纳米Si/C/N复相粉体的微波吸收特性

采用双反应室激光气相合成纳米粉体装置,以六甲基二硅胺烷((Me₃Si)₂NH)(Me:CH₃)为原料合成了纳米Si/C/N复相粉体,粒径为20 nm~30 nm。研究了纳米Si/C/N复相粉体在8.2 GHz~18 GHz的微波吸收特性,结果表明:纳米Si/C/N复相粉体介电常数的实部(ε')和虚部(ε″)在8.2 GHz~18 GHz随频率增大而减小,介电损耗(tgδ=ε″/ε ')较高,是较为理想的微波吸收材料;纳米Si/C/N复相粉体在不同基体中的微波吸收特性出现很大差异。纳米Si/C/N复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子,形成大量带电缺陷,极化弛豫是吸收微波的主要原因。根据纳米Si/C/N复相粉体与石蜡复合体的实测介电参数,设计出多组在8 GHz~18 GHz范围内微波反射系数R≤-8dB的吸波涂层结构。     

基于Nios软核的运动控制卡研究与实现

介绍了一种基于Altera公司的Nios CPU构建的运动控制卡．以及硬件和软件的设计方法。本系统具有高集成度、低成本、结构灵活和开发周期短的特点．并且已成功应用于多轴数控机床控制系统中，应用效果达到了设计目标。     

纳米γ-Fe2O3粒子的制备及其磁性能研究

以纳米Fe304粒子为原料，通过空气氧化法，制备出了具有不同磁性能的球形和立方形纳米γ-Fe2O3粒子，研究了纳米γ-Fe2O3粒子的磁性能及其在交变磁场下的发热性能，对其在定向集热治疗肿瘤中的应用前景进行了评价。纳米γ-Fe2O3粒子的比饱和磁化强度为44.18～69．84A·m^2／kg，矫顽力为（13～17）×79，6A/m。纳米γ-Fe2O3粒子含量为20mg／ml时，在外加交变磁场作用下15min后，纳米γ-Fe2O3粒子生理盐水悬浮液的温度为38．6～54．4℃，随着纳米γ-Fe2O3粒子比饱和磁化强度的增加，其在交变磁场中所达到的最高温度增大，有3种纳米γ-Fe2O3粒子达到了医学上定向集热治疗肿瘤用热籽的发热要求，纳米γ-Fe2O3粒子是很有应用前景的医用纳米材料。     

螺旋形碳纤维手性吸收剂的制备及其生长过程研究

用基板法以乙炔为碳源，镍板为催化剂，PCI3为助催化剂，通过化学气相沉积制备螺旋形碳纤维手性吸收剂，反应设备为卧式气相沉积炉。制备的工艺参数为：反应温度650~700℃，氩气流量20~40ml／min，乙炔气流量20~30ml／min，氢气流量50~70ml／min，PCI3流量为0．03～0．05ml／min。为了研究螺旋形碳纤维的生长过程和生长机理，详细研究了螺旋形碳纤维不同生长阶段的微观结构和形貌，探讨了螺旋形碳纤维的生长机理，螺旋形碳纤维是一种非常有发展前景的手性吸收剂和吸波材料。     

碳纳米管／PMMA／PVAc复合膜的制备及其导电性能研究

用竖式炉流动法，以二茂铁为催化剂，硫为助催化剂，苯为碳源制备碳纳米管（CNT），反应温度为1100-1200℃，碳纳米管的外径为20-40nm，内径10-30nm，长度5-20μm，并在2800℃对碳纳米管进行石墨化处理。用超声分散和溶液浇铸工艺制备碳纳米管，聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）／聚醋酸乙烯酯（PVAc）复合膜和石墨化碳纳米管／PMMA／PVAc复合膜，石墨化碳纳米管复合膜的导电性能明显优于碳纳米管复合膜，石墨化碳纳米管／PMMA／PVAc复合膜和碳纳米管／PMMA／PVAc复合膜的渗流阈值分别为2．5％和5％（质量分数），碳纳米管／PMMA／PVAc复合膜是很好的气敏候选材料。     

