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31.
研究了利用电子束反应蒸发技术梯度速率生长高迁移率In2O3:Mo(IMO)薄膜的微观结构、光学和电学性能。高纯度In2O3:MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。首先,利用低沉积速率(约0.01nm/s)生长一层厚度约为30nm的IMO薄膜,作为缓冲层,其次,提高生长速率至0.04nm/s,高速率生长IMO薄膜,薄膜厚度约50nm。典型薄膜电阻率ρ约为2.5×10-4Ωcm,方块电阻Rs约为22.5Ω,载流子浓度n~5.8×1020cm-3,电子迁移率μ约为47.1cm2V-1s-1,可见光和近红外区域平均透过率约为80%。获得的IMO薄膜光电性能和直接利用低速率生长的薄膜特性相当或更好,并且极大地降低了薄膜生长时间。 相似文献
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33.
34.
本文研究了机械球磨方法制备的Al-64wt.%Ti混合粉末的微观结构和热稳定性.X射线衍射谱(XRD)研究结果表明,经过140h的球磨作用,形成了hcp相的亚稳态Ti(Al)超饱和固溶体;然后对粉末压坯进行固态反应烧结,最终的平衡产物是AlTi和Ti3Al,并用Miedema模型计算并比较了各竞争相的热力学结果.. 相似文献
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Modified textured surface boron-doped ZnO (ZnO:B) transparent conductive layers for thin-film solar cells were fabricated by low-pressure metal organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) on glass substrates. These modified textured surface ZnO:B thin films included two layers. The first ZnO:B layer, which has a pyramid- shaped texture, was deposited under conventional growth conditions, and the second layer, which has a sphere- like structure, at a relatively lower growth temperature. Typical bi-layer ZnO:B thin films exhibit a high electron mobility of 27.6 cm^2/(V.s) due to improved grain boundary states. For bi-layer ZnO:B, the haze value increases and the total transmittance decreases with the increasing film thickness of the second modification layer. When applied in hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H) thin-film solar cells, the modified textured surface ZnO:B layers present relatively higher conversion efficiency than conventional ZnO:B films. 相似文献
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传统单基地SAR成像系统基于点目标模型且观测视角单一,在对复杂场景成像时存在线目标边缘不连续,特征丢失等现象。针对这一问题,本文提出了一种多基地SAR构型下线目标参数反演与图像重建方法。该方法基于几何模型与散射理论推导了线目标的合成孔径雷达回波的参数化表达式,分析了在不同观测角度下对线目标的SAR成像结果从直线段到两端点反复变化的特点,并从空间谱采样的角度解释了这一现象,在此基础上根据线目标空间谱的特征,提出了一种基于最小二乘估计的多基地构型下线目标参数反演与图像重建方法。仿真实验结果表明,在相同的峰值信噪比条件下,本文提出的多基地SAR线目标参数反演与图像重建方法,相对于单一观测角度的单基地SAR具有更优的反演性能,在SAR图像的峰值信噪比为28dB时,线目标朝向与长度的反演误差在10%以内的概率达到了84%,可以基于反演结果实现图像的重建。 相似文献
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在(Na0.5Bi0.5)0.93Ba0.07TiO3中引入过量的Bi3 ,研究富Bi对该组成结构与压电和铁电性能的影响。采用柠檬酸盐法合成了具有单一钙钛矿相的(Na0.5Bi0.5 x)0.93Ba0.07TiO3(x=0~1.0%)超细粉料。研究结果表明,随着富Bi量的增加,陶瓷样品的晶体结构出现由三方-四方相共存向四方相的转变,Bi的过量对陶瓷样品的显微结构无明显影响。当富Bi量较低(x≤0.6%)时,压电常数和机电耦合系数随富Bi量的增加而缓慢降低。当富Bi量较高(x>0.6%)时,随着富Bi量的增加,压电常数和机电耦合系数急剧减小。富Bi使陶瓷样品的介电损耗增加,机械品质因数下降。当x≤0.4%时陶瓷样品具有饱和的电滞回线,而当x>0.4%时电滞回线明显变形。 相似文献
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电能计量系统PT二次回路压降产生及解决办法 总被引:1,自引:1,他引:0
在分析电能计量系统PT二次咽路压降产生及目前解决方法的基础上,提出了基于自适应原理的补偿方法及试验结果。该补偿装置效果较为理想。 相似文献
40.
研究了利用LP-MOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.对XRD和SEM的研究结果表明,B掺杂对ZnO薄膜的微观结构有重大影响.通过优化工艺,当B2H6流量为17sccm(约1%掺杂浓度)时,在20cm×20cm大面积衬底上生长出厚度为700nm,方块电阻为38Ω/□,透过率大于85%,迁移率为17.8cm2/(V·s)的绒面结构ZnO薄膜.其应用于太阳电池背反射电池后,可使电池短路电流提高将近3mA,使20cm×20cm面积的a-Si集成电池效率高达9.09%. 相似文献