太阳能电池发展现状及展望

本文从价格,成本,转换效率变化等方面介绍了太阳能电池的发展现状,展望了硅材料为主体太阳能电池,薄膜太阳能电池等发展趋势。     

磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2薄膜工艺条件的优化

采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2薄膜的工艺条件.调节四个较为重要的影响因素,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到16个CuInSe2样品.用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了研究,并且通过XRD研究了薄膜的结构性能.得到了制备具有较好电学性能的CuInSe2薄膜的优化条件为:Cu/In比1.133,硒化温度420℃,硒化时间20min,硒源温度200℃.在此优化条件下得到的薄膜Hall迁移率可以达到3.19cm2/(V*s),XRD结果表明薄膜中没有杂相存在.     

表面损伤对单晶硅太阳电池制绒的影响

研究了不同温度、不同浓度碱溶液去除单晶硅亚表面损伤对单晶硅太阳电池制绒的影响。结果显示,在对亚表面损伤的去除过程中,硅片在不同腐蚀条件下反应的开始阶段和后期表面形貌差异较大。在20%KOH溶液中反应40s后的硅片制绒5min后形成的小凸起远大于在20%KOH溶液中反应100s的硅片制绒5min后形成的小凸起。在20%KOH溶液中反应40s的硅片在制绒过程中金字塔结构的长大不是按照理想的(111)面进行的,而反应100s的硅片制绒过程中金字塔结构的长大则更加规则。     

N_2O等离子体处理对富硅氮化硅薄膜发光的影响

采用PECVD方法制备富硅氮化硅(SiNx)薄膜,并研究了N2O等离子体处理对SiNx薄膜光致发光(PL)及电致发光(EL)的影响。研究结果表明,N2O等离子体处理前后SiNx薄膜的PL发光峰均位于430nm处,且强度变化不大。而其EL发光峰位于600nm处,处理后强度有所提高。但经过高温热处理后,EL强度会大幅度降低。这主要是由于N2O等离子体处理在薄膜中引入N原子,这些N原子与Si原子结合,消除Si的悬挂键,降低了非辐射复合中心的浓度;而热处理后发生的原子重排,使得N原子与Si原子断开,进而与O原子结合,致使EL强度降低。     

聚苯乙烯微球表面合成CdSe纳米晶

以聚苯乙烯(PS)单分散微球为模板, 利用表面化学沉积, 在PS微球表面合成了CdSe纳米晶. 透射电子显微镜(TEM)观察发现, CdSe纳米晶以岛状形貌分布在PS微球表面, X射线衍射(XRD)分 析显示合成CdSe纳米晶具有立方相结构. 通过对产物形貌的演变过程进行观察分析表明, PS球周围的双电层结构对该形貌的形成起决定作用.     

氧化铝增强的PdSe2/Si异质结光电探测器

为了降低暗电流,通过原子层沉积(ALD)生长了一层氧化铝(Al₂O₃)隧穿层,制备了PdSe₂/Al₂O₃/Si异质结光电探测器.通过优化Al₂O₃层的厚度,使得该探测器实现了高速和宽光谱响应.研究结果表明,在波长为808 nm的光照射和-2 V偏压下,所制备的光电探测器与未生长Al₂O₃的器件相比,暗电流降低了约3个数量级,器件的光响应度达到了约为0.31 A/W,对应的比探测率约为2.5×10¹² Jones,器件在零偏压下表现出明显的自驱动效应.经过循环测试1 200次后,器件保持良好的光响应.器件响应的上升时间和下降时间分别为7.1和15.6μs.结果表明,在二维层状半导体材料与Si之间引入Al₂O₃隧穿层,可以有效地降低器件的暗电流,有利于高性能的Si基光电探测器的制备.     

掺硼p型晶硅太阳电池LID恢复研究

随着p型晶体硅太阳电池转换效率的不断提高,由于光致衰减(LID)造成的效率损失问题也日益突显.文章通过光辐照的方式分别对电池片和经过光衰处理后的电池片进行抑制光衰和光衰恢复处理,前者光衰幅度极大下降,后者光衰得到很好的恢复,并且达到了一个相对稳定的状态,表明光恢复处理可以很好地改善掺硼p型晶体硅太阳电池的LID现象.特别地,针对p型高效电池结构钝化发射区和背表面电池(PERC)技术来说,光恢复处理工艺基本上克服了LID的现象,24 h光衰幅度仅为0.03％.LID现象的解决,将为PERC技术的大规模推广奠定基础.     

太阳能光电材料CuInSe2的研究进展*

综述了太阳能光电材料CuInSe2的研究历史和现状，主要讨论了CuInSe2的光学性质，电学性质，及其掺杂对禁带宽度的影响，介绍了薄膜的制备方法特别是硒化法，最后综述了目前存在的问题及发展趋势。     

氮化镓薄膜的极性

极性纤锌矿结构GaN外薄膜生长时是沿着它的极性轴，主要是[0001]和[0001^1]方向的，而这两个极性方向对薄膜的生长，掺杂以及极性表面的化学特性有着不可忽略的影响，论述了GaN处延薄膜极性的检测和极性对薄膜生长的影响，同时回顾了与之相应的腐蚀，表面结构，晶体生长和器件的近期研究成果。     

基于远程访问的嵌入式实验教学方案分析

阐述在线教学对于理论课的教学有很好支持，对于实践课教学中的实验设备限制，可操作性要求无法被满足。针对嵌入式实验教学，探讨一种基于远程访问技术的在线教学方案，可以在现有技术条件下很大程度提高实验的真实体验感。