YBa2Cu3O7—δ高温超导薄膜微桥结在微波辐照下的响应特性

采用偏轴直流磁控溅射原位生长ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜，以Ｈ３ＰＯ４为腐蚀液，采用化学湿刻工艺制作ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜微桥，微桥长１０μｍ，宽５μｍ，在８ｍｍ微波源的辐照下，除观察到整数常压台阶外，还观察到ｎ＝１／２，１／５，６／５，９／５等分数常压台阶，分数台阶的高度随微波功率的变化较整数台阶更敏感。     

激光辐照制备搪瓷涂层

激光辐照制备的搪瓷涂层表面粗糙,与金属基材结合牢固。一般由 Si,Al,Na,K,B,F,O等元素组成。在激光辐照过程中 K,Na 明显地挥发,从而在涂层中的含量明显减少;Co,Ni,主要分布在界面附近;Fe 元素也由基材进入涂层,呈梯度状分布,在界面过渡区含量很高,在涂层内含量很低。搪瓷涂层的形成与激光辐照参数,特别与激光功率间存在极为密切的关系;只有选用合理的参数,才能制得搪瓷涂层。     

辐照灭菌电子直线加速器控制系统

本控制系统硬件采用分布式网络控制,分三级对加速器进行监测和控制。硬件采用PLC和PC,软件采用CXP和C语言等编写。本系统在实现了在电子线路控制系统上实现的各项监控功能的基础上,增加了很多新功能,更因为部分硬件功能由软件来实现,使得整个系统更易于测试、生产和维护升级。     

Ion irradiation—induced structure damage to botanic samples using the ion transmission energy spectrum

1 INTRODUCTIONThe new aPplications of low energy heavy ion beam in irradi4ted botanical materialswere studied in recellt yeaxs. The beaminduced mutation effect on crop seeds has causedthe attention of physicist and biologists.[1l:] FOr examPle, 1ow energy ions can induceremarkable mutation to rice seeds.[3] There are many special phenomena when heavyions bombard botanic sW1e due to its special structure. Some studies showed that tllepenetration depths of some ions were far larger than t…     

质子和电子对聚丙烯及聚乙烯辐射改性和作用机制的研究

用20和100keV的质子束及8和12MeV的电子束对低密度聚乙烯和全同立构式聚乙烯薄膜进行了辐照试验。首次发现质子和电子对聚丙烯和聚乙烯的作用效果是完全不同的:电子使聚乙烯交联、使聚丙烯裂解;质子可显著地改善聚丙烯的力学性质,而使聚乙烯变坏。这种性质的改变与粒子辐照剂量存在密切关系。另一方面,通过对辐照前后样品进行X射线衍射、正电子湮没、红外吸收和电子顺磁共振等结构分析,表明在高能电子辐照聚丙烯时,随着剂量的增加,聚丙烯内发生α相和β相的转换,但总结晶度不变。而电子辐照聚乙烯则不发生这类相变。红外吸收谱的研究表明,在质子辐照过的聚丙烯中出现三个新的振动频带,其中3350cm~(-1)是未曾观察到过的共振峰,对应着一种新的组构。它可能是质子辐照使聚丙烯应力-应变特性增强的原因。此外,在研究质子和电子与聚丙烯大分子不同用机制的基础上,提出了质子和聚丙烯大分子相互作用可以产生交联的反应模式。证实了辐射交联不仅与剂量有关,而且与辐照粒子的类型存在密切的联系。     

导电聚苯胺在微波场中的升温特性

本文研究了微波辐照下导电聚苯胺的升温特性。研究表明 ,导电聚苯胺在微波场中具有快速升温的特点 ,升温速度与掺杂剂的种类、掺杂酸的浓度、聚苯胺的导电率、合成聚苯胺的温度等因素有关。盐酸掺杂聚苯胺热稳定性较差 ,在微波场中不能反复升温 ,而热稳定性较好的DBSA掺杂的聚苯胺具有一定的反复升温能力     

抗“非典”消毒好帮手——低压紫外线杀菌灯

采用紫外线消毒是杀灭空气和物体表面各种细菌和病毒的最有效方法之一。在全国人民抗击“非典”的战役中,好的防护手段和卫生保健措施不断涌现,公共卫生成为关注的重点,家庭环境、个人用品的消毒杀菌受到人们的日益重视。日前,一种用于厨房、卧室和物体表面消毒,并可对桌面、床铺及其他特殊物体消毒杀菌的家用一体化紫外线灯已开发成功,成为满足时下家庭防疫需求的新选择,一投入市场便成了家用消毒用品中的佼佼者,市场上供不应求。     

源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

研究了源区浅结的不对称SOI MOSFET对浮体效应的改善,模拟了总剂量、抗单粒子事件(SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响.这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高,并且随着源区深度的减小,抗总剂量辐照的能力不断加强.体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关.