排序方式: 共有61条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
42.
43.
采用准分子脉冲激光沉积(PLD)工艺,制备了Au/PZT/p-Si结构铁电存储二极管.在氧气氛350℃低温沉积、原位530℃快速退火工艺条件下,获得了多晶纯钙钛矿结构的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜.PZT薄膜的铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线,其剩余极化和矫顽场分别为13μC/cm2和48kV/cm.从C-V和I-V特性曲线观察到源于铁电极化的回滞现象,记忆窗口约1.1V,+4V偏压下电流密度为3.9×10-6A/cm2. 相似文献
44.
45.
46.
47.
48.
利用溶胶-凝胶(sol-gel)方法,在硅基底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12/Bi4Ti3O12/Si铁电薄膜,其中Bi4Ti3O12作为缓冲层.用XRD方法分析了该结构铁电薄膜的物相结构;用扫描电镜对薄膜样品进行表面形貌观察;并且对该结构的铁电性能进行了研究. 相似文献
49.
50.