0.18μm混合信号RFCMOS工艺中新型低触发电压双向SCR静电防护器件的设计

提出了一类新型片上SCR静电放电防护器件,此类器件用于保护芯片双向抗击静电应力.比较和分析了四种双向SCR器件的触发电压.其中采用嵌入pMOS管或nMOS管的双向SCR器件结构具有可调触发电压,低漏电流（~pA）和开启速度快的骤回I-V特性,并且没有闩锁问题.该器件的抗ESD能力可达~94V/μm.此类新型ESD防护器件具有面积小、寄生效应小的特点.     

65nm CMOS工艺下新型静电防护衬底改造GGNMOS

为实现纳米集成电路上(On-Chip)的静电(ESD)防护,有效保护脆弱的栅氧,基于65 nm CMOS工艺,提出使用增大衬底电阻技术以及电源轨控制辅助PMOS提供额外触发电流技术的新型衬底改造GGNMOS.测试结果表明,与传统GGNMOS结构相比,新型结构具有低触发电压(3V)以及更高的失效电流(增加23.5％)等优点.     

横横式压电变压器的理论建模

与传统的电磁变压器相比,压电变压器具有高升压、无电磁污染等特点。由于压电变压器的工作原理复杂,除了Rosen型压电变压器,对于其他压电变压器的理论研究较少。对一种驱动部分以及发电部分都是横场模式的横横式压电变压器进行了理论研究。从Mosen等效电路出发,利用泰勒展开,建立了能反映压电变压器实际工作情况的集总式等效电路图;并在此基础上,给出了一种只用机械品质因数Qm、电学品质因数Qe及机电耦合系数k三个量来表征变压器电学性能的方法。由于Qm、Qe、k的测量方法早已标准化,尺寸、负载对变压器的影响可归结为Qe对电学性能的函数,因此有望简化设计过程。     

新型纳米材料——纳米碳管

纳米碳管是一种新型的纳米材料，其独特的分子结构和性能引起了人们的广泛关注。本文从材料学的角度简要介绍了纳米碳管的发现，发展，制备方法，分子结构以及在材料领域的广泛应用和重大意义。     

新型VBO接口芯片静电放电防护器件

为了改进VBO接口电路静电放电（ESD）防护器件性能,提出2种新的ESD防护器件：栅二极管与面积效率二极管触发可控硅整流器（SCR）. 采用SMIC 40 nm CMOS工艺与SMIC 28 nm PS CMOS工艺制备传统二极管、栅二极管、面积效率SCR;通过半导体工艺及器件模拟工具（TCAD）进行仿真,分析电流密度;通过传输线脉冲测试（TLP）方法,测试不同结构ESD防护器件的Ⅰ-Ⅴ特性. 栅二极管的ESD鲁棒性为19.7 mA/μm,导通电阻为1.28 Ω,相较于传统二极管降低了38.8%. 面积效率二极管触发SCR触发电压为1.82 V,鲁棒性为48.1 mA/μm,相较于传统二极管提升了174.8%. 测试结果表明,栅二极管与ASCR和传统ESD器件相比,性能有极大的提升,适合用作VBO接口芯片的ESD防护.     

射频溅射制备镁钙微波陶瓷薄膜的研究

制备了膜层质量良好的镁钙微波介质陶瓷(MCT)薄膜.采用高密度等离子体射频溅射法在(110)二氧化硅上沉积了MCT陶瓷薄膜.研究结果表明: 薄膜态MCT陶瓷具有和块状材料相近的微波介电特性,MCT薄膜的介电常数在20左右,品质因子在23THz左右;溅射气体的氩氧混合体积比会明显影响薄膜膜层质量及其介电特性,氧分压的变化改变了八面体C轴长度,使晶格畸变和八面体向四面体转变;溅射功率和退火工艺温度也会影响薄膜质量.     

微扰和标定技术测量薄膜微波介电常数

提出了一种测量介质薄膜微波段介电常数的方法.该方法基于金属空腔谐振器微扰理论,用已知介电常数的基片作为标样,标定测量系统的有关参数,然后分别测量空腔、基片插入空腔、镀有介质薄膜的基片插入空腔三种情况下的谐振腔谐振频率,计算出镀覆于基片上介质薄膜的微波复介电常数.本文SiO2和MgTiO3-CaTiO3(MCT)介质陶瓷薄膜作了实验测量验证,结果表明该方法具有良好的测量精度(小于6%).     

薄膜声体波谐振器的电磁场建模与仿真

为了模拟薄膜声体波谐振器（FBAR）的电磁场(EM)分布特性，提出了一种新的FBAR建模方法.该方法从基本的一维弹性压电方程和三维麦克斯韦尔方程出发，结合电极与压电薄膜交界处机械应力与机械位移连续的边界条件，推导出了FBAR等效复介电常数的严格解.将电磁场和声场等效到一个复介电常数中，用等效复介电常数的形式来包含电声效应.并基于有限元方法对FBAR全波段进行了仿真.结果表明，该方法的仿真结果与实测数据基本一致，具有很好的准确性.与传统的电路模型比较，由该方法得到的模型能够实现场的不连续仿真和FBAR的电磁场分布与压电效应的实时仿真.     

压电变压器外围电路的最新研究进展

压电变压器的外围电路也应突出无电磁污染、易小型化等特点,详细介绍了外围驱动电路和反馈控制电路。列举并分析了不同驱动电路和反馈控制电路的设计原理和工作特点,并对未来外围电路的发展做了简单的预测。     

催化热分解法制备纳米碳管的研究

催化热分解碳氢化合物法是常见的制各纳米碳管的方法。本文以钴为催化剂、C2H2为碳源,制备出了纳米碳管。通过对该工艺较深入的研究,得到了较好的工艺过程,并对工艺参数对纳米碳等制备的影响作了探讨。