20种传统中药材对米曲霉生长和淀粉水解能力的影响

为探究传统中药材对微生物代谢的作用规律,用水、乙醇和乙醚三种溶剂分别提取20种传统中药材,对其主要成分进行含量测定,并将提取液用于米曲霉（Aspergillus oryzae）的生长测试。结果显示,黄精、枸杞和杏仁的3种提取液均可增加菌落直径和透明圈直径指标,具有促进米曲霉生长和提高米曲霉水解淀粉的能力;木香、石菖蒲和当归的乙醇和乙醚提取液可增加透明圈直径/菌落直径（H/C值）,较空白组分别提高了89.82%、85.03%和53.89%,对米曲霉淀粉水解能力有明显促进作用。对于各药材主要化学成分与生长指标的统计分析结果显示,药材中的皂苷类成分是提高米曲霉淀粉水解能力的关键因素。     

不同窖龄窖泥中放线菌的荧光定量PCR研究

放线菌在浓香型白酒生产的发酵窖泥中普遍存在。为了探究不同窖龄窖泥中放线菌的变化规律,选取了两个知名酒厂窖龄分别为5年、20年、50年和1年、20年、50年的窖泥样品,并通过荧光定量PCR方法定量检测窖泥中放线菌的原始Copies数。结果表明,同一酒厂相同窖龄的不同窖池窖泥中,放线菌数量较为接近。随着窖泥窖龄的增加,放线菌的Copies数随之增加。研究结果为进一步揭示窖泥微生物变化规律以及判断窖泥的老熟程度提供了相关依据。     

传统酿酒制曲应用中药材的规律及其现代意义探讨

中药材在传统制曲中有着长期和广泛的应用。从传统酿造制曲文献资料出发,结合现代理论技术,分析探讨了传统制曲运用中药材规律以及其在现代纯种制曲中的意义。分析结果显示,传统制曲中使用频率较高的药材为杏仁、辣蓼和苍耳;所添加药材的特征以温性、甘、苦、辛味的偏多,推测所添加药材主要与制曲过程抑制杂菌的作用有关。现代纯种制曲方式下,抑制杂菌的意义相对弱化,但药材在制曲中所体现的功效作用更值得关注。在文献分析的基础上,选用的6种中药材杏仁、茯苓、胡椒、辣蓼、生姜和苍耳的纯种米曲制备试验结果显示:与空白对照相比,添加杏仁、胡椒和苍耳等3种药材所制得的纯种米曲药曲在糖化力、液化力和总酸等几项主要指标上均有较大提升,有利于提高其在酿酒方面作为糖化剂的性能。     

不同酱油米曲霉制曲过程中的酶活变化分析

米曲霉是酱油酿造过程中的关键微生物,其蛋白酶活的高低及其它酶系的健全程度直接影响到酱油产率及品质的高低。研究对国内外三种优良酱油生产米曲霉菌株的制曲性能进行研究,分析了中性蛋白酶、酸性蛋白酶、淀粉酶、纤维素酶和果胶酶等重要酶系的酶活力变化趋势。结果表明:沪酿3.042的中性蛋白酶活高于RB-A,RB-C;而RB-C在其它酶系方面则具有更高的活力。其中,沪酿3.042、米曲霉RB-A在制曲39h时酶活力最高,米曲霉RB-C在制曲42h时酶活力最高。研究对米曲霉制曲时间的控制具有一定的指导意义。     

多种中药材制作纯种药曲的性能比较及优化研究

将21种中药材分别用于制作纯种药曲,通过对其糖化力、液化力等性能指标进行对比,筛选出制曲效果最佳的3种药材:西洋参、黄芪、红景天。确定和优化了其最佳添加方式及添加量范围,即西洋参粉0.2%~0.4%、黄芪粉0.1%~0.4%、红景天汁0.1%~0.4%。     

Cu/,Ni/4H-SiC Schottky势垒的退火研究

采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.研究结果表明,对Cu,Ni金属,适当的退火温度能提高其与4H-SiC所形成的Schottky势垒高度,改善理想因子,但若退火温度过高,则会导致接触的整流特性退化.器件在退火前后,反向漏电流都较小.热电子发射是其主要的输运机理.所制备的金属半导体接触界面比较理想,无强烈费米能级钉扎.     

不同退火温度下金属/4H-SiC Schottky势垒高度的研究

采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响.通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子.在反向偏压100V下,样品的反向漏电流小于10-10A,说明样品的反向特性良好.样品经过不同温度的退火后,发现Cu、Ni与4H-SiC的势垒高度(SBH)随退火温度的升高而提高,超过某一温度,其整流特性变差;Ag、Cr的SBH在退火后降低.SBH与金属功函数呈线性关系(Cr金属除外),斜率为0.11.     

自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究

在GaAs(100)的衬底上，采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2．5ML的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察，证实已在InAs层中形成量子点。采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比，分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程，较好地解释了实验结果。     

4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究

分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压（C-V）特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷。结果表明：由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频（1 MHz）C-V特性几乎不随反向偏压变化,随着温度升高,被热离化的自由载流子数量增多导致高频结电容随之增大;探测器的低频（100 kHz）结电容比高频结电容具有更强的电压和温度依赖性,原因在于被深能级缺陷俘获的载流子随反向偏压增大或随温度升高而被离化,从而对结电容产生影响。     

InGaAs/GaAs量子阱中自组装InAs量子点的光学性质

在InGaAs/GaAs量子阱中生长了两组InAs量子点样品,用扫描电子显微镜(SEM)测量发现,量子点呈棱状结构,而不是通常的金字塔结构,这是由多层结构的应力传递及InGaAs应变层的各向异性引起的.采用变温光致发光谱(TDPL)和时间分辨谱(TRPL)研究了其光致发光稳态和瞬态特性.研究发现,InGaAs量子阱层可以有效地缓冲InAs量子点中的应变,提高量子点的生长质量,可以在室温下探测到较强的发光峰.在量子阱中生长量子点可以获得室温下1 318 nm的发光,并且使其PL谱的半高宽减小到25 meV.