火箭弹强度设计及动态特性分析的有限元法

目的：分析某火箭弹的强度和动态特性。方法：建立有限元模型，利用ANSYS软件对火简弹进行强度和动态特性分析，结果：得到了火箭弹主要零部伯的应力分布和全弹前三阶模态。结论：通过与实验的对比，验证了模型的合理性及计算的精确性，为火箭弹的强度和动态特性设计提供了一种有效的方法。     

功率MOS和IGBT器件在无嵌位电感开关条件下的动态雪崩特性研究

The ability of high-voltage power MOSFETs and IGBTs to withstand avalanche events under unclamped inductive switching(UIS) conditions is measured.This measurement is to investigate and compare the dynamic avalanche failure behavior of the power MOSFETs and the IGBT,which occur at different current conditions.The UIS measurement results at different current conditions show that the main failure reason of the power MOSFETs is related to the parasitic bipolar transistor,which leads to the deterioration of the avalanche reliability of power MOSFETs.However,the results of the IGBT show two different failure behaviors.At high current mode,the failure behavior is similar to the power MOSFETs situation.But at low current mode,the main failure mechanism is related to the parasitic thyristor activity during the occurrence of the avalanche process and which is in good agreement with the experiment result.     

不同炸药及装药高度对聚能射流侵彻性能的影响

为研究不同炸药及装药高度对聚能射流侵彻性能的影响,分析不同炸药及装药高度对聚能射流侵彻性能的影响.通过 TrueGrid 建模,LS-DYNA 数值模拟计算,对在同一装药直径、装药高度时,不同炸药对聚能射流头部速度、侵彻后效靶板的能力进行对比;比较在同一装药直径、同种炸药时,不同装药高度对聚能射流头部速度、侵彻后效靶板的能力.仿真结果表明:奥克托今炸药压垮药型罩形成的聚能射流头部速度最大,侵彻后效靶板能力最强;装药高度的变化对奥克托今炸药压垮药型罩形成的聚能射流的头部速度,侵彻后效靶板的能力影响不明显.该研究结果对聚能装药设计具有一定参考价值.     

双层复合罩罩顶过渡弧半径对侵彻结果的影响

为了研究成型装药双层药型罩射流的形成过程,应用非线性分析软件LS-DYNA对成型装药条件下的双层药型罩射流进行了数值模拟,分析了成型装药双层药型罩在不同罩顶过渡弧半径条件下对射流特性参数的影响.结果表明:成型装药条件下,双层罩不同罩顶过渡弧半径对射流的特性有不同程度的影响,合理调整罩顶过渡弧半径有助于改善射流性能,在工程上有一定的指导意义.     

马太堡水源改扩建工程电气及自控设计

介绍马太堡水源改扩建工程电气及自动控制系统电气设计实例,阐明变频调速、PLC控制的引入使水厂实现恒压供水,节能效果显著,电气自动化水平得到很大提高。     

滑翔增程火箭弹的飞行姿态控制方法研究

为了解决滑翔增程火箭控制过程中攻角在很短的时间内急剧增大的问题，提出了一种通过加入阻尼环节减小攻角过冲的控制方法，从而使火箭弹的攻角慢速增加至所需攻角，避免了攻角的振荡现象。文中导出了舵机控制过渡的动力学方程，给出了控制环节参数的确定方法以及该控制方法的数值仿真结果。仿真结果表明：采用该方法后．控制弹道过渡过程的攻角过冲减小了80％。     

A novel optimization design for 3.3 kV injection-enhanced gate transisto

This paper introduces a homemade injection-enhanced gate transistor （IEGT） with blocking voltage up to 3.7 kV. An advanced cell structure with dummy trench and a large cell pitch is adopted in the IEGT. The carrier concentration at the N-emitter side is increased by the larger cell pitch of the IEGT and it enhances the P-i-N effect within the device. The result shows that the IEGT has a remarkablely low on-state forward voltage drop （VCE（sat）） compared to traditional trench IGBT structures. However, too large cell pitch decreases the channel density of the trench IEGT and increases the voltage drop across the channel, finally it will increase the VCE（sat） of the IEGT. Therefore, the cell pitch selection is the key parameter consideration in the design of the IEGT. In this paper, a cell pitch selection method and the optimal value of 3.3 kV IEGT are presented by simulations and experimental results.     

高速大长径比火箭弹动态特性分析

目的 分析高速大长径比火箭弹的动态特性。方法 建立有限元模型，利用ANSYS软件对火箭弹进行模态分析。结果 通过有限元分析，得到了火箭弹的各阶模态。结论 通过与实测固有频率的对比，验证了模型的合理性及计算的精确性，为火箭弹的动态特性设计提供了一种有效的方法。     

弹道修正火箭弹修正系统精度分析

论述了弹道修正系统的主要误差因素及其散布,详细地分析了各误差独立作用时和综合作用时对弹道修正系统精度的影响。分析表明:各误差量值不同,对火箭弹精度的影响也不同,全面降低各误差的量值,可以提高弹道修正系统的精度。精度分析为确定弹道修正系统的修正能力提供了依据。