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41.
建筑的千姿百态,反映了功能的复杂化、理念的复杂化.本文在各类建筑的排列与对比中,从其功能差异入手,展示各种建筑背后所折射的政治、经济、历史、文化内涵. 相似文献
42.
通过对梅塞德斯-奔驰博物馆新馆方案的诞生过程、设计构思、整体结构、环境规划、材料运用以及建筑师的介绍与分析,力图描述一个完整的全新博物馆概念,并探讨当代建筑学发展在计算机虚拟技术的影响下所面临的若干问题。 相似文献
43.
44.
大型土木工程结构中,材料的腐蚀对其结构耐久性具有很大的影响,因而正确分析和认识材料腐蚀的原因至关重要。尤其对于地铁隧道这种特殊地下工程的耐久性能更为重要,针对地铁隧道的杂散电流腐蚀问题,对钢纤维混凝土结构进行了杂散电流腐蚀试验,根据钢筋混凝土腐蚀破坏和钢纤维混凝土腐蚀破坏的等效原理,建立了钢纤维混凝土结构在杂散电流腐蚀作用下结构破坏的预测模型。 相似文献
45.
以硅杂吖啶为给体基团,经格氏偶联、Suzuki偶联和Buchwald-Hartwig偶联合成了一种热活化延迟荧光材料5-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基)苯基)-10,10-二苯基-5,10-二氢硅杂吖啶(DTPDDA)。优化了合成工艺,并对其结构、热稳定性、光学性能进行表征。结果表明,DTPDDA热分解温度378.93℃,玻璃化转变温度320.75℃,具有较高的热稳定性;同时,DTPDDA具有强发光性能,λmax为456nm,是一种蓝光TADF材料。 相似文献
48.
49.
新型地铁杂散电流自动监测系统 总被引:1,自引:0,他引:1
1 地铁杂散电流的产生与危害1.1 产生地铁列车采用直流牵引,通过架空接触线或第三轨受电,利用走行轨作回流线,列车牵引电流沿回流钢轨流回牵引变电所时在回流钢轨上产生电压降,使回流钢轨与大地之间产生电位差而引发泄漏电流,从而导致杂散电流产生。1.2 危害杂散电流对地铁土建结构钢筋,设备金属外壳及地下金属管线会产生化学腐蚀,杂散电流自钢轨 相似文献
50.
驱动回路参数对碳化硅MOSFET开关瞬态过程的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在电力电子系统中,碳化硅(Si C)MOSFET的开关特性易受系统杂散参数的影响,表现为电磁能量脉冲形态属性的非理想特性,并进一步影响系统效率和可靠性。针对Si C MOSFET,首先分析控制脉冲、驱动脉冲及电磁能量脉冲三者间形态属性的关系,提取影响Si C MOSFET开关瞬态过程的关键参数,即开关过程中的dv/dt和di/dt。基于Si C MOSFET的开关过程,分析驱动回路参数对dv/dt和di/dt的影响,并通过PSpice仿真及搭建Si C MOSFET双脉冲测试实验平台进行分析和比较。在此基础上,对基于驱动回路参数的瞬态控制方法进行对比分析,为实际应用中对Si C MOSFET的开关特性改善提供重要的理论基础。 相似文献