薄膜声体波谐振器(FBAR)的研究进展

综述了国内外FBAR技术的研究现状和进展。分析了基于空气腔和布拉格反射层两种主流FBAR的结构、工作原理和建模方法。阐述了适用于FBAR的压电薄膜材料、电极材料以及布拉格反射层材料的选择。并介绍了作为FBAR主要应用的射频滤波器和双工器的拓扑结构和设计方法,以及制备FBAR器件时需克服的关键技术等问题。     

纳米集成电路的静电放电防护

综述了纳米集成电路片上(On-Chip)静电放电防护(ESD)的研究现状;结合自身流片数据,阐述其ESD防护机理和设计要点。从器件ESD防护机理入手,逐步深入分析阐述了纳米集成电路的新特征、纳米器件的失效机制以及基于体硅CMOS工艺和SOI工艺的基本ESD防护器件。在此基础上,对纳米集成电路ESD主要热击穿失效的热量产生机制、热耗散问题,以及边界热电阻对ESD防护带来的影响进行了分析,提出了利用纵向散热路径和工艺整合方案来提高纳米集成电路中ESD防护器件鲁棒性的有效措施。     

一种带有升压电路的0.5V 3GHz低功耗LC VCO设计

采用标准的0.13μm CMOS工艺实现了0.5V电源电压,3GHz LC压控振荡器。为了适应低电压工作,并实现低相位噪声,该压控振荡器采用了NMOS差分对的电压偏置振荡器结构,去除尾电流,以尾电感代替,采用感性压控端,增加升压电路结构使变容管的一端升压,这样控制电压变化范围得到扩展。测试结果显示,当电源电压为0.5V,振荡频率为3.126GHz时,在相位噪声为-113.83dBc/Hz@1MHz,调谐范围为12%,核心电路功耗仅1.765mW,该振荡器的归一化品质因数可达-186.2dB,芯片面积为0.96mm×0.9mm。     

铁氧体磁芯的磁控溅射金属化工艺的研究

铁氧体贴片电感要求金属化薄膜具有高的抗拉强度和高温焊接性,传统金属化工艺不能满足要求.本文采用磁控溅射技术对铁氧体电感磁芯进行金属化,研究了不同金属膜系以及不同工艺对薄膜抗拉强度和高温焊接性能的影响,结果表明磁控溅射金属化在抗拉强度及耐焊性方面明显优于电镀和蒸发,结合强度高达70N以上.推荐膜层结构是Cr/NiCu/Ag,其中NiCu厚度150～200 nm较宜.金属化膜焊接情况较符合凝固模型,金属间化合物会降低焊接性和抗拉强度,但是可以起到阻挡作用.更好的相结构是形成固溶体组织,并设计膜层结构来防止反浸蚀.该技术已经成功应用于国内最大铁氧体贴片电感厂的规模化生产中.     

薄膜材料的微波复介电常数测量

为了精确测量厚度在以1 μm以下薄膜材料的微波复介电常数,提出一种基于金属谐振腔微扰理论的测量方法和装置,对该方法进行了理论分析和实验验证,实验样品采用0.81μm厚度的MC-91(BaO-(SmNdLa)2O3-Bi2O3-TiO2)介质陶瓷薄膜,测试频率在2.4 GHz左右,对测量结果进行了误差分析,其相对误差＜7%,其中3%的误差是由薄膜厚度的测量误差引起的.     

压电变压器研究的最新进展

从基本物理原理入手,介绍了压电变压器的工作机理;列出了典型的压电变压器,结合器件设计方法,详细分析了不同压电变压器的特点和使用领域。在此基础上,提出微型压电变压器这一发展方向,并简单分析了所面临的问题。     

对提高交换设备网络接通率的分析

本文主要分析了交换机系统数据、网络参数及硬件故障等主要影响网络接通率的因素 ,并结合C &C08交换机 ,针对性提出了解决问题有效途径     

纳米碳管制备的研究

采用直流电弧法和催化热分解法制备出了纳米碳管，并对这两种方法的工艺进行了初步的探讨，获得了工艺流程和工艺参数。通过实验表明催化热分解法比直流电弧法长出的纳米碳管质量好，产率高，较适于工业化生产。     

工业用巨型磁控溅射靶电源反馈控制的研究

磁控溅射技术在薄膜制备领域的应用十分广泛，而溅射靶电流的稳定性极大的影响溅射镀膜的膜层质量。本文对于工业用巨型磁控溅射靶电流的不稳定因素进行了分析，设计并实现了靶电压的反馈控制系统，大大改善靶电压与反应气体流量之间的迟滞回线，增强了靶电压的可控制性，并在实际生产中得到成功应用。     

基于磁控溅射技术的电磁屏蔽层研究

为了解决电子系统塑料机盒的抗EMI问题,提出了一种采用多靶磁控溅射技术对塑料内表面进行金属化的新环保工艺,利用屏蔽效能对电磁兼容性作了理论分析,并对金属化层的膜系结构、溅射工艺、附着强度等作了较为深入的研究.研究结果表明:衰减损耗是各层屏蔽效果线性相加的结果;反射损耗与各层相对位置关系无关;层数多或各屏蔽层的反射越大,则屏蔽效果越好.试验表明:采用Cu/1Cr18Ni9Ti的金属屏蔽层结构,可以获得良好的屏蔽效能及耐候性,其中500nm Cu 100nm 1Cr18Ni9Ti较宜.