Si2ON2 /LAS纳米复合材料的制备与性能研究

研究了Si2ON2/LAS纳米复合材料的制备和性能。结果表明,纳米β－Si3N4可在较低温度下与玻璃热压烧结制备出Si2ON/LASX纳米复合材料,材料的力学性能与生成的纳米Si2ON2含量有关,Si2ON2的含量在20％时材料的抗弯强度和断裂韧性达量高值,分别比未加Si2ON2的材料提高31％和88％。纳米Si2ON2的含量超过20％时,材料的力学性能急剧下降,其原因是材料的致密度迅速降低。     

铝热法冶炼高钛铁工艺试验

探讨了采用铝热法、以金红石为原料生产65%-75%高钛铁的冶炼工艺,经20kg级（100kg级）、200kg级和500kg级等三个阶段试验,取得了较佳工艺技术条件和较好的技术指标,生产出含钛73.77%的高钛铁、钛的回收率为78.83%,并对试验影响因素进行了分析讨论。试验证明,以金红石为原料、采用铝热法冶炼高钛铁在技术上是可行的。     

PBO纤维表面改性研究进展

综述了目前PBO纤维的表面改性方法,主要包括等离子体处理、表面化学处理、辐射处理、偶联剂处理以及共聚改性的研究进展。分析了各种改性方法的原理并指出各种改性方法的优势及存在的问题。展望了PBO纤维增强复合材料的应用前景,指出今后纤维表面改性仍是PBO纤维增强树脂复合材料的研究重点。     

Al掺杂对Ti_3SiC_2陶瓷制备和性能的影响

采用热压烧结法制备了Al掺杂的Ti_3SiC_2陶瓷,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪、矢量网络分析仪等,分别对所制备的样品进行了表征和抗氧化性能、微波介电性能测试。结果表明:所制备的Al掺杂陶瓷具有相当高的Ti_3SiC_2质量分数,陶瓷晶粒呈现明显的层状特征。相比于未掺杂样品,通过Al掺杂途径,可显著提高Ti_3SiC_2陶瓷1200℃高温下的抗氧化性能,并使Ti_3SiC_2陶瓷的介电常数实部ε'和虚部ε"值大幅度增加,其在8.2~12.4 GHz频率范围的均值分别为60.8和6.28。     

先驱体转化法制备连续纤维增韧陶瓷基复合材料的研究

综述了先驱体转化法制备连续纤维增韧陶瓷基复合材料在先驱体、填料、浸渍裂解工艺、热处理工艺以及微观结构(界面层、气孔)等方面的研究状况.先驱体主要有聚碳硅烷、聚硅氮烷、聚硅氧烷等,填料包括活性填料和惰性填料两种,温度、压力、时间等因素对浸渍裂解过程的影响很大,界面结合的强度关系到复合材料的性能,所以制备复合材料时,各方面的因素都得不断摸索,确定最佳的制备方案.最后,提出了目前该方法存在的问题以及未来的研究方向.     

短切碳纤维/环氧树脂复合材料的介电性能研究

以短切碳纤维为填充物,环氧树脂为基体,采用涂刷法制备了碳纤维/环氧树脂基复合材料,研究了短切碳纤维的分布、含量、长度对复合材料的复介电常数的影响。碳纤维在环氧树脂基体中呈二维随机分布,随着碳纤维含量的增加,碳纤维在基体中形成导电网络的能力明显增强。采用波导法测试了复合材料在2.6～18GHz频段内的复介电常数,结果表明,在该波段,复介电常数的实部和虚部都随纤维含量的增大而增大;随纤维长度的增大先增大后减小;并随频率的增大呈现明显的频响效应。     

等离子喷涂石墨/氧化铝复合涂层微观结构及介电性能研究

以石墨为吸收剂,氧化铝为填料,聚乙烯醇为粘结剂,利用喷雾干燥法制备了石墨/氧化铝粉末,通过等离子喷涂工艺制备了石墨/氧化铝复合涂层,分析了涂层的相组成和微观结构,讨论了石墨含量对涂层微观结构和介电性能的影响.结果表明:喷涂后的涂层中有新相AlN(氮化铝)生成.涂层的密度和孔隙率与石墨含量有关,随着石墨含量的增加,涂层的密度逐渐减小,而孔隙率逐渐增加.介电性能测试表明,涂层的介电常数和介电损耗均随石墨含量地增加而增大.     

多晶硅生产现状

叙述了国内外多晶硅生产状况，分析了当前多晶硅市场需求状况，预测了未来市场形势，并介绍了多晶硅生产技术现状及特点。     

改性SiC短切纤维体积分数对SiC_(sf)/LAS复合材料介电性能的影响

以改性SiC短切纤维为添加剂,用热压法制备了SiCsf/LAS复合材料,考察了纤维的显微结构以及纤维和复合材料在8.2～12.4GHz频率范围内的微波介电性能。结果表明,当SiC纤维的体积分数为2.92时,纤维混合体介电常数实部、虚部最大,分别为38～25、40～20。高复介电常数的SiC纤维使SiCsf/LAS复合材料比LAS具有更高的介电常数,材料中无富碳界面层的形成。当SiC纤维的体积分数为3时,复合材料介电常数实部、虚部以及损耗角正切值最大,其均值分别为58、25和0.45。     

氮化硅多孔陶瓷的制备及微波介电性能研究

通过添加成孔剂,采用反应烧结工艺制备出具有不同气孔率的氮化硅多孔陶瓷.采用阿基米德法、三点弯曲法测试了材料的密度、气孔率及抗弯强度.用XRD及扫描电镜对相组成和显微结构进行了研究,用谐振腔法测试了该氮化硅陶瓷在9360 MHz频率的微波介电特性.结果表明,随着试样中气孔率的增加,试样的介电常数下降;在Si粉中添加α-Si3N4粉后,虽能提高氮化率,改善组织结构,但外加Si3N4和基体生产的Si3N4存在活性差异,两者结合不紧密,使强度降低;加入α-Si3N4粉使晶相组成中Si2ON2的含量降低,能够改善试样的介电性能.