纳米氧化硅在玻璃基片表面亚纳米级抛光中的应用

为满足先进电子产品对玻璃基片表面超光滑的要求,制备了一种纳米氧化硅抛光液,并研究了氧化硅粒子大小、抛光时间等参数对玻璃基片抛光后表面粗糙度、材料去除速率的影响。ZYGO形貌仪表明,采用纳米氧化硅抛光液,可以使玻璃表面粗糙度达到0.5 nm左右。AFM表明,抛光后的玻璃基片表面超光滑且无划痕等微观缺陷。     

模具钢无黄烟化学抛光的研究

模具钢抛光过程中往往会产生严重污染环境和危害人体健康的NOx气体。本文研究了难抛光3Cr2W8V模具钢“无黄烟”化学抛光工艺。经正交试验确定抛光液的组成及最佳浓度和工艺参数；并分析了各种添加成份对模具钢化学抛光光亮度的影响。结果表明，在室温条件下抛光11min就可以使3Cr2W8V模具钢表面获得满意的光亮度，具有广阔的应用前景。     

pH值和浓度对CeO2抛光液性能影响的研究

研究了氧化铈抛光液颗粒浓度和pH值的变化对抛光液悬浮性能、接触角和粘度的影响。结果表明：随着浓度和PH值的变化，氧化铈抛光液悬浮性能、接触角和粘度均出现变化。随着原始抛光液被逐渐稀释．抛光液的悬浮性能下降，接触角和粘度也减小，然而pH值的变化对它们的影响则较为复杂。     

纳米SiO2粒子抛光液的制备及其抛光性能

随着计算机磁头与磁盘间间隙的不断减小，硬盘表面要求超光滑，制备了一种纳米SiO2抛光液，并研究了镍磷敷镀的硬盘基片在其中的抛光性能，Chapman MP2000^ 表面形貌仪测得抛光后表面的平均粗糙度（Rα)和波纹度（Wα)分别为0.052nm及0.063nm，为迄今报道的硬盘抛光的的最低值。原子力显微镜（AFM）发现获得的基片表面非常光滑平整，表面无划痕，凹坑，点蚀等表面缺陷。     

2-氨基-5-巯基-1,3,4-噻二唑缓蚀剂结构的密度泛函计算

采用密度泛函量子化学计算方法,获得了在B3LYP/6-311 G(2d)(5D,7F)理论水平上2-氨基-5-巯基-1,3,4-噻二唑(简称AMT)4种互变异构体的平衡几何构型、能量和电荷分布,证实了4种互变异构体的所有原子处于同一平面,且有一种异构体最稳定.研究结果表明:AMT4种异构体中的环骨架具有芳香性,AMTc与Cu形成的缓蚀膜层是Cu(Ⅰ)与AMTc中的7N和2S原子分别形成共价键和配位键相互交错而成.计算了AMT4种异构体的谐振频率和红外光谱强度.     

铝材及铝制品的化学抛光处理（3）

对磷酸－硝酸－醋酸溶液、磷酸－硫酸－硝酸溶液、改型的磷酸－硫酸－硝酸溶液抛光处理工艺与磷酸基抛光液的管理作了全面的阐述。     

古典抛光中影响超光滑质量主要因素的分析

古典抛光超光滑表面是一种传统的光学加工方法,它是一个很复杂的机械、化学、物理综合作用的过程,其影响因素很多,也很难控制。本文重点对抛光模及抛光液等几个主要工艺影响因素进行了简要的分析,为进一步提高古典抛光超光滑表面的加工工艺提供了参考。     

铝合金无铬电解抛光

介绍铝合金(含纯铝)无铬电解抛光液的最佳配比和最佳工艺条件.铝合金无铬电解抛光具有污染小、成本低和市场竞争力强的优点.     

磁流变抛光液流变性测试研究

磁流变抛光液在磁流变抛光中起着极其重要的作用,其性能的好坏尤其是其流变性能的好坏直接影响到磁流变抛光的成败。因此在磁流变抛光液配制的过程中需要对磁流变抛光液的流变性进行定量的测试来指导选择其组成成分和确定各成分的比例。本文根据磁流变抛光液在磁场中的流变效应设计制造了一台磁流变仪并详细分析了各部分结构和测试原理,并在此基础上用该装置对自行研制的水基磁流变抛光液试样进行了一系列的实验测量。通过对实验数据的分析,验证了该系统的可靠性并得到了一些配制磁流变抛光液的规律。     

铜化学机械抛光中电化学理论的应用研究

概述了电位-pH图、极化曲线、交流阻抗谱和开路电压测试等电化学方法在铜化学机械抛光(Cu—CMP)中的应用，并分析了采用电化学方法进行CMP分析存在的问题，指出采用以上电化学方法进行Cu—CMP分析有利于对Cu—CMP的过程的理解，并可以为抛光液组分的选配提供依据。