋于小型化、智能化以及非接触测量。用一种线性霍尔元件MLX90316设计制作了节气门传感器,论述了该传感器的原理与组成结构,研究了它的独立线性度、重复性和一致性。实验结果表明:本传感器使用水平磁通量为50 mT的圆盘形磁铁,磁铁与芯片的距离为5 mm,在磁铁转速为150 r/s时,传感器的独立线性度小于1.1%,同一传感器的重复性为2%,同批次传感器的一致性约为2%。     

双阴极修饰层改善Rubrene/C70有机太阳能电池的性能

采用NTCDA/PTCBI双阴极修饰层制备了结构为ITO /MoO₃/Rubrene/C70/NTCDA/PTCBI/Al有机太阳能 电池(OSC),研究了双阴极修饰层对Rubrene/C70 OSC性能的影 响。实验结果表明,引入双阴极修饰层 后,器件的各性能参数有了显著提高。通过对PTCBI厚度优化发现,当PTCBI厚为5nm时器件 的各性 能参数最佳,器件的功率转换效率(PCE)=3.19%,电流密度Jsc=8.99mA·cm－2,开路电 压Voc=0.85V, 填充因子(FF)=41.58%,与未插入PTCBI 层相比器件的各性能分别提高了538%、338.5% 、13.3%和16.5%。     

基于PIN结构的Rubrene/C_(70)太阳能电池的性能研究

实验制备了ITO/V2O5/Rubrene/C70:Rubrene/C70/BCP/Al的PIN结构有机太阳能电池(OSC),其中Rubrene、Rubrene:C70和C70分别作为P、I和N层。通过改变I层厚度,研究了I层对OSC性能的影响及作用机理。实验显示,I层厚为5nm时器件的功率转换效率η达到最大值为1.580%,同时获得了较大的短路电流密度Jsc为4.365mA·cm-2;相对PN结构器件,功率转化效率η短路电流密度Jsc和填充因子FF分别提高了40.3%、29.7%和8.2%。我们认为,I层中激子分离效率的提高导致了器件性能的改善。     

金属性MoO2纳米材料的制备及电阻的微区测量

为了研究MoO²的本征电阻率,采用化学气相沉积法（CVD）在蓝宝石衬底上制备金属性MoO²纳米材料,随后将材料转移到SiO²衬底制备成双端电阻器件,在进行电压?电流曲线测量的同时,采用开尔文探针力显微镜（KPFM）研究不同偏压下MoO²纳米材料表面电势的空间分布．结果表明：传统测量时忽略了接触电阻和热效应的影响,导致测量结果偏高;测量的MoO²的本征电阻率为6×10_-5 Ω·cm,可以媲美高质量ITO薄膜电极．所以,MoO²作为一种廉价电极材料在电子器件中具有潜在的应用前景．