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以三氧化钨为基材,通过掺杂制作了半导体型氯化氢气体传感器,研究元件的气敏特性.以钨酸钠和浓盐酸为反应物,采用溶胶一凝胶法,制备出具有特殊结构的三氧化钨.通过XRD、SEM、TEM等微观分析手段,发现该材料具有层片状结构,结构松散,平均粒径约17纳米.研究发现,掺杂适量的氧化铝可以大大提高三氧化钨对氯化氢气体的灵敏度,但元件稳定性以及选择性比较差,通过掺杂少量的氧化锌,虽然降低了元件的灵敏度,却可以大大提高元件的稳定性,适当提高加热电压,可抑制元件对NO2等气体的灵敏度,提高选择性.本文对三氧化钨的气敏机理及特性进行分析. 相似文献
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目前,几乎所有的射频/微波(RF/Microwave)电路系统均采用混频器实现变频.本文详细介绍了混频器的设计,该混频器实现了低电压3 V、低功耗、高1 dB压缩点、低噪声系数以及很强镜像抑制机制的功能,并解决了交调失真的问题. 相似文献
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应用于手机等通信电子产品电源系统的DC/DC开关电源变换器芯片,要求具有高性能的锯齿波振荡器.鉴于此要求,设计了一款具有级冲放电电容的高性能锯齿波振荡器.基于华润上华CSMC 0.5 μmBiCMOS工艺库,利用Cadence Spectre软件进行电路仿真,在芯片系统典型应用环境下仿真得到锯齿波振荡频率为5 MHz,信号幅值为0~3 V.频率随电源电压在2.7~5.5 V变化范围和温度在-20~100 ℃变化范围而产生的偏移在±4%以内.该锯齿波振荡器的性能良好,已经成功应用于一款DC/DC降压开关电源芯片的设计之中. 相似文献
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设计了一个应用于GSM850/EGSM900/DCS1800/PCS1900四频带直接调制锁相环发射机的宽带电感电容压控振荡器,采用温度计编码控制开关电容阵列,获得了宽频率覆盖范围,通过优化获得了良好的相位噪声性能.整个电路采用TSMC 0.18μm工艺实现,工作电压为3 V.仿真结果表明:压控振荡器的频率范围3 055~4 176 MHz(31%),调谐增益19 MHz/V变化至44MHz/V,相对最大调谐增益的变化值为56.8%,频偏20 MHz处相位噪声达到-155.7 dBc/Hz以下,最大功耗30 mW. 相似文献
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一个功率可控型蓝牙CMOS功率放大器设计 总被引:2,自引:0,他引:2
基于0.18μm CMOS工艺,设计出一个适用于class 1蓝牙系统的高效率的差分E类功率放大器.驱动级采用自偏置Cascode结构,输入和级间匹配均片内完成,实现高集成度.在电源电压1.8V,温度60℃,输入信号0dBm条件下,仿真结果表明,该系统具有最大输出功率24.1dBm,PAE为57.9%,二次谐波分量为-40.05dBm,输出电压驻波比小于6∶1.采用间接闭环控制环路控制输出级的电源电压,实现了输出功率的步进为2dBm控制.整个系统最终实现低成本、高集成度. 相似文献
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