一个对温度不敏感的高增益运算放大器设计

功率放大器是大功率器件,其自身会消耗大部分的功耗,并导致功率放大器芯片的温度在一个很大的范围内变化,因此功率放大器的控制电路需要对环境温度的变化不敏感。针对这一要求,设计出一个对温度不敏感的全差分CMOS运算放大器,该运算放大器采用TSMC 0.18μm工艺,选用折叠式共源共栅、宽摆幅偏置电路结构。在负载电容为10 pF条件下,最大直流增益达到115 dBm,相位裕度为70°;在整个温度范围内（-40~＋125℃）运算放大器的增益变化仅为1 dBm,相位裕度仅变化5°,满足设计要求。     

基于低压CMOS工艺的新型负电压型电荷泵电路

采用UMC 0.18 μm 1.8 V/3.3 V CMOS工艺设计并流片验证了一个应用于生医刺激器的新型负电压型电荷泵电路.介绍了几种典型的负电压型电荷泵电路,比较其优缺点,在此基础上设计了一个新型4级交叉耦合型负电压电荷泵.和现有的结构相比,该电路在启动过程和工作过程中都不存在过压问题,器件任意两端口之间的电压均小于电源电压VDD,同时降低了MOS器件衬底效应、反向漏电流对电荷泵效率的影响.电荷泵的电容采用MIM电容,升压电容为50 pF,输出电容为100 pF.芯片面积为2.3 mm×1.3 mm,测试结果表明负电压型电荷泵电路输出电压为-10.3 V,系统最高效率为56％.当输出电流为3.5 mA时,输出电容为100 pF时,纹波电压为150 mV.     

气相法WO3纳米粉体的H2S气敏性能研究

采用气相反应法,以纯钨丝为原料,制备了WO3粉末,又以此WO3粉末为基材,掺用溶胶-凝胶制成的TiO2,制作了H2S气敏传感元件.在性能测试中发现,该元件对浓度为10×10-6H2S的灵敏,有较高的灵敏度和较好的响应-恢复特性.文中从材料的微观结构入手,对材料的敏感机理作了分析.     

磁控溅射纳米SnO_2薄膜的气敏特性

采用磁控溅射制备SnO2薄膜气敏元件,测试了气敏元件的性能,研究了SnO2薄膜气敏元件薄膜厚度、元件加热功率和环境温度和湿度对元件的影响,气敏元件具有很好的灵敏度和选择性特性,对其敏感机理进行了探讨。     

纳米SnO2材料的电子显微镜表征

纳米二氧化锡为一种常用气敏材料,可通过不同方法制备二氧化锡纳米材料,利用电子显微镜,观察纳米材料的形貌、大小、结晶、生长、缺陷以及团聚现象,分析、总结制备工艺及方法对材料结构影响.     

基于KEELOQ跳码技术的密码系统设计

以跳码芯片为基础的系统在生活中正得到越来越广泛的应用,尤其是在汽车密码锁方面。早期使用的固定密码方式,具有两个致命的缺陷,即密码是固定的以及密码的可能组合数太少,使得通过码扫描而获得密码成为可能。跳码芯片使用了KEELOQ技术,每次发出的密码独一无二且无法预测,长达66位,可能的密码组合数达64 k(216),成功地解决了密码容易被破译的问题,大大地提高了系统的安全性。     

双敏传感器稳定性的研究

双敏传感器是一种新型的传感器.在其研究过程中,传感器的稳定性是一个急需解决的难题.实验中在原有的敏感材料基础上添加Nb2O5材料.对所做成的元件进行两年多的性能参数的跟踪测试.测试表明元件的稳定性较好.通过XRD,SEM,TEM实验对敏感材料进行微观分析.表明掺杂后的敏感材料在烧结后形成固溶体及部分固溶体状态.材料的固溶状态使元件的气、湿敏性能保持在稳定状态.     

超低中频CMOS下混频器的设计

低中频架构由于其镜像抑制能力强,易于集成等优点而被广泛应用于接收机的设计中.混频器作为接收机的重要模块之一,它的主要作用是完成频率转换,其性能对接收机有很大的影响.设计了一个工作于GSM 850频带的超低中频CMOS混频器.为了提高转换增益和降低噪声,输入级加入了分流单元.在输出级应用共模反馈稳定输出电平.混频器工作的频带为869～894 MHz,中频输出为100 kHz.仿真结果显示增益为17 dB,三阶交调点为9.6 dB,噪声系数为17.5 dB.     

基于VHDL语言的串行密码锁设计

EDA技术的应用引起了电子产品系统开发的革命性变革。利用先进的EDA工具,基于硬件描述语言,可以进行系统级数字逻辑电路的设计。本文简述了VHDL语言的功能及其特点,并以8位串行数字锁设计为例,介绍了在Max＋plusⅡ10．2开发软件下,利用VHDL硬件描述语言设计数字逻辑电路的过程和方法。     

一种亚阈型自举带隙基准电压源的设计

采用TSMC0．35μm CMOS工艺,基于对传统带隙基准电路的分析,利用MOS管的亚阈特性,设计了一种低压低功耗的带自举的带隙基准电压源。最后的HSPICE仿真结果表明了该电路具有较低的工作电压,较低的功耗和较低的温度系数。