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31.
太赫兹变频组件是实现太赫兹成像和通信应用的关键器件。本文中介绍了基于hammer-head滤波器紧凑结构,结合肖特结二极管的三维模型和电气模型,设计低变频损耗250GHz太赫兹谐波混频器的方法。在高倍光学显微镜的精准测量下,建立尺寸可以跟信号波长相比拟的二极管三维模型,准确模拟二极管的高频特性以提高电磁仿真精度。为了进一步降低太赫兹混频器的变频损耗,文中除了采用紧凑型的hammer-head滤波器结构外,同时通过波导探针直接实现与二极管阻抗的匹配,简化了混频器的结构降低谐波信号传输线损,从而降低太赫兹谐波混频器的变频损耗。最终仿真结果表明,250GHz谐波混频器在3d Bm的本振功率驱动下,在230~270GHz射频范围内,变频损耗(SSB)均小于6.8d B,最低变频小于6.2d B,中频带宽大于20GHz。 相似文献
32.
采用金属过渡层来实现硅-硅低温键合,首先介绍了选择钛金作为金属过渡层的原因和金硅共晶键合的基本原理,然后探索了不同键合面积和不同金层厚度对金硅共晶键合质量的影响规律,开展了图形化的硅晶圆和硅盖板之间的低温共晶键合实验研究,获取了最优键合面积的阈值和最优金层厚度.最后将该低温金硅共晶键合技术应用到MEMS器件圆片级封装实验中,实验结果表明较好地实现了MEMS惯性器件的封装强度,但是还存在密封性差的缺陷,需进一步进行实验改进. 相似文献
33.
34.
UWB电磁脉冲圆孔耦合计算及试验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用电磁场数值计算软件CST计算了前沿为400 ps的UWB电磁脉冲辐射场通过不同直径的圆形孔耦合到金属屏蔽腔体内的电场,对相同尺寸的带圆孔的金属屏蔽腔体在UWB辐射模拟源上进行了验证试验.通过理论计算和试验测试得到的电场衰减系数符合较好,证明采用的UWB电磁脉冲圆孔耦合计算及试验的方法是可行、正确的. 相似文献
35.
36.
电化学抛光对HR-1不锈钢表面的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以硫酸-磷酸混合液为电解液,考察了电化学抛光技术对HR-1不锈钢表面的影响。通过激光扫描共聚焦显微镜观察样品的表面形貌,并利用电子天平测量样品的质量变化。结果表明:当电流密度为80A/dm2,温度为90℃,抛光时间为60s时,样品表面的平整度最高,机械加工痕迹基本消失,无明显的尖峰与坑点,粗糙度小于0.18μm。为保证样品的尺寸精度,需要控制抛光时间。 相似文献
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38.
引信起爆控制电路通过对目标探测信号的处理和决策,给出发火控制信号,其可靠性直接决定了其发火可靠度,工程上大多采用直接双套并联方式进行冗余设计。针对引信起爆控制电路如何进行冗余设计问题,设计了并联冗余和非冗余两种电路,采用数理统计的方法计算了其全寿命周期可靠度,结果表明非冗余电路可靠度略高于并联冗余电路。采用故障物理方法,分别通过加速寿命试验和故障物理仿真,得出了起爆控制电路在引信服役期内的温度应力、力学环境应力、电应力下的失效寿命远大于寿命期的结论。综合数理统计和故障物理研究结果,给出了引信起爆控制电路可采用非冗余设计的建议。 相似文献
39.
40.