巨磁电阻在计算机存储领域的应用

用巨磁电阻（GMR）材料的构成的磁电子学新器件,已开始在计算机存储领域成功地获得了应用,介绍了用于计算机硬盘驱动器的巨磁电阻磁头和巨磁电阻随机存储存储器,描述了它们的工作原理,性能特点及研究现状和发展趋势。     

几种新型非易失性存储器

本文简单介绍了铁电存储器、磁性随机存储器和相变存储器这三种比较有发展潜力存储器的原理、研究进展及存在的问题等.     

TiO2种子层对Bi 3.15 Nd 0.85 Ti 3 O 12铁电薄膜的结晶取向和铁电性能的影响

用sol—gel法分别制备了直接沉积在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上和加入了TiO2种子层的Bi3．15Nd0．85Ti3O12（BNT）铁电薄膜，研究了种子层对BNT薄膜结构和电学性能的影响．XRD结果表明直接沉积在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上的BNT薄膜具有（117）和（001）的混合取向，而加入TiO2种子层之后薄膜的最强峰为（200）取向；FE-SEM显示具有TiO2种子层的BNT薄膜，其表面主要是由具有非C轴取向的晶粒组成且更为致密；直接沉积的BNT薄膜和具有TiO2种子层的BNT薄膜的剩余极化Pr值分别为26和43．6μC／cm^2，矫顽场强＆分别为91和80．5kV／cm；疲劳测试表明两种薄膜均具有良好的抗疲劳特性，TiO2种子层的引入并没有降低BNT薄膜的疲劳特性；两种薄膜的漏电流密度均在10^-6-10^-5A／cm^2之间．     

巨磁电阻传感器

利用材料的巨磁电阻 (GMR)效应 ,可制得新一类磁电阻传感器—— GMR传感器。与传统的磁阻传感器相比 ,GMR传感器具有灵敏度高、可靠性好、测量范围宽、抗恶劣环境、体积小等优点 ,有广泛的应用前景。本文就目前已商业化的几种 GMR传感器的工作原理作一评述     

FPGA在数字电视节目录制系统中的应用

介绍了一种利用FPGA和ARM处理器实现的数字电视节目录制系统.重点论述了FPGA在系统中完成的功能:输入数据合法性检测、输入节目的解复用、输出节目的码率调整和时钟调整、总线仲裁及控制管理SRAM等.     

一种模拟温度补偿晶体振荡器补偿参数自动设置系统

介绍了一种采用快速获取数据方法的模拟温度补偿晶体振荡器 (ATCXO)的补偿参数自动设置系统。该系统通过快速测量和计算 ,自动生成补偿网络参数。经过试验和测试分析 ,在 - 10～ +6 0℃温度范围内 ,AT切 TCXO的频率稳定度达到± 0 .5 ppm,同时极大地提高了 TCXO的生产效率、降低了生产成本。     

近场编码孔径成像的数据校正

介绍了修正的均匀冗余阵列(MURA)编码孔径成像及其图象重建的基本原理.从理论上分析和探讨了编码孔径应用在近场核医学成像时,cos3 θ项带来的近场效应及其校正方法,并通过计算机模拟实验验证了这种矫正方法的正确性和可靠性.     

PLC的应用和发展

首先介绍了PLC（可编程逻辑控制器）的基本结构、应用特点以及工作原理，然后在此基础上介绍了PLC的应用领域，并描述了PLC的发展历史、发展现状以及发展趋势。     

Sol-Gel工艺Si基Bi4 Ti3 O12铁电薄膜制备与晶相结构研究

采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4TiO12铁电薄膜.研究了退火温度、退火时间、薄膜厚度等对薄膜晶相结构的影响.研究表明,退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响最为显著,而且随退火温度升高,Bi4Ti3O12薄膜更趋向于沿c-轴取向的生长;退火时间在30分钟内对薄膜晶相结构的影响比较明显;薄膜厚度及30分钟以上的退火处理对薄膜晶相结构的影响不大.     

MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究

利用sol—gel方法在p—Si(lll)基底上制备钛酸铋薄膜。测量不同退火温度下得到的In／BTO／p—Si结构的C-V曲线,测量结果表明制备的MFS结构钛酸铋薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储。