“时事设境法”在中职德育情境创设中的运用

中等职业教育“以就业为导向，以能力为本位”的办学理念决定了中职德育是品德素质和能力的教育。为了提高德育的实际效果，近年来，一些研究者提出并应用德育情境模式于教育教学实践，并取得了良好的效果。然而，创设情境需要德育教师灵活多变地选择素材以适应中职德育的特定要求。“时事设境法”通过长期的教学实践检验，被证实是一种行之有效的创设德育情境的方式，值得推广。     

《移动通信》课程教学改革的探索与实践

在《移动通信》课程教学改革中,应注重教学内容的与时俱进。选用的教材和参考书应具有时代性和先进性;注重教师能力的提高,把能够激发学生学习兴趣的教学方法及手段应用到教学过程中;开设多层次的实验项目,提升学生的实践能力。     

细砂河床上河道护岸构造物型式探讨

细砂河床,属于典型的游荡性河流,汛期河床冲淤变化剧烈,主流摆动频繁。主流近岸部位,在水流的冲刷作用下,容易造成河岸大量垮塌,对两岸的耕地、房屋和工程设施构成很大威胁。潍坊市经过多年来不懈地探索,在参考各地的经验,并经历了多次失败的基础上,不断地改进,初步形成在细砂河床上采用抛石丁坝、顺坝和混凝土井柱桩,排透水丁坝等护岸工程结构型式。这些护岸丁坝、顺坝,在许多河道整治工程中,取得了较好的效果。1护岸构造物型式1.1草土压梢结构由于草土压梢重量轻,抗冲能力又差,顺坝在冲刷下沉的过程中,底部梢料很容易被水流冲走,20世纪70…     

基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT

采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN/GaN HEMTs,并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理.从测试结果看,器件的热阻可大幅降到14.9K·mm/W,直流特性明显增加,饱和电流提高33%.表明采用FC技术有效改善了器件散热,而且引入的寄生电感较小,可获得更大输出功率.如果进一步完善频率特性的优化,可以加快FC技术的AlGaN/GaN大功率HEMT器件的实用化进程.     

一个4~12GHz混合集成宽带功率放大器

设计研制了一个4-12GHz的宽带混合集成平衡功率放大器电路，该平衡放大器由一个4指的微带兰格耦合器实现，其输出连续波饱和功率在中心频率为8GHz时达到29.5dBm,在4-12GHz频率范围内增益达到8.5dB,增益平坦度为＋/-0.6dB。     

宁夏主要灾害性天气精细化预报概念模型

为提高定点、定时、定量的精细化预报水平,综合利用气象卫星红外资料、宁夏区域非静力平衡中尺度数值预报模式高时间、高空间分辨率产品及导出量,针对宁夏主要灾害性天气,以精细化预报为目的,利用3215时次个例,通过卫星气象学、天气学诊断分析,研究了宁夏主要灾害性天气在20km空间分辨率、1h时间分辨率上的变化规律,探讨了精细化预报指标;并以此为基础,建立了强对流、沙尘暴天气过程的宁夏精细化预报概念模型.通过实际业务应用表明,初步满足了业务需求.     

OCDMA编/解码的一种方法

提出了非相干光纤码分多址（OCDMA）接入的一种新技术——快速跳跃波长时扩编解码一种实现方法，经过超连续发生器后展宽了锁定激光器输出的脉冲光谱，然后又经波长选择时延装置将这个脉冲编码，利用快速跳跃时扩方法，在接收端，匹配滤波器解码，恢复原来数据。通过一个实验说明这个方法的有效性，传输数据1-Gb/s，采用单模色散位移光纤，传输距离为15km，这个方法并不需要快速波长可调光源。     

带有原位生长SiNx绝缘层的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件(英文)

本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长原位SiNx栅介质制备了用于Ka波段高功率毫米波应用的AlN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。原位生长SiN_x栅介质显著抑制了栅反向漏电、栅介质/AlN界面态密度和电流坍塌。所研制的MIS HEMTs在V_GS=2 V时最大饱和输出电流为2.2 A/mm,峰值跨导为509 m S/mm,在V_GS=-30 V时肖特基栅漏电流为4.7×10^-6 A/mm。采用0.15μm T形栅技术,获得98 GHz的f_T和165 GHz的f_MAX。大信号测量表明,在连续波模式下,漏极电压V_DS=8 V时,MIS HEMT在40 GHz下输出功率密度2.3 W/mm,45.2%的功率附加效率(PAE),而当V_DS增加到15 V时,功率密度提升到5.2 W/mm,PAE为42.2%。     

应用于宽带的AlGaN/GaN MIS-HEMT高效率器件（英文）

本文采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)生长的SiN_x栅介质制备了宽带应用的AlGaN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs),并在直流、小信号及大信号测试中评估了该介质层对器件性能的提升。测试结果表明改进器件具有高质量界面、宽栅极控制范围、良好的电流崩塌控制等优势,并确认了其在超过5 GHz下工作时仍能保持较高的功率附加效率(PAE)。在5 GHz连续波模式下,漏极电压V_DS=10 V时,MIS HEMT输出功率密度为1.4 W/mm,PAE可达到74.7%;V_DS增加到30 V时,功率密度提升到5.9 W/mm,PAE可保持在63.2%的水平;测试频率增加30 GHz,在相同的输出功率水平下,器件的PAE达到50.4%。同时,高质量栅极介电层还可允许器件承受高的栅极电压摆动：在功率增益压缩6 dB时,栅极电流保持在10^-4 A/mm。上述结果证实了该SiN_x栅介质对器件性能的提升,使其满足宽带应用的高效率、高功率和可靠性要求,为系统和电路的宽带设...     

基于GJB5000A二级成熟度等级的软件项目管理

针对目前国内军用软件承制单位的软件二级项目管理问题,提出了一种基于GJB5000A二级软件项目管理的实施方法,阐述了从项目策划到项目监控等环节的执行过程,并总结二级项目管理经验,明确项目管理改进方向,为军用软件承制单位的GJB5000A二级过程的执行和改进提供借鉴。