购房定金和订金有区别吗?

在买房过程中,购房者会遇到各种各样的闹心事。"看好的房子变成了别人的房子,该怎么办?"孟先生就遇到了付了订金却买不到心仪房子的情况。这样的情况不是个案,很多的购房者都曾遇到交了"定金"或者"订金",最后却遭放鸽子。但是,"定金"与"订金"虽然一字之隔,最后的解决情况却大相径庭。购房需要的不仅仅是选房的独具慧眼,更需要的是签订合同的谨慎与细心。     

不规则物体密度测定仪的研制

为了填补目前国内自主研发的物体密度测定仪的空白,研制了一种可以一次性直接测量物体质量、体积和密度的仪器.主要采用了阿基米德原理,质量测定和压力传感的基本方法.该仪器主要由托盘、压力传感器、液槽、单片机组成.本文详细介绍了该仪器的研发、使用方法和设计原理.     

华为金融手段隐藏危机

2011年8月15日,华为发布2011年上半年度财务报告,销售收入达983亿人民币,同比增长11%;营业利润达124亿人民币。但与此同时,中国银行、中国工商银行、建设银行等银行,则受到审计署和银监会的监管要求,要求这几家银行在今年年底前,收回华为员工的的贷款余     

WNS系列锅炉烟箱的优化设计

本文针对WNS系列燃油燃气锅炉烟箱设计存在的缺陷，介绍了优化设计的方法。     

啤酒污泥化学组分与重金属形态分布研究

土地利用是资源化利用啤酒污泥的有效途径,随污泥中的营养成分一起进入土壤中的还有其中的重金属元素,其有可能给生态环境安全和人类健康带来风险,甚至构成威胁.选取湖北金龙泉啤酒(孝感)有限公司废水处理站产生的污泥为研究对象,进行污泥的化学组成及重金属形态分布研究.结果表明,啤酒污泥中含有丰富的有机质和氮、磷养分,具有较高的肥料价值;污泥中重金属元素的形态分布差异较大,但大部分是以非交换态存在,其潜在的迁移性和植物毒性较低.研究目的在于探讨污泥中重金属的潜在迁移规律,预测污泥中重金属的环境污染揪风险.为啤酒污泥农业利用提供有益的参考.     

海藻酸纤维对水溶液中Fe~(3+)的吸附动力学研究

以海藻酸纤维作为吸附材料研究了纤维对水溶液中Fe3+的吸附性能,用准一级动力学方程、准二级动力学方程、Elovich方程、粒子扩散方程、双常数方程和指数函数方程数学模型对不同Fe3+浓度、吸附时间的吸附曲线进行分析,研究了其吸附的动力学机理。结果表明:在研究的浓度和条件范围内,准二级动力学模型、Elovich方程和双常数方程的拟合度较好,模拟值与实验值吻合较好,说明海藻酸纤维吸附Fe3+是复杂的非均相扩散的化学吸附过程。粒子扩散方程表明颗粒内扩散不是控制海藻酸纤维吸附Fe3+过程的唯一步骤,而是由膜扩散和颗粒内扩散联合控制。     

油脂样品过氧化值的测定与评价

采用国标GB/T 5538-2005中的过氧化值测定方法,对食用油与地沟油进行检测。其中食用油的过氧化值≤7.5mmol/kg,均满足国家油脂标准值。但地沟油的过氧化值范围为98.32mmol/kg~132.54mmol/kg。两种油脂的过氧化值差别较大,故可采用过氧化值指标鉴定食用油及其相应的餐余地沟油。     

钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响

提出一种新的钝化技术--采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCI:H2O=1:4:20)对AIGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后冉淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面顶处理再钝化,成功地抑制了 AIGaN/GaN HEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱(XPS)检测预处理前后的AIGaN表面,观察到经过预处理后的AIGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AIGaN/GaN HEMTs性能的主要原因.     

具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性

研制成功具有场板结构的AIGaN/GaN HEMT器件,对源场板、栅场板器件的性能进行了分析.场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电,提高了肖特基反向击穿电压.源漏间距4靘的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到100V以上,肖特基反向漏电由37霢减小到5.7霢,减小了一个量级.肖特基击穿电压由常规结构的78V提高到100V以上.另外,还初步讨论了高频特性.     

凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应

研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电. 用X射线光电能谱（XPS）分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N空位,导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型,N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大,反向漏电增大,肖特基势垒降低. 介绍了一种AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理方法,优化退火条件为400℃, N2氛围退火10min. 退火后,栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷,器件肖特基反向漏电减小三个量级,正向开启电压升高,理想因子从3.07降低到了2.08.