选择外延技术研制1.5μm DFB激光器和自对准模斑转换器集成器件

利用选择外延技术研制了1.5μm DFB激光器和自对准模斑转换器单片集成器件.激光器的上限制层与垂直方向上楔型波导的模斑转换器同时选择性生长 ,这样的方法不仅可以分别优化有源区和模斑转换器的材料,同时可以降低选择性生长对接结构的难度.所研制集成器件的阈值为4.4mA,在49.5mA下的输出功率为10.1mW,边模抑制比为33.2dB,垂直方向和水平方向上的远场发散角分别为9°和15°,1dB偏调容差分别为3.6μm和3.4μm.     

把握力学概念、作好土建监理工作

文章从力学基本概念、传力途径及受力载体等方面结合工程实际阐述在土建监理中如何正确把握力学概念,科学地、合理地开展监理工作.     

宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100～250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏度小于1dB．对于1.55μm的信号光，在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率．     

1.74μm压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器

制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件阈值电流为11.5mA,100mA时最大输出功率为14mW,边模抑制比为33.5dB.     

1.74μm压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器

制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件阈值电流为11.5mA,100mA时最大输出功率为14mW,边模抑制比为33.5dB.     

澳洲坚果中红外干燥机设计与试验

针对澳洲坚果干燥时间长、能耗大等问题,设计了中红外干燥机,分析澳洲坚果干燥水分与速率变化规律,探明干燥水分扩散与活化能变化机制,运用1Stopt软件对典型干燥模型进行数据拟合并建立中红外干燥模型。结果表明,采用加热腔内60℃,中红外发射管0.8kW的干燥条件,经过360min果仁含水量降至1.36%的安全水分,整个干燥阶段主要为降速干燥,Midilli-Kucuk模型可以有效预测澳洲坚果在中红外干燥过程中水分的变化机制,各时段澳洲坚果的有效水分扩散系数在2.03×10-7～2.31×10-7 m2/s,利用阿伦尼乌斯公式计算出澳洲坚果的干燥活化能为159.5kJ/mol。     

选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器

报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为 2 6mA ,最大光功率可达 9mW ,消光比可达 16dB。减小端面的光反馈后 ,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化 ,调制器部分的电容为 1 5pF ,初步筛选结果显示阈值、隔离电阻、消光比基本没有变化 ,可应用在 2 5Gb/s的长途干线光纤传输系统上。     

ADSL技术特点与应用

本文主要探讨关于ADSL技术特点和应用,讨论了它的基本原理,阐述了ADSL与普通拨号及NISDN和CABLE MODEM的区别,介绍了目前主要ADSL设备和应用前景。     

InGaAsP材料的厚度增强因子随选择外延MOVPE生长条件的变化

利用扫描电子显微镜(SEM)研究了在选择外延MOVPE生长InGaAsP材料中,厚度增强因子随SiO2掩模宽度的变化,生长条件(如生长压力、Ⅲ族源流量等)对厚度增强因子的影响.随着生长压力的增加,生长速率下降,选择性增强;随着In源流量的增加,生长速率上升,选择性下降.制备了最大厚度增强因子达3.4的InGaAsP体材料.通过扫描电镜观察,得到了较平坦的生长界面和表面形貌.为用选择生长法制备DFB激光器与模斑转换器集成器件提供有效的方法.(OH12)     

基于COLDFIRE MCF5270电力通讯管理机的设计

介绍一种基于飞思卡尔MCF5270单片机的电力通讯管理机的设计,同时介绍了其硬件设计和软件设计方案,通过配置软件可方便地配置其所有通讯端口的协议、通讯参数等设置,并可进行远程维护调试。