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针对双模卫星导航接收系统对集成度、功耗和面积的需求,研究了频率综合器的电路结构和频率规划,分析了频率综合器环路的参数设计,实现了片上集成环路滤波器,版图采用MIM和MOS电容堆叠的方式节省了面积,电容电阻采用了加权的方式,使环路带宽可调.采用高速TSPC结构的D触发器构成双模预分频器,降低了整体电路的功耗.利用基于0.18 μmRF CMOS工艺实现了低功耗全集成的频率综合器,芯片面积0.88 mm2,功耗18.5 mW,相位噪声-94 dBc/Hz@100 kHz,杂散-68 dBc.测试结果证明了该电路系统参数设计和结构改进是合理和有效的,各参数性能满足系统要求. 相似文献
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退火制度对TC25钛合金棒材组织和力学性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了不同退火制度对TC25钛合金棒材显微组织和力学性能的影响。结果表明:TC25钛合金棒材组织随退火温度的升高逐渐由等轴组织转变为双态组织,经920~940℃/1 h AC+550℃/6 h AC双重退火处理后获得等轴组织,经960~980℃/1 h AC+550℃/6 h AC双重退火处理后获得双态组织。TC25钛合金棒材的较佳热处理温度为960~980℃/1 h AC+550℃/6 h AC,经该制度处理后棒材的室温拉伸性能和高温(500℃)拉伸性能均优良。 相似文献
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不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应 总被引:1,自引:1,他引:0
在不同偏置条件下,对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器(CFA)进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现,在不同偏置条件下,器件损伤差异明显。在零偏条件下,器件在低剂量率下损伤显著增强,表现为低剂量率损伤增强效应(ELDRS);在小工作电压下辐照时,器件损伤较小,且不同剂量率之间损伤差异不明显;而在大工作电压下辐照时,器件在高剂量率下的损伤明显大于低剂量率下的损伤,在随后的室温退火中,又恢复到与低剂量率损伤相当的程度,表现为时间相关效应。结果表明,双极器件是否具有ELDRS效应与实验偏置条件有重要关系。 相似文献
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对东芝公司生产的TCD1209D线阵电荷耦合器件(CCDs)进行了60Coγ和1 MeV电子辐照实验,获得了CCDs的像元信号输出波形、像元光强量化值及器件功耗电流随辐照剂量的变化规律。比较了两种射线产生的CCDs辐射损伤。结果显示,60Coγ和1 MeV电子导致的CCDs辐射损伤不仅在程序上存在差异,而且二者的表现形式也有所不同。分析了电离辐射和位移损伤对CCDs内部不同单元的影响,表明了电子辐照产生的位移损伤是造成上述差别的重要原因。 相似文献