机顶盒中SI引擎的分析与设计

在对PSI／SI表进行了详细分析的基础上阐述了如何设计通用、高效、可靠、容错、有可扩展性的处理PSI／SI表SI引擎的相关和关键技术。     

AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导瓷显微结构及电性能影响

通过改变低电阻率BaTiO3半导体陶瓷中液相添加剂AST的含量，采用XRD和SEM显微分析方法研究了AST含量对低电阻率，高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷显微结构的影响，研究结果指出，BaTiO3半导体陶瓷中AST的引入量对晶界厚度的控制存在两个临界点，晶界厚度对低电阻率，高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷的显微结构和电性能产生重要影响。     

多晶硅薄膜的两步激光晶化技术

采用两步激光晶化技术获得了多晶硅薄膜，分析计算了激光晶化时薄膜中的温度分布及表面温度与激光功率密度的关系，利用计算结果并优化了激光晶化时的工艺参数，采用该技术制备了性能优良的顶栅多晶硅薄膜晶体管，测量了薄膜晶体管的转移特性与输入输出特性，从多晶硅薄膜的制备工艺上分析了提高薄膜晶体管性能的原因。     

北京同步辐射光电子能谱实验站近期研究概况

随着北京同步辐射光电子能谱实验站持续稳定的开放运行，用户基于该实验站提供的光电子能谱各种实验模式开展了从金属表面界面电子结构到纳米材料、掺杂金属富勒烯以及磁电阻氧化物体系电子结构的研究工作。本中选择部分具有代表性的实验结果进行介绍。     

吸波材料电磁参数频率跟踪逼近优化方法

首先介绍了单层吸波材料的吸波机理，然后提出了一种电磁参数频率跟踪逼近优化方法，并用该方法设计了单层吸波材料，得到了电磁参数的最佳配合下的吸波材料的幅频特征。分析讨论了电磁参数的频散效应对吸波材料的吸波性能的影响，得到了同时考虑电磁参数与频率和吸收剂厚度组合匹配是解决吸波材料优化的根本途径的结论。     

过渡金属氧化物LaFe1-xCrxO3体系的晶体结构和光电子能谱研究

我们在端点化合物LaFeO3中掺入Cr^3 ，制备了LaFe1-xCrxO3体系的系列样品。经XRD分析证明所制备的样品为单相体系，用MarqX程序对XRD数据进行分析得到其晶格常数。分别测定了入射光子能量在Fe2p吸收边以下和以上的O1s芯能级谱。从电子结构角度探讨了该体系晶体结构变化趋势。初步得出结论：随着Cr^3 掺杂量在LaFe1-xCrxO3中的增加，O2p向Cr 3d的电荷转移量也发生有规律的变化。     

一种5阶1位∑-△调制器的设计

提出了一种稳定的5阶∑-△调制器的设计与调试方法.电路采用5阶级联结构,主要用CMOS开关电容技术实现,文章重点放在调制器结构的设计及几种防止系统发散和改进性能的途径上.模拟实验表明,经过改进的系统有较好的性能.     

基于MATLAB的SiC肖特基二极管气体传感器模拟

提出了SiC-SBD气体传感器器件分析模型,利用当前流行的MATLAB强大的计算编程功能,模拟了SiC-SBD气体传感器的电流-电压特性,结果与实验数据吻合很好,较好地解释了Pd-SiC肖特基二极管比较灵敏的原因,并根据模拟结果提出了提高传感器灵敏度的方法。     

非晶态合金应变计的研究与设计

为了开发新型应力测量仪，对利用非晶态合金作为应变计的可行性进行了理论和试验研究。根据研究结果选择了非晶态合金材料，设计了应变计结构，推导出了这种应变计的测量电压输出方程，并进行了初步的可行性试验。试验结果显示，这种应变计有较高的测量精度，具有推广使用的价值。     

金属诱导晶化的实时电阻测量与监控

采用实时电阻测量方法实现了金属镍诱导晶化制备多晶硅薄膜的实时监控,实验中使用了两种样品,一种采用电场增强侧向晶化;另一种采用金属诱导侧向晶化.结果表明薄膜电阻值在高温下随晶化时间呈指数衰减,且具有很强的温度依赖关系.采用晶粒边界势垒模型解释了阻值衰减行为,分析计算了两种样品的阻值衰减规律.电场增强方式的时间常数比非电场增强方式小,表明加电场有促进晶化的作用.实时电阻测量方法可以用于金属诱导晶化动力学的研究,是一种简单实用的实时监控手段.