低辐射薄膜的研究进展

低辐射薄膜(Low-E Film)发展了20多年,它的高可见光透射率和高红外紫外光的反射率被应用在很多领域.低辐射薄膜一般由在线法和离线法制备,所得结构不同,性能也有较多差异.时低辐射薄膜的制备方法、性能,以及最新研究进展和应用进行了综述,并对2种类型的低辐射薄膜进行了比较.     

不同基片对溅射制备MgTiO3-CaTiO3薄膜的影响

微波介质器件的薄膜化已经成为微波器件的一个研究热点,本文从微波介质陶瓷薄膜化角度在不同低介电常数的介质衬底上溅射制备了MCT陶瓷薄膜,实验结果表明:(110)晶面的单晶SiO2片上的可以在较低温度(610℃)下获得良好结晶情况,介电特性可以和块状材料的多晶MCT陶瓷薄膜相媲美.随着衬底温度升高,薄膜晶体结构逐步由游离MgO向微晶MCT、多晶MCT到粗大的柱状晶MCT变化.较好沉积温度是610℃～650℃.     

无线无源声表面波传感器研究进展

声表面波（SAW）传感器是一种无线无源传感器,在无源传感、适应恶劣环境等许多方面具有普通传感器不能实现的优点.阐述了声表面波器件的原理和结构特点,并对射频信号收发、信息处理等关键技术进行详细论述,综述了近些年国内外的相关研究现状,并进行了总结与展望.     

巴基管增强铜基复合材料的磨损性能研究

对催化热分解法制备的巴基管进行表面预处理化学镀、巴基管增强铜基复合材料粉末冶金法制备工艺作了的研究。对制备的复合材料的磨损试验表明 :磨损过程存在磨台阶段和稳态磨损阶段。最后对主要因素对磨损的影响作了研究 ,并与一般碳纤维材料进行了对比试验 ,表明巴基管具有良好的抗磨性     

粉末冶金法制备纳米碳管增强铜基复合材料的研究

用化学镀在纳米碳管表面镀覆了铜及镍,并用粉末冶金法制备纳米碳管增强铜基复合材料,研究了制备工艺的有关参数对其性能的影响．结果表明：不同的工艺参数对复合材料的性能有不同影响,相对其它参数,纳米碳管体积分数显著影响复合材料的综合性能．纳米碳管体积含量在12％左右时,复合材料的致密度和硬度达到较好综合值。     

基于ZnO/Si结构的声表面波器件设计研究

微机电系统(MEMS)工艺已被广泛用于制造各种硅基薄膜器件.声表面波(SAW)器件是性能优良的MEMS器件.该文利用多物理耦合场软件COMSOL Multiphysics仿真了氧化锌/硅(ZnO/Si)结构SAW谐振器,并得到其S11参数.对应于仿真,该文制造了该种结构的SAW器件.实验所用的ZnO通过射频磁控溅射制备,所制备的ZnO具有良好的(002)取向.实验测得的ZnO/Si结构SAW器件的中心频率为111.6 MHz,与仿真结构接近.     

用于声表面波高温传感应变传递的过渡层薄膜

声表面波(SAW)器件广泛应用于极端环境传感,硅酸镓镧(LGS)是常用高温压电晶体,但高温下应变胶因结合力导致应变传递效果不佳。该文研究了高温环境下应变传感的过渡层薄膜技术,提出了一种新的过渡层薄膜解决方案及其工艺技术,可实现高温应变胶水传递应变更稳定的效果。结果表明,采用溅射Al再氧化可显著提升LGS与高温胶的结合力,从而实现很好的应变传递,使用这种过渡层实现了500 ℃下超大量程(1 000 με)测量。     

LDMOS器件软失效分析及优化设计

横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件在高压静电放电(ESD)防护过程中易因软失效而降低ESD鲁棒性。基于0.25μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺分析了LDMOS器件发生软失效的物理机理,并提出了增强ESD鲁棒性的版图优化方法。首先制备了含N型轻掺杂漏版图的LDMOS器件,传输线脉冲(TLP)测试表明,器件在ESD应力下触发后一旦回滞即发生软失效,漏电流从2.19×10-9 A缓慢增至7.70×10-8 A。接着,对LDMOS器件内部电流密度、空间电荷及电场的分布进行了仿真,通过对比发现电场诱导的体穿通是引起软失效及漏电流增大的主要原因。最后,用深注入的N阱替代N型轻掺杂漏版图制备了LDMOS器件,TLP测试和仿真结果均表明,抑制的体穿通能有效削弱软失效,使其适用于高压功率集成电路的ESD防护。     

2.4GHz低噪声放大器的全芯片ESD保护设计

设计并流片验证了一种0.18μmRFCMOS工艺的2.4GHz低噪声放大器的全芯片静电放电(ESD)保护方案。对于射频(RF)I/O口的ESD防护,主要对比了二极管、可控硅(SCR)以及不同版图的互补型SCR,经流片与测试,发现岛屿状互补型SCR对I/O端口具有很好的ESD防护综合性能。对于电源口的ESD防护,主要研究了不同触发方式的ESD保护结构,结果表明,RCMOS触发SCR结构(RCMOS-SCR)具有良好的ESD鲁棒性和开启速度。基于上述结构的全芯片ESD保护设计,RF I/O口采用岛屿状布局的互补SCR结构的ESD防护设计,该ESD防护电路引入0.16dB的噪声系数和176fF的寄生电容,在人体模型(HBM)下防护能力可达6kV;电源口采用了RCMOS-SCR,实现了5kV HBM的ESD保护能力,该设计方案已经在有关企业得到应用。     

纳米碳管增强铜基复合材料的力学性能和物理性能

制备了纳米碳管增强铜基复合材料,研究了材料的一些重要力学和物理性能.结果表明:复合材料中纳米碳管的分布较均匀,其最佳体积分数为12%～15%.材料的断裂以纳米碳管的拔出和桥接为主,磨损主要是氧化磨损.热膨胀系数αc约为9.36×10-6/℃,存在加热-冷却膨胀曲线滞后现象.材料的电阻率约为2.7×10-6Ω·cm,孔隙率是电阻率的重要影响因素.