大型预焙铝电解槽使用碳化硅砖与普通碳砖复合块的探讨

碳化硅砖和碳化硅砖与普通碳砖复合侧块，在上世纪末期我国铝电解槽上开始推广应用。使用后各厂家普遍发现碳化硅砖及碳化硅砖与普通碳块复合侧块均出现不同程度的断裂、上抬和脱落现象，该文对断裂、上抬和脱落原因进行了分析，并提出了改进措施。     

电流模技术与电流模电路

电流模技术与电流模电路清华大学电子工程系（１０００８４）高文焕李冬梅电流模技术是指电流模集成电路的理论基础、电路设计、制造及应用技术。它是与高速集成工艺相伴发展的新兴技术。用电流模技术设计的模拟集成电路速度快、精度高、频带宽、线性好，可以说是模拟集成...     

低压真空渗碳设备的特点及生产应用

一、低压真空渗碳设备的主要特点 低压真空渗碳设备是与低压真空渗碳技术同时出现的一种设备。该类设备的突出特点是选择的多样性，并且具有多种用途和先进的渗碳控制系统。     

激光脉冲和工件参数对激光微孔加工质量的影响

研究了激光功率、重复频率、焦点位置以及光束质量对激光打孔质量的影响。通过调整和优化激光脉冲、聚焦光学系统和工件参数，在０．１～２ｍｍ厚的不同材料上打出孔径０．０６～０．２ｍｍ的精密小孔。利用ＴＥＭ００模激光脉冲和望远镜扩束后再聚焦的办法，加工出孔径２５～３０ｍｍ的微孔。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

基于嵌入式计算机和Ethernet的分布式波控系统

介绍一种基于嵌入式计算机和以太网(Ethernet)的相控阵雷达分布式波控系统。整个波控系统以数个嵌入式计算机为核心，通过以太网与雷达的控制计算机通讯。     

爆破时差对地震效应的影响

通过对一次爆炸量为65t的硐室大爆破地震效应的实测,得出了一些有价值的结论。     

关键词：推进——访信息产业部信息化推进司司长季金奎

6月下旬，当人们走出“非典”阴影的时候，我们走进了信息产业部，走进了信息化推进司司长季金奎简朴的办公室，就新时期推进司的职能、任务等问题采访了季司长。