一氧化硅减反射涂层的理论分析和蒸镀

本文在理论上,用角谱法分析了1.3μm InGaAsP/InP 半导体激光器腔面镀膜后的剩余反射率,并对 TE 波算出了单层近似结果。在实验上,较详细地讨论了 SiO 减反射膜的蒸镀。并通过对1.3μm 激光器前后腔面蒸镀 SiO 减反射膜而制成了超发光二极管。     

适于计算机内部通讯互连的集成光电子电路

本文评述了适于计算机内部通讯光互连的集成光电子电路的进展情况,对适于高速信号处理的光源和探测器,以及集成多路转换器和信号分离器,作了详细的评述。     

聚酰亚胺厚膜的等离子刻蚀

一、引言由于聚酰亚胺(以下筒称PI)膜具有许多独特的优点。目前,在国内外半导体器件制备工艺中,特别是在器件钝化保护和微波GaAsFET中的应用以及作为集成激光器的波导材料等方面,得到了广泛的应用。正因为如此,PI膜的刻蚀引起了人们的重视。但对PI厚膜的的刻蚀,研究工作不多。本文对PI厚膜的刻蚀工作,给出了一些实验结果。     

易于集成的有机薄膜场效应晶体管的制备

用有机半导体并五苯作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,采用全蒸镀方式在真空室一次性制备了正装结构的有机薄膜场效应晶体管(OTFT)。薄的有机绝缘层使得器件工作在低电压下,有机薄膜场效应晶体管易于与显示像素(有机发光二极管(OLED))集成在同一个透明的刚性或者柔性衬底上。研究了有机薄膜场效应晶体管的源漏接触电阻和沟道电阻对器件性能的影响,结果表明接触电阻是影响器件性能的主要因素。在透明的玻璃衬底上实现了有机薄膜场效应晶体管对同一衬底上100μm×200μm红色有机发光二极管的驱动。     

大功率量子阱远结半导体激光器

通过将下波导层掺杂为ｐ型,使半导体激光器的有源区与ｐｎ结分离,制作了大功率远结半导体激光器。该器件在老化期间表现出输出功率变大的趋势。理论分析表明,远结半导体激光器特殊的外延结构,决定了器件的阈值比正常器件的高,但是阈值受温度的影响较小,并且器件的退化机制转变为ｐｎ结的退化,这对于制作高可靠性、长寿命、低温度敏感性的半导体激光器具有重要意义。     

半导体聚合物电发光器件

半导体聚合物的电发光现象及其广阔的应用前景，激发了人们的研究兴趣，文章介绍了聚合物的结构，器件设计和制备等，并评述了聚合物材料应用前景和聚合物发光二极管的发展状况。     

长波长1．3μm激光器腔面镀减反射膜超辐射发光管的制备

本实验采用ＩＬ－４００型膜厚速率控制仪和钼舟，对半导体激光器端面分别蒸镀单层和双层减反射膜来制备长波长超辐射发光二极管，并对蒸镀减反射膜后器件的功率特性和光谱特性方面进行了测试。     

有机电发光彩色显示屏的新进展

评述了有机电光器件及有机电发光彩色显示屏的最新研究进展。经过多年的研究，有机电发光器件的长寿命这个难题，今天已经达到与经的韧性和亮度相匹配。上前大部分公司的动机是改进封装方案。相信有机ＴＶ挂在墙上的日子将为期不远了。     

1．3μm InGaAsP／InP超辐射发光二极管的低频光、电噪声研究

给出了研制的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声及其相关性的实验结果。结合电导数、光导数及光谱测试进行了分析和讨论。结果表明．超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声有相关性．其噪声大小与器件材料质量、结构参数及工作条件密切相关。     

有机半导体激光器研究的新进展

近年来,有机半导体激光器已经成为一个新的研究热点。叙述了光泵浦有机半导体激光器的最新研究进展,对实现电泵浦（ 电注入） 有机半导体激光器也进行了评述。