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41.
随着科学技术的快速发展,传统的网络技术已不能适应现代技术的发展,这就需要更科学的管理方法,5G无线通信系统便是最好的选择。5G无线通信系统既能使信息迅速传播,又能对问题进行系统分析。为了使5G无线通信系统更好地为公众服务,需掌握关键技术。本文对5G无线通信系统的关键技术进行了分析、阐述。  相似文献   
42.
以对氯溴苯和邻氯硝基苯为原料,经格氏反应、Suzuki偶联、Pd-C催化加氢还原3步反应合成了4'-氯-2-氨基联苯.格氏反应中,优化的反应条件为n(对氯溴苯)∶n(硼酸三甲酯)=1.0∶1.2,反应温度为0℃.Suzuki偶联反应中,优化的反应条件为n(邻氯硝基苯)∶n(4-氯苯硼酸)∶n(PdCl2(PPh3)2)=1.00∶1.10∶0.01,还原反应的较佳反应温度为50℃.在优化的反应条件下,4'-氯-2-氨基联苯的合成总收率≥59.7%(以对氯溴苯计),纯度95.0%;产物结构经IR、1H NMR、MS确证.该工艺简单经济,条件温和,高效环保,适合工业化生产.  相似文献   
43.
主要研究了玻璃轻石对水中亚甲基蓝的吸附性能,研究了吸附平衡时间、酸碱度(pH值)、玻璃轻石的用量、水相中亚甲基蓝的起始浓度等因素对吸附能力的影响.实验结果显示,吸附在60 min内可达到吸附平衡,吸附过程的动力学方程用准二级动力学模型能更好地进行线形拟合,当水体中pH>2时吸附效果最好.水样中亚甲基蓝的起始浓度减少,亚甲基蓝的吸附率略有上升,吸附过程能用弗罗因德利希(Freundlich)吸附等温方程描述.  相似文献   
44.
锡基材料在自然界含量丰富、价格低廉, 在电催化还原CO2制液体燃料反应中具有巨大潜力。但是较低的产物选择性和较差的稳定性限制了其应用。本工作制备的锡量子点电催化剂(Sn-QDs), 具有高效、高稳定性和高选择性的电催化还原CO2产HCOOH活性。Sn-QDs的平均颗粒尺寸仅为2~3 nm, 结晶性良好。小的颗粒尺寸增大了电化学活性面积(ECSA), Sn-QDs的ECSA约为锡颗粒的4.4倍。ECSA增大以及CO2还原反应动力学加速, 促进了CO2电化学转化。在-1.0 V (vs RHE)下, Sn-QDs/CN催化剂的HCOOH法拉第效率(FEHCOOH)达到95%, 并且在宽约0.5 V的电势范围内能够保持在83%以上。此外, Sn-QDs/CN可以在24 h内保持良好的电化学稳定性。  相似文献   
45.
移动边缘云是公司“云+5G”双引擎战略的最佳契合点,边缘网络是发挥移动云“大云”产品和5G网络融合优势,实现云网统筹、构建运营商“连接+计算”核心能力的关键。运营商传统接入网存在云网割裂、分段入云和组网复杂等突出问题,难以适应边缘业务敏捷交付要求。本文通过深入分析边缘云业务特征和技术架构,对标业界主流云商建设实践,研究基于云网PoP网的边缘网络建设思路,创新性提出云网一体化规划设计和建设交付流程变革,基于云网POP统一网络和业务锚点,构建Overlay和Underlay融合双层加速网络架构,探索Spine-leaf化的新型城域接入网实现L3下沉和弹性扩容等方法,实现“云+网+应用”一体化敏捷交付的边缘网络能力。  相似文献   
46.
针对某金矿,在回收金银的基础上,对金银浮选尾矿进行云母和长石浮选,以及提纯石英试验,最终获得SiO2品位99.91%的石英产品。提纯石英产品与比利时矽比科矿业有限公司石英产品进行对比试验,通过化学成分、粒度组成、熔制、粘度和热膨胀系数测试对比试验,得出金矿提纯石英达到甚至超过矽比科进口石英产品的各项技术指标。  相似文献   
47.
针对煤矸石粉替代率50%、聚酯纤维掺量0.4%的沥青混合料,开展盐冻耦合作用(NaCl溶液质量分数为0%、7.0%、13.0%、26.5%,冻融循环次数为0、2、4、6、8)下的半圆弯曲(SCB)试验,分析了盐冻耦合作用对SCB试件内部损伤劣化过程的影响.结果表明:NaCl溶液质量分数为13.0%、冻融循环为8次时,盐冻耦合作用对沥青混合料的侵蚀破坏作用最强,试件内部损伤最严重;在煤矸石粉与矿粉质量比为1∶1、聚酯纤维掺量为0.4%的条件下,沥青混合料能够形成高黏性、致密、厚实的沥青膜以及由纤维形成的三维网状结构,从而显著降低盐冻侵蚀对沥青混合料的损伤.通过Poly2D模型对SCB试件的极限拉应力损伤量进行拟合,拟合系数为0.944.  相似文献   
48.
随着中国移动5G网络的逐步发展,目前已实现城区的5G网络连片覆盖,全网5G用户大规模增长。本文通过对经分数据用户产生的话单,结合用户使用的网络类型,利用成熟的经分平台,实现直接针对用户使用的网络、流量、时长等方面的分析,直观的体现了用户在5G网络的驻留时长占比以及5G网络的流量占比,为网络优化工作提供了重要分析依据。  相似文献   
49.
采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。  相似文献   
50.
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