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41.
提出了一种直接评价CVD金刚石磨损性能的实验方法,比较研究了热丝CVD法、微波等离子体CVD法和直流电弧等离子体CVD法制备的金刚石的磨损性能。研究结果表明:影响CVD金刚石磨损性能的主要因素是非金刚石相的相对含量,金刚石的内应力和晶粒大小对磨损性能的影响较小。 相似文献
42.
为降低电力调度SCADA系统历史数据量、提高历史数据存储效率,提出一种基于有效估算的旋转门算法(effective reckon swing door trending,ERSDT),并针对压缩的历史数据给出了一种新的数据多级存储策略。ERSDT通过搜寻最远压缩点以及旋转平衡因子方式进行数据压缩。针对压缩数据给出实时数据库、历史数据库、磁盘文件库三级存储体系,并描述了三级存储体系的运行原理。实验数据验证了ERSDT算法的可行性,与传统的SDT算法相比提高了压缩率、降低了压缩时间。实践证明ERSDT算法以及多级数据存储策略可以降低历史数据量、提高数据存储及查询效率,从而保证SCADA系统安全、稳定的运行。 相似文献
43.
用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在Mo基片上沉积金刚石薄膜时,界面层钼的碳化程度与初始沉积条件有关.利用XRD,SEM,EDS对界面层进行的研究表明:在化学气相沉积的开始阶段,较低的甲烷浓度有利于碳向基体内的扩散从而让表面的Mo充分碳化,形成富含Mo2C的界面层.甲烷浓度过高时有利于金刚石的形核而不利于碳向基体内的扩散.在金刚石薄膜的生长过程中,碳向基体内的扩散很少,界面层的组成结构保持不变. 相似文献
44.
采用脉冲激光沉积的方法, 在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上生长Bi5Ti3FeO15 (BTFO15)多铁性薄膜, 并对其结构、磁性、铁电性、铁电畴等进行了研究。通过X射线衍射、扫描电镜以及高角环形暗场像-扫描透射电镜测试, 结果表明, 薄膜具有高结晶度和完美层状晶格结构, 两层Bi原子层紧密堆积, 两层Bi2O2之间有三层Bi层和三层Ti(Fe)O6八面体层, 构成三明治结构; 在室温下的磁滞回线和电滞回线证实了弱铁磁性和铁电性的共存; 采用压电响应力显微镜研究了薄膜的畴结构, 在面内和面外分别施加±3 V和±10 V的电压, 观测到了畴反转。这些研究结果对理解多铁性材料的微观结构和宏观特性的相互调制有重要意义。 相似文献
45.
46.
47.
综合论述了循环流化床(CFB)粉煤灰粒度、微观形貌、化学及物相组成、化学结构等理化特性,并与煤粉炉(PC)粉煤灰进行对比分析,突出了CFB灰在理化特性方面的独特性。其次,总结了CFB灰在酸碱体系中主要元素溶出行为及浓度、液固比、反应时间和温度等因素对溶出行为的影响。结果表明,CFB灰中铝硅聚合度低于PC灰,物相以无定形硅铝酸盐为主,晶体矿物质质量分数之和仅为灰质量的20%~30%。同等条件下CFB灰中铝在酸溶液的溶出活性高于PC灰,使得CFB灰在有价元素提取方面更具优势。然而,随着铝在酸溶液中的溶出,硅逐渐累积并附着在颗粒表面,阻碍了铝的进一步溶出。因此,综合考虑CFB灰有价元素温和提取及酸浸渣利用可大幅提高技术经济性。在碱性体系中CFB灰主要溶出元素为硅和铝,目前对CFB灰无定形硅铝酸盐中硅铝在碱性体系溶出行为缺乏深入的认识,加强该方面研究可提高对CFB灰碱激发过程胶凝机理的认识,从而促进CFB灰制备胶凝材料方面的发展。 相似文献
48.
在自主设计的具有非对称磁镜场位形的ECR等离子体装置上进行CVD金刚石膜的刻蚀实验,研究了基片温度、工作气压和磁场位形三个工艺参数对刻蚀效果的影响.实验结果表明:通过此方法刻蚀的CVD金刚石膜,其晶粒顶端被优先刻蚀,表面粗糙度降低.实际数据显示,刻蚀温度为20℃和150℃时,后者的刻蚀效果更好;工作气压为2×10-3 Pa和3×10-2 Pa时,前者的刻蚀效果更好;磁场强度为0.2T和0.15T时,前者的刻蚀效果更强. 相似文献
49.
金刚石薄膜具有优异的性能,作为切削工具表面的保护性涂层,可以大幅度提高工具的使用寿命以及加工精度。硬质合金是一种广泛使用的工具材料,在其表面沉积高附着力的金刚石薄膜时存在着困难。等离子体中离子、原子或分子具有高的反应活性,等离子体技术在金刚石薄膜的制备中有着广泛应用。利用等离子体技术可以极大的消除因金刚石薄膜与硬质合金基体之间存在热应力以及由硬质合金中的钴粘结剂在化学气相沉积金刚石薄膜过程中的促石墨化作用而产生的不利影响,提高金刚石薄膜与硬质合金基底之间附着力。本文综述了等离子体技术在提高硬质合金工具表面金刚石薄膜附着力方面的研究进展。 相似文献
50.
负偏压形核法增强金刚石薄膜附着力研究 总被引:5,自引:0,他引:5
在微波等离子体化学气相沉积装置中 ,研究了负偏压形核对金刚石薄膜与WC 6 %硬质合金刀具附着力的影响。结果表明 ,负偏压形核不仅能增加金刚石的核密度 ,还能改善金刚石核在WC晶粒上分布的均匀性 ,增加膜基有效结合面积 ,从而增加金刚石薄膜附着力。因负偏压形核时含碳离子被偏压电场加速 ,对刀具表面产生溅射作用 ,采用铜替代置换钴的刀具 ,使用负偏压形核反而降低薄膜附着力 ;而采用磁控溅射镀铜的刀具 ,使用负偏压形核则能进一步提高金刚石薄膜的附着力。 相似文献