PECVD法生长氮化硅工艺的研究

采用了等离子体增强化学气相沉积法(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件.     

利用Astro-Rail分析FFT芯片的功耗和电源完整性

本文介绍如何使用Synopsys公司的Astro-Rail工具对采用SMIC0.18μmCMOS工艺、已完成布局布线的FFT芯片进行功耗分析、电压降分析和电迁移分析。通过在电压降图和电迁移图中用不同的颜色来显示不同区域的电压降和电迁移情况,可判断出最有可能出现问题的区域。文中利用功耗分析证明了电源和地PAD对的数目符合要求,利用电压降分析和电迁移图证明了电源环和电源条的布置符合工艺要求。     

接触式串联射频MEMS开关的工艺研究

本文采用MEMS工艺制作接触式串联射频开关,射频开关采用双端固定的悬臂梁结构,悬梁为PECVD制作的SiN薄膜,溅射Au制作共平面波导,聚酰亚胺作为牺牲层,运用等离子体刻蚀法释放牺牲层.研究了悬梁、共平面波导以及电极的制作工艺,并分析了牺牲层的制作和刻蚀工艺对开关结构的影响.     

NiCr溅射薄膜内应力的研究

本文采用磁控溅射法在０．５ｍｍ厚的４０Ｃｒ钢基片上沉积１￣１２μｍ的ＮｉＣｒ合金薄膜,运用钠光平面干涉法测量ＮｉＣｒ溅射薄膜的内应在力,研究表明影响ＮｉＣｒ薄膜内应力的主要因素是工作气压和基片温度,并运用Ｋｌｏｋｏｌｍ理论对该影响作用进行了分析。     

静止图像压缩标准JPEG IP核的设计与实现

本文介绍了基于静止图像压缩标准JPEG基本模式的编码器软IP核的设计与实现.本设计采用适于VLSI实现的DCT算法结构,单周期实现Huffman编码,图像压缩过程流水线实现,达到高处理速率和高数据吞吐率.使用Design Compiler在SMIC 0.18um CMOS单元库下综合,时钟频率可以达到125MHz,可处理每秒三十帧的1280·1024 SXGA图像.本IP核可以方便地集成到诸如数码相机、手机以及扫描仪等各种应用中.     

薄膜应变栅称重传感器的研制

运用薄膜沉积技术，制作了薄膜应变栅式称重传感器。性能测试表明，由于克服了粘接胶所带来的弊病，该类传感器与贴片式传感器相比具有滞后和蠕变小，稳定性和可靠性高的特点。     

射频MEMS开关的研究

概述射频MEMS开关的研究背景及意义,介绍国内外射频MEMS开关的研究现状,列举出两种主要的射频MEMS开关：电容耦合并联式开关和金属．金属接触串联式开关的结构、工作原理、性能比较。     

K波段高增益宽带的异极化透/反射阵列天线

提出了一种具有新型多功能空间馈电平面的阵列天线,可以同时实现透/反射两个波束。该阵列通过快速响应编码对圆环反射单元和透射单元进行合理分布,以实现不同极化方向的透/反射波束。基于所提出的透射和反射单元,设计并制造了具有25×25个单元的透射-反射阵列天线,分别产生θ=0°向后的x极化方向的反射波束和θ=180°向前的y极化方向的透射波束。该天线的中心频率为22 GHz,测试结果表明,反射波束最大增益为22 dB,3 dB增益带宽达到28%;透射波束的最大增益为19.2 dB,3 dB增益带宽达到27%。     

基于NEMS技术的硅基纳机电探针阵列器件研究

进行一种用于高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研究.并采用理论计算和有限元模拟相结合方法对器件进行了设计;使用先进的微纳加工工艺技术将压阻敏感器和电阻加热器集成到超薄悬臂梁-针尖结构纳机电探针阵列器件上,实现器件制作;随后,进行器件电热特性及其敏感特性测试,测试结果与模拟结果相吻合;借助于原子力学显微镜在聚合物有机薄膜上实现了数据写入,优化写入条件后,数据记录面密度达31.6 GB/in2.     

用于超高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研制

本文研制一种用于超高密度数据存储的硅基纳机电探针阵列器件.简要介绍了器件结构及其工作原理,并通过理论计算和有限元模拟相结合的方法实现器件的结构设计.并运用先进的微纳加工工艺技术制造出相应的器件,具体包括:先进的纳米硅尖制造技术、高电隔离性的加热电阻制作技术及其纳机电探针上加热电阻与压阻传感器集成技术等.室温下,测得该器件加热电阻器的阻值为(500～600) Ω,压阻传感器的阻值为(6～8) KΩ,在2×10-7 N预力作用于针尖处时,悬臂梁上的压阻器件灵敏度(电阻相对变化)达到了3.12×10-4,满足纳米数据坑读出对于灵敏度要求;纳米针尖曲率半径小于40 nm,满足器件高密度存储对于硅尖要求.建立一套适用于该纳机电探针的电热理论模型,利用该模型计算的结果与器件电热测试结果相吻合.