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21.
本介绍了触摸屏产业的全球趋势,以及对中国台湾地区目前的市场状况和制作触摸屏的主要材料市场现况作了简要介绍。 相似文献
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低压铝箔交流腐蚀研究 总被引:4,自引:2,他引:2
在30Hz频率下,通过铝箔在HCl+H2SO4+HNO3+H3PO4体系中的交流腐蚀,研究腐蚀液组成中腐蚀主体及缓蚀剂对铝箔腐蚀的作用,探讨腐蚀过程中电源频率、腐蚀液温度、电流密度及腐蚀时间对铝箔腐蚀的影响。腐蚀液组成的配比恰当,有利于比容的提高。在特定的频率下采用合适的腐蚀液温度、适宜的电流密度和腐蚀时间可以提高铝箔的静电容量。 相似文献
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基于低温共烧陶瓷技术流延工艺的特点,通过研究粘合剂、分散剂和增塑剂等在浆料体系中的力学效应对生瓷带中陶瓷成分颗粒的几何排列及所产生的孔隙排斥等力学特性的影响,以及优化热处理温度对生瓷带的质量损失、延展率和拉伸强度的关系,深入分析了流延过程的关键技术及工艺参数对生瓷带结构和微波特性的影响。研究后提出:通过调整流延浆化浆料中粘合剂、分散剂和增塑剂配比,采用梯度缓变的热处理烘干温度曲线和消除生瓷带累积应力等方法,可明显改善流延工艺过程,最终获得质量稳定、可靠性高和功能满足于微波应用要求的生瓷带。 相似文献
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测试了高纯电子铝箔(以下简称铝箔)在2mo1/L HCl和2mo1/L HCl 0.5mol/L H2SO4溶液中三角波动电位激励时的电流响应曲线,用Daubechies2小波对所测得的电流响应曲线进行了时频分解,研究了SO4^2—在铝箔交流扩面电蚀工程中的缓蚀机理.提出了铝箔在含Cl^—溶液中点蚀时的氧空位侵蚀机理模型,该模型指出在一定的酸度条件下,在侵蚀膜表面形成的正电荷集中点是C1^—与SO4^2—发生特性吸附的原因;C1^—在侵蚀膜内的主要传输途径是存在于侵蚀膜内微晶晶界上的氧空位链;进入侵蚀膜内的SO4^2—在强场作用下发生离解,离解出的O^2—与侵蚀膜内的氧空位作用,致使氧空位湮灭,切断了Cl^—在侵蚀膜内的传输途径,同时由于这种作用调整了Cl^—在侵蚀膜内传输的网络结构,增加了蚀孔内新生蚀孔的萌生机率,从而在铝箔电蚀扩面腐蚀工程中起到了独特的缓蚀作用、 相似文献
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TiO2(锐钛矿)的禁带宽度限制了其光诱导特性的广泛应用,非金属元素掺杂为TiO2在可见光辐射环境下的应用提供了新的机会.详细介绍了非金属元素(N、C、S、F)掺杂TiO2的制备方法和可见光催化活性研究的最新进展,讨论了制备工艺与掺杂TiO2可见光催化活性的关系,深入分析了非金属元素对TiO2可见光催化活性的诱导机理.制备工艺显著影响了掺杂元素的化学态和含量,从而决定了掺杂TiO2带隙中局域态的特征.带隙中局域态特征正是影响掺杂TiO2可见光催化活性的关键因素.文章也对未来的研究方向进行了展望. 相似文献
30.
近两年高温超导又取得了巨大的进展,特别是在:(1)新的更高温度超导体系的探索,这包括进一步提高Tc值和合成新结构、新类型的超导材料;(2)材料的应用基础研究,主要指超导块材、线材、带材、膜材料的制备和改进,包括SQUID、Josephson结和微波无源器件;(3)对高温超导现象的解释和机理的研究方面尤为显著。本文重点介绍过去一年高温超导在材料研究方面的主要进展。 相似文献