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31.
以Fe2O3、BaCO3为原料,采用熔盐法合成了BaFe12O19(BaM)六角铁氧体,研究了煅烧温度、反应时间、熔盐添加量R及Fe3+/Ba2+摩尔比对产物物相、显微结构及磁性能的影响.结果表明,熔盐合成BaM的反应温度低于750℃,中间产物为BaFe2O4及BaFe4O7.Fe3+/Ba2+摩尔比在10~11.5可得BaM单相.熔盐添加量R为1~3时,所制BaM颗粒为规则六角片状.Fe3+/Ba2+摩尔比为11.5,煅烧温度为1000℃时制得的BaM的比饱和磁化强度为71.9A.m2/kg,接近其理论值72A.m2/kg. 相似文献
32.
利用改性硅溶胶包覆液对气雾化Fe-6.5%Si软磁合金粉末进行表面绝缘处理并制备磁粉芯,考察了不同包覆液用量对铁硅磁粉芯性能的影响。结果表明,经包覆处理的合金粉末表面存在均匀的氧化物绝缘层;磁粉芯样品在测试频率范围具有良好的恒磁导率和高频特性;随着包覆液用量的增加,磁粉芯样品的磁导率相应减小、直流叠加性能明显提高,损耗则表现出先减小再增大的趋势。当包覆液用量为1.0 wt%时,样品的恒定磁导率为78,50k Hz、50m T条件下的功耗为170 m W/cm3,直流叠加场为10m T时磁导率百分比为55%,表明适当的粉末表面包覆层有利于获得高性能的铁硅磁粉芯。 相似文献
33.
34.
35.
综述了碳纳米管的电磁性能和用金属及合金包覆碳纳米管的研究现状,介绍了碳纳米管的应用的最新进展如场效应晶体管、场发射器件等.展望了碳纳米管在微电子领域的发展趋势. 相似文献
36.
Fe-Cr-Si-B非晶磁粉芯的制备与磁性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以水雾法制备的Fe-Cr-Si-B非晶合金粉末为原料制备了非晶磁粉芯,研究了退火温度和成型压力对磁粉芯性能的影响。结果表明:Fe-Cr-Si-B合金粉末具有较高的非晶化程度和良好的热稳定性;当退火温度低于非晶合金的起始晶化温度时,非晶磁粉芯的起始磁导率μi在440℃附近达到峰值44.7,对应的损耗则相对最低(260×10–3W/cm3,50 kHz);当成型压力由30 MPa增大到50 MPa时,磁粉芯的μi由38.6增大到46.4,其损耗则逐渐降低。 相似文献
37.
电磁污染的日益严重和军事隐身技术的需求为吸波材料的研究和发展提供机遇。吸波材料对电磁波的吸收主要依赖于填充其中的电磁波吸收剂。磁性纤维吸收剂以其良好的电磁性能可调性,高的磁导率和磁损耗,得到国内外学者的广泛关注和研究。综述铁氧体磁性纤维、金属磁性纤维、磁性非晶纤维、纳米纤维几种吸收剂的研究现状,并对它们各自的特点及发展作了较为详尽的评述。认为磁性纤维必将向着多功能化、非晶化、纳米化的方向发展。 相似文献
38.
将不同比例的羰基铁和羰基镍混合气体在磁场引导下加热分解、形成了铁含量分别为80、55、20(ω/%,质量分数,下同)的羰基铁镍纤维.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)研究了羰基铁镍纤维相组成和形貌特征.将羰基铁镍纤维混合于环氧树脂中,经强磁场取向后制成同轴样品,通过矢量网络分析仪研究了其在2~18 GHz范围内的微波磁性能.结果发现羰基铁镍纤维的直径、长径比及形貌可通过磁场大小调节.对于直径为微米级的羰基铁镍纤维,其饱和磁化强度对微波磁性能的影响远大于直径及长径比的影响.当铁含量为20%纤维的直径减小到亚微米(0.8 μm)时,由于忽略了趋肤效应以及高的长径比,使其微波磁性能急剧提高. 相似文献
39.
采用真空熔炼、机械破碎的方法制备铁硅铝合金粉末,并使用机械振动筛得到不同粒度的粉末。利用振动样品磁强计(VSM)测试不同粒径铁硅铝粉末的静态磁性能,发现其比饱和磁化强度σs彼此相差不大,而粗颗粒的矫顽力Hcj与比剩余磁化强度σr均较细颗粒小。利用上述结果,经过合理配比后,试制有效磁导率分别为125,147,160的高磁导率铁硅铝磁粉芯,并对其有效磁导率的频率特性、直流叠加性能、功率损耗进行了测试。在频率为20~200kHz范围内各型磁粉芯均有良好的恒导磁性。在频率为100kHz、磁场为1.6kA/m时各型磁粉芯的叠加直流后的磁导率与未叠加直流的磁导率之比均不低于70%。各型磁粉芯在50kHz、50mT条件下的体积损耗均在80mW/cm3以下,而在100kHz、100mT条件下的体积损耗均在700mW/cm3以下。 相似文献
40.
采用射频磁控溅射工艺,制备了一系列 (Fe40Co40B20)1-xNix (x为原子分数)磁性薄膜,研究了样品在微波频段下的电磁性能。结果表明,通过调整Ni含量及合适的工艺参数可有效调控薄膜的微结构和电磁性能,且在(Fe40Co40B20)0.91Ni9薄膜样品中获得了优良的微波性能和高电阻率。其饱和磁化强度4πMs达到2.21 T,复磁导率实部μ'在0.5~3 GHz频率范围内大于195,铁磁共振频率fFMR达到3.16 GHz,电阻率也达到276 μΩ·cm。该薄膜可应用于GHz频段下电磁器件的设计中。 相似文献