微波线性相位环状微带滤波器

介绍了一种结构新颖、插入损耗小,且具有优异线性相位的环状微带线滤波器。该滤波器采用数个环形谐振器平行耦合,而输入输出馈线与环形谐振器之间采用直接耦合。文中列举了中心频率为8.6GHz的三环、四环和五环三种不同的滤波器,并对其进行了仿真模拟和结果比较。     

0.18μm混合信号RFCMOS工艺中新型低触发电压双向SCR静电防护器件的设计

提出了一类新型片上SCR静电放电防护器件,此类器件用于保护芯片双向抗击静电应力.比较和分析了四种双向SCR器件的触发电压.其中采用嵌入pMOS管或nMOS管的双向SCR器件结构具有可调触发电压,低漏电流(～pA)和开启速度快的骤回Ⅰ-Ⅴ特性,并且没有闭锁问题.该器件的抗ESD能力可达～94V/μm.此类新型ESD防护器件具有面积小、寄生效应小的特点.     

用于高压ESD保护的LDMOS中触发电压退化效应的研究

The trigger voltage walkin effect has been investigated by designing two different laterally diffused metal-oxide-semiconductor （LDMOS） transistors with an embedded silicon controlled rectifier （SCR）. By inserting a P＋ implant region along the outer and the inner boundary of the N＋ region at the drain side of a conventional LDMOS transistor, we fabricate the LDMOS-SCR and the SCR-LDMOS devices with a different triggering order in a 0.5/zm bipolar-CMOS-DMOS process, respectively. First, we perform transmission line pulse （TLP） and DC-voltage degradation tests on the LDMOS-SCR. Results show that the trigger voltage walk-in effect can be attributed to the gate oxide trap generation and charge trapping. Then, we perform TLP tests on the SCR-LDMOS. Results indicate that the trigger voltage walk-in effect is remarkably reduced. In the SCR-LDMOS, the embedded SCR is triggered earlier than the LDMOS, and the ESD current is mainly discharged by the parasitic SCR structure. The electric potential between the drain and the gate decreases significantly after snapback, leading to decreased impact ionization rates and thus reduced trap generation and charge trapping. Finally, the above explanation of the different trigger voltage walk-in behavior in LDMOS-SCR and SCR-LDMOS devices is confirmed by TCAD simulation.     

纳米碳管的制备及生长机理的研究进展

纳米碳管的研究是纳米材料研究的一个新领域，综述了纳米碳管的研究发展，主要是纳米碳管的制备及生长机理方面的新进展。     

新型纳米材料——纳米碳管

纳米碳管是一种新型的纳米材料，其独特的分子结构和性能引起了人们的广泛关注。本文从材料科学的角度简要介绍了纳米碳管的发现、发展、制备方法、分子结构以及在材料领域的广泛应用和重大意义。     

不同栅压下NMOS器件的静电防护性能

针对金属硅化物亚微米工艺,研究当静电自保护输出驱动中NMOS器件的栅极处于不确定电压时的静电防护能力.在0.35μmCMOS工艺下,设计不同尺寸的NMOS静电防护器件,采用传输线脉冲(TLP)测试系统测量NMOS器件在不同栅压下的电流-电压曲线.借助半导体器件仿真软件ISE-TCAD对器件进行瞬态仿真,得出在不同栅压下的电场强度分布.分析表明,栅压使得电流更趋于表面流动而降低NMOS静电防护器件的二次击穿电流.在设计回跳型栅极耦合NMOS静电防护器件时,辅助触发电路的RC时间常数应该控制在50ns左右.     

柔性声表面波器件的波模式分析

用反应磁控溅射法在柔性聚酰亚胺衬底上沉积了ZnO压电薄膜,并制备了基于ZnO压电薄膜的柔性声表面波(SAW)器件。制备的柔性SAW器件显示了良好的谐振性能,而且展现出两个波模式:模式0和模式1。当波长为32μm,ZnO厚度为4μm时,SAW器件的模式0和模式1的谐振频率分别为34.4MHz和158.5MHz,对应声速为1 100.8m/s和5 072m/s。模式0为已知的瑞利波,模式1为新的高频模式。沉积了不同厚度的ZnO薄膜制备柔性SAW器件,进一步分析了薄膜厚度对SAW器件和模式1的影响。分析认为该高频模式不是传统硬质衬底上SAW器件产生的Sezawa波,而是S_0兰姆波,并且是有衬底情况下的S_0兰姆波。文中还采用Comsol仿真分析了新的高频模式1的粒子振动位移,结果和S_0兰姆波粒子振动位移一致,从而验证了其为广义兰姆波的正确性。     

电磁屏蔽层设计及其磁控溅射制备的研究

通过传输线模型推导出多层无限大平板的屏蔽效能的计算公式,并根据公式设计了双层屏蔽层,通过多靶直流溅射制备了多种金属屏蔽膜.研究结果表明衰减损耗是各层屏蔽效果线性相加的结果,反射损耗与各层相对位置关系无关,层数多或各屏蔽层的反射越大,则屏蔽效果越好.采用Cu/1Cr18Ni9Ti的金属屏蔽层结构,可获得良好的屏蔽效能及耐候性,单纯用表面阻抗来评估多层金属膜的电磁屏蔽效果并不合适.     

射频反应磁控溅射制备低辐射薄膜

采用射频反应磁控溅射法制备了低辐射薄膜.对低辐射膜的薄膜结构的设计和测试结果表明：较合适的膜层结构是空气/二氧化钛/钛/银/二氧化钛/玻璃基片的多层结构.用扫描电镜分析了保护层钛层的作用,研究表明：银膜很容易氧化失效,失去反射红外紫外光作用,在表面镀覆钛保护层可以很好地保护银,避免银氧化,从而提高使用寿命.用分光光度计测试样品的透射率,当保护层钛层厚度为1 nm时,相应的膜系在可见光区（380 nm～780 nm）,最高透射率可达82.4%,平均透射率是75%;在近红外区（780 nm～2500 nm）的平均透射率为16.2%,可以满足建筑物幕墙玻璃等低辐射膜的要求.     

射频反应溅射制备AlN薄膜的研究

采用射频反应磁控溅射制备了高C轴取向的AlN薄膜.在分析Berg迟滞模型的基础上,提出并实现了一种以氮气流量控制反应进程、以阴极电压标识反应进程的高速沉积c轴择优取向AlN薄膜的工艺方法.采用此种方法制备的AlN薄膜,在20W/cm2射频功率密度的情况下沉积速率达到2.3μm/h,远高于有关研究报道数据,获得的AlN薄膜(002)面X-射线衍射峰半高宽仅为0.3°,显示出薄膜具有良好的择优取向.