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41.
目的 高光谱图像波段数目巨大,导致在解译及分类过程中出现“维数灾难”的现象。针对该问题,在K-means聚类算法基础上,考虑各个波段对不同聚类的重要程度,同时顾及类间信息,提出一种基于熵加权K-means全局信息聚类的高光谱图像分类算法。方法 首先,引入波段权重,用来刻画各个波段对不同聚类的重要程度,并定义熵信息测度表达该权重。其次,为避免局部最优聚类,引入类间距离测度实现全局最优聚类。最后,将上述两类测度引入K-means聚类目标函数,通过最小化目标函数得到最优分类结果。结果 为了验证提出的高光谱图像分类方法的有效性,对Salinas高光谱图像和Pavia University高光谱图像标准图中的地物类别根据其光谱反射率差异程度进行合并,将合并后的标准图作为新的标准分类图。分别采用本文算法和传统K-means算法对Salinas高光谱图像和Pavia University高光谱图像进行实验,并定性、定量地评价和分析了实验结果。对于图像中合并后的地物类别,光谱反射率差异程度大,从视觉上看,本文算法较传统K-means算法有更好的分类结果;从分类精度看,本文算法的总精度分别为92.20%和82.96%, K-means算法的总精度分别为83.39%和67.06%,较K-means算法增长8.81%和15.9%。结论 提出一种基于熵加权K-means全局信息聚类的高光谱图像分类算法,实验结果表明,本文算法对高光谱图像中具有不同光谱反射率差异程度的各类地物目标均能取得很好的分类结果。 相似文献
43.
雷达分选是雷达信号处理中的重要环节。为了解决从复杂电磁环境中准确分选出各个雷达信号的难题,提出一种新的基于网格密度峰值的数据流聚类算法,并将其应用于对雷达信号脉冲描述的实时聚类,从而进行雷达分选。该算法采用双重网格划分方式,解决传统基于网格的聚类算法中边界丢失的问题,并采用基于改进密度峰值的网格合并方式进行聚类避免将距离较近的类合并。仿真实验结果表明,该算法可以用于实时雷达分选,很好地处理了重叠严重的雷达信号,有较高的准确度和抗干扰能力。 相似文献
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通过扫描电镜、霍普金森压杆和拉伸试验机等仪器研究了不同温度淬火高碳硅锰钢的组织、变形程度和动态力学性能。研究表明,随淬火温度提高,试验钢中残留碳化物数量减少,在880 ℃时,试验钢的残留碳化物全部溶解。动态力学试验后,880 ℃淬火试样因残留碳化物固溶,动态强度增幅较小,对应变速率不敏感,由均匀变形转为破碎。绝热剪切带内和远离绝热剪切带的区域均存在孔洞,远离剪切带区域的孔洞无序分布,且伴随有均匀分布的碳化物。靠近绝热剪切带区域的碳化物存在分布不均匀的情况,且绝热剪切带内部的孔洞沿着热量传播方向扩展,形成沿剪切带分布的裂纹。 相似文献
48.
目的:研究阿片μ受体对雄性睾酮的影响和外周机制。方法:通过在体动物模型的睾丸内吗啡注射和离体培养睾丸组织的特异性μ受体拮抗剂和激动剂处理,检测血浆、培养基和睾丸匀浆睾酮水平、睾丸匀浆睾酮合成酶mRNA水平、睾丸匀浆胰岛素样生长因子1(IGF1)蛋白和mRNA表达水平。结果:睾丸内注射吗啡后血清睾酮水平下降[(722.11±121.02)vs. (346.91±75.31) pg/mL;t=7.898,P=0.001],睾丸匀浆中的睾酮水平下降[(133.61±16.82)vs. (66.56±14.96) pg/mg总蛋白;t=8.941,P=0.001],同时下调睾酮合成酶的表达;吗啡睾丸内注射显著降低睾丸内IGF1蛋白[(7.93±2.13)vs. (2.54±0.74) ng/mg总蛋白,t=7.155,P=0.001]和mRNA[(3.22±1.12) vs. (1.66±0.55),t=3.751,P=0.001]的表达。睾丸体外培养模型中阿片μ受体特异性的激动剂(DAMGO)下调培养基的睾酮水平及睾丸匀浆合成酶、IGF1的表达;阿片μ受体抑制剂(CTOP)则上调睾酮水平及合成酶、IGF1的表达。结论:阿片类药物作用于睾丸Sertoli细胞(支持细胞)表面的阿片μ受体,抑制IGF1的合成,进而减少睾丸Leydig细胞(间质细胞)睾酮合成酶Scarb1(清道夫受体B1)、Star(类固醇合成快速调节蛋白)、3βHsd(3-羟基-5类固醇脱氢酶)、Cyp17α1(17α-羟化酶)和17βHsd(17β羟基固醇脱氢酶)的表达,最终导致睾酮合成减少。 相似文献
49.
小冲杆试验方法以其所需测试样品尺寸小而带来的样品感生放射性小等优势,越来越多地应用于核材料力学性能评价领域。本文设计了一套利用光栅尺直接测量样品变形的小冲杆试验装置,较传统装置精度有明显提高。利用该套装置对注量为10×1019 cm-2(E≥1 MeV)快中子辐照的国产A508 3钢材料进行了小冲杆测试研究,探索了针对放射性样品从制备到测试的试验方法,并获得了国产A508 3钢材料的小冲杆屈服特征值、抗拉特征值和韧脆转变温度与标准试验之间的关系式。 相似文献
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本工作采用相场法模拟GaAs衬底上生长的In_(0.3)Ga_(0.7)As多层异质结构薄膜表面。通过引入多序参量,使用半隐性傅里叶谱方法求解Cahn-Hilliard方程可以求得带缓冲层结构的薄膜表面形貌。计算结果模拟了薄膜生长过程,研究显示,使用In0.15-Ga0.85As缓冲层,厚度从1nm增加到4nm,薄膜表面临界波长从34nm提升到80nm。随着缓冲层的厚度从1nm增加到10nm,使用正弦波表面的模拟结果显示,薄膜表面粗糙度从2.87nm下降到0.43nm,随机叠加波表面的模拟结果也类似,表面粗糙度从1.21nm下降到0.18nm。热力学分析和应变分布分析可以解释缓冲层对薄膜表面形貌演化的作用。该模拟计算方式对设计缓冲层结构有很大的帮助,模拟计算的结果可以与实验相比对。 相似文献