有效媒质公式在纳米SiC(N)粉体微波介电特性研究中的应用

用经典的有效媒质公式(包括Maxwell Garnet公式、Bruggeman公式、Polder-van Santen公式和相干准晶近似公式(quasicrystalline approximation with coherent potential,QCA-CP)研究了含纳米SiC(N)粉体的复合材料的微波介电特性，计算结果表明，经典的有效媒质公式对含纳米SiC(N)粉体的复合材料是不适合的，应寻求新的方法来求解纳米复合材料的微波介电常数。研究表明，不同纳米SiC(N)粉体含量的复合材料的介电常数实测值与纳米粉体体积分数(f)之间有非常好的拟合关系，复合材料微波介电常数的实部(ε′)和虚部(ε″)与纳米粉体体积分数之间符合二次多项式(ε′、ε″=Af^2 Bf C)关系，根据二次多项式可以非常方便而准确地计算纳米复合材料的微波介电常数。     

界面对纳米SiC/LAS陶瓷复合材料微波介电性能的影响

利用激光诱导法制各的纳米SiC和LAS玻璃粉米，采用热压法制各纳米SiC／LAS陶瓷复合材料，研究了纳米SiC／LAS陶瓷复合材料微波介电性能与纳米SiC含量、烧结温度以及碳界面层的关系。结果表明，在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷复介电常数的影响较小；但在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小，而对陶瓷复介电常数的影响较大，复合材料复介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异。通过计算和分析认为，复合材料制各过程中纳米尺度的SiC促进了碳界面层形成，使得烧结温度对复合材料复介电常数有很大影响。     

纳米SiC(N)粉体的制备及其光致发光性能研究

用双反应室激光气相合成纳米粉体装置,以六甲基二硅胺烷((Me3Si)2NH)(MeCH3)和氨气为原料,用激光诱导气相反应法合成了纳米SiC(N)粉体.采用双反应室结构不仅提高了CO2激光的利用率,而且提高了纳米粉体的产率,合成的SiC(N)粉体的粒径为20～50nm,纳米粉体的分散性好,无严重团聚.研究了纳米SiC(N)粉体的激发光谱和发射光谱,纳米SiC(N)粉体的激发光谱峰的位置为205.4nm,峰的强度为1862 a.u.,发射光谱峰的位置为505.2nm,峰的强度为1499 a.u.,纳米SiC(N)粉体在紫外激发下发出蓝绿色荧光.纳米SiC晶体中与N有关的缺陷是引起蓝绿光发射的主要原因.N原子是浅施主杂质,在SiC晶格中占据了C原子的位置,在外界能量的激发下,N原子最外层电子从激发态跃迁到基态而释放出光子.     

碳纳米管填充金属Ag纳米线及其机理研究

通过湿化学法将金属Ag成功填入碳纳米管,填充物的形态为纳米线状.用浓硝酸通过沸点回流法对碳纳米管进行处理,处理后不但除掉了其表面的杂质,而且碳纳米管端帽打开并明显被切短.AgNO3溶液通过毛细作用进入开口后的碳纳米管中,在450℃用H2进行还原,还原后碳纳米管被Ag纳米线填充,Ag纳米线直径为20～40nm,长度100nm～10μm.通过透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)分析研究了Ag纳米线的微观形态和结构.在实验基础上探讨了金属Ag纳米线的形成机理.     

碳纳米管/PMMA/PVAc复合膜的微观结构研究

在不同工艺条件下制备了碳纳米管／聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）／聚醋酸乙烯酯（PVAc）复合膜，用透射电镜和扫描电镜详细研究了碳纳米管／PMMA／PVAc复合膜的微观结构，考察了碳纳米管在聚合物中的分散状态和导电网络的形成条件，发现通过超声分散和喷涂工艺制备的碳纳米管／PMMA／PVAc复合膜具有规则的导电网络，而且表面平整，是制备导电复合膜的最佳工艺；碳纳米管／PMMA／PVAc复合膜是很好的气敏候选材料。