Reliability of Au/PZT/BIT/p-Si ferroelectric diode

A ferroelectric memory diode that consisted of Au/PZT/BIT/p-Si multilayer configuration was fabricated by pulsed laser deposition (PLD) technique. The reliability issues (I-V characteristics, capacitance retention, fatigue and imprint) were investigated. The I-V curve showed the conventional Schottky diode characteristics with a small current density of - 5.3×10 -10 A/cm2 at a voltage of - 4 V and 6.7×10-8 A/cm2 at a voltage of + 4V, and this characteristic can be maintained below 50℃. The capacitance variety of the ferroelectric diode was only 5 % in 10 hours after withdrawing the applied bias of + 5 V or - 5 V, indicating the diode had good capacitance retention. By applying 100 kHz bipolar pulses of 5 V amplitude, the decay in remanent polarization was only 10% after 109 switching cycles, and meanwhile the increase in coercive field was 12%. After being irradiated for 20 min with a 200 W ultraviolet ray lamp, the remanent polarization and coercive field had both varied, and a voltage shift was obse     

新型商用化磁阻式传感器

磁电子学 (或自旋电子学 )是把物理学和电子学结合起来的新兴学科 ,已成为当今的热点研究领域之一。利用磁电子学中的巨磁电阻 (GMR)效应 ,可制得新一类磁阻式传感器 -GMR传感器。与传统的磁阻式传感器相比 ,GMR传感器具有灵敏度高、可靠性好、测量范围宽、抗恶劣环境、体积小等优点 ,具有广泛的应用前景。就目前已商业化的几种GMR传感器的工作原理作一评述。     

巨磁电阻随机存取存储器

用巨磁电阻(GMR)材料制成的磁电子学新器件,已开始在计算机存储领域成功地获得应用。对巨磁电阻用于计算机随机存取存储器的工作原理、性能特点及研究现状和发展趋势作了阐述。     

乳腺专用PET中数据传输系统的设计

介绍了一种基于FPGA的千兆位以太网数据传输系统的设计,大大提高了数据传输速度和可靠性,具有模块化程度高、使用简单等特点.它实现了超过950 Mbps的数据传输,已经成功应用在乳腺专用PET(Positron Emission Mammography,PEM)系统之中.     

基于极化反转函数的铁电电容器件模型

通过分析铁电薄膜微观结构及铁电畴在外电场作用下极化反转机理,将铁电畴等效为一群具有相互独立矫顽场的铁电偶极子.采用几何方法,解释了这些偶极子在不规则电压波形驱动下极化反转的规律.在此基础上,引入铁电电容的极化反转函数来表征铁电电容宏观极化强度随外电场变化的数学表达式.该函数的引入不仅简化了模型的计算量,还成功避免了同类模型中数值微分和数值积分所带来的误差,大大提高了模型精确性.     

热分解气氛对溶胶-凝胶法制备BLT铁电薄膜性能的影响

研究了热分解气氛对溶胶-凝胶法制备在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的Bi3.25La0.75Ti3O12 (BLT)薄膜铁电性能的影响.在400℃时空气或氧气气氛下热分解20min,接着在700℃时氧气气氛下退火30min.氧气气氛下的热分解能充分分解掉薄膜中的有机成分,而空气气氛下的热分解使炭、氢有机成分部分残留在薄膜中.有机成分的不完全分解影响了退火过程中BLT薄膜晶化时晶粒的生长.表现出生长取向和晶粒尺寸对BLT薄膜铁电性能的影响.氧气和空气气氛下热分解的薄膜的剩余极化(Pr)和矫顽电场(Ec)分别为18.85μC/cm2,119.7kV/cm和12.56μC/cm2、112.5kV/cm.氧气气氛下热分解的薄膜的剩余极化值显著提高.所以热分解是控制铁电性能的重要步骤.     

铁电存储器的基本单元及其工作模式

按照铁电储存器的破坏性读出和非破坏性读出的这两种基本工作模式及其所对应的铁电随机存取存储器FRAM和铁电场效应晶体管肿FFBT两种结构形式的分类，分别介绍了1T／1C，2T／2C结构和铁电场效应晶体管金属-铁电-半导体（MFS）结构的基本铁电存储单元的结构及其工作模式。     

基于ARM7的电路检测平台数据采集系统

建立了基于ARM7处理器LPC2212的嵌入式开发平台，实现了USB通讯、LCD显示等非常热门的嵌入式应用技术。该平台目前已应用于某军用电子检测箱电路检测平台的自动检测．具有体积更小、功耗更低、功能更多、扩展性更强等特点。     

Sol-Gel法制备Bi4Ti3O12薄膜及其性能研究

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BTO)铁电薄膜,利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其晶格结构和表面形貌进行了表征,制备的BTO薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构和表面平整致密。对700℃退火的BTO薄膜进行了铁电性能和疲劳特性测试,在测试电压为6 V时,剩余极化值2Pr约为12.5μC/cm2,矫顽电场2Ec约为116.7 kV/cm;经1×109次极化反转后,剩余极化值下降了24%,对其疲劳机理进行了探讨。     

铁电存储器研究进展

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题等。