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31.
针对PZT95/5陶瓷材料FRL-FRH相变时的热释电特性,建立了相变过程中自发极化随温度绵定量计算表达式,表达式中的函数级数依据Leibniz交错级数定理,可按照实际要求的精确程度进行级数求和,故利用计算机拟合了自发极化随温度的变化曲线,拟合曲线与实验测量的结果相一致,证明了理论计算公式能定量地描述相变过程中自发极化随温度变化的规律,有利于对铁电材料的相变性质进行深入的研究。  相似文献   
32.
PMNT陶瓷材料的压电介电性能研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文研究了准同型相界处铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷材料的介电压电性能,合适的组份和烧结,可使PMNT陶瓷材料具有较好的压电性能,d33达540pC/NM,kt达0.50以上,观察了不同烧结工艺下陶瓷材料的微观结构,烧结时间过长不仅使晶粒尺寸变大,亦可造成晶粒快速生长,对化学组成和微观结构与压电性能的关系进行了讨论。  相似文献   
33.
随着“互联网+”时代的到来,改革传统的教学模式势在必行。以《生态学》课程为例,开展蓝墨云班课的翻转课堂教学模式的改革设计与实施。结果表明,该教学模式改革,充分提高了教学效果,更有利的实现了课程目标。同时学生反馈良好,课堂上学生的学习热情和积极性明显提高。  相似文献   
34.
针对PZT95/5陶瓷材料FRL-FRH相变时的热释电特性,建立了相变过程中自发极化随温度变化的定量计算表达式,表达式中的函数级数依据Leibniz交错级数定理,可按照实际要求的精确程度进行级数求和,故利用计算机拟合了自发极化随温度的变化曲线.拟合曲线与实验测量的结果相一致,证明了理论计算公式能定量地描述相变过程中自发极化随温度变化的规律,有利于对铁电材料的相变性质进行深人的研究.  相似文献   
35.
PZT和PT陶瓷的热释电效应与晶格参数的关系   总被引:1,自引:0,他引:1  
测量了锆钛酸铅(PZT)和钛酸铅(PT)陶瓷材料的热释电效应,利用X射线衍射测量了陶瓷材料在不同温度下晶格结构变化,研究了PZT和PT陶瓷材料的热释电效应与晶格参数之间的相互关系,实验表明,陶瓷材料的热释电系数的大小与晶格参数随温度变化的情形有关,c轴与c/a比随温度变化大的材料,其热释电系数较高。  相似文献   
36.
采用磁控溅射法,选用LaNi O3作为缓冲层,在硅基片上制备出了0.74Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26PbTiO3弛豫铁电薄膜.研究了沉积温度对薄膜的微结构和光学性能的影响.其中,沉积温度为500oC时制备的薄膜,不仅具有纯的钙钛矿结构,高度(110)择优取向、致密、无裂纹的形貌、而且具有最大的剩余极化,大小为17.2μC/cm2.使用柯西模型进行拟合反射谱,分析得到薄膜的折射率和消光系数.在波长为633 nm时,500oC沉积的薄膜的折射率大小为2.41.另外,薄膜的光学带隙在2.97~3.22 eV范围内.并初步讨论了这些薄膜的光学性能的差异.  相似文献   
37.
铌镁酸铅-钛酸铅铁电体准同型相界附近的压电性能研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用固相合成法制备了准同型相界附近的PMN-PT铁电陶瓷,对其介电和压电性能进行了研究,并讨论了不同掺杂对陶瓷的晶粒尺寸,介电常数,压电系数和机电耦合系数的影响,分析了不同掺杂取代位置对陶瓷的介电和压电性能的影响。发现这一体系陶瓷材料的压电性能与其晶粒的大小有一定的对应关系,同时在这一体系的掺杂后的影响可以较好地用传统PZT系统中的软硬掺杂解释。  相似文献   
38.
第一次研究了PbMg1/ 3 Nb2 / 3 O3 PbTiO3 (PMN PT)和Ba1-xSrxTiO3 (BST)铁电陶瓷的低频高场电循环下的疲劳及其采用在顺电相保温 2 0min去疲劳的效果。实验表明 :PMN PT和BST相比 ,同样条件下的电循环后PMN PT易产生明显的疲劳 ;但BST从一开始就有少量的疲劳存在 ,PMN PT则直到 5×10 4才开始出现疲劳。同样的电循环数后 ,去除疲劳的效果不一样 :BST在靠近Tc 处比PMN PT靠近Tm 处去除疲劳的效果好 ,但 60℃后在增加温度仍有部分疲劳不能消除 ,直到 15 0℃时疲劳仍不能完全消除 ;而PMN PT在 110℃时疲劳已完全消除。本文用极性微区理论和外场诱导相变理论很好地解释了以上现象  相似文献   
39.
采用微米级的碱式碳酸镁作为原料,用一步烧结的方法制备铁电材料0.67Pb (Mg1/3Nb2/3)O3-0.33PbTiO3(PMNT)。经过1200℃烧结后, XRD测试没有发现烧绿石相。与传统的使用氧化镁为原料的两步烧结法相比,此方法方便。同时,系统地研究了此方法可以避免烧绿石相的原因。  相似文献   
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