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设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源.该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性;采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力.结果表明,电路温度系数为3.3 ppm/℃,在电源电压2.7~3.6 V范围内输出仅变化18 μV左右. 相似文献
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采用射频磁控反应溅射锡(Sn)靶和钨(W)靶的方法制备了SnO2/WO3双层薄膜材料,通过XRD和XPS实验研究了双层薄膜的物相结构和组份,结果表明,SnO2/WO3双层薄膜经过热处理后形成了SnWO4化合物.在此基础之上,制作了相应的NO2气体敏感薄膜传感器,研究了双层薄膜传感器的制备工艺参数及工作条件对传感器性能的影响,研究了传感器的敏感特性,包括灵敏度、选择性、响应恢复等特性.结果表明,传感器对NO2气体有较好的敏感性,对其他干扰气体不敏感. 相似文献
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采用射频反应磁控溅射方法制备了氧化锡/多壁碳纳米管(SnO2/MWCNTs)薄膜材料,并在此基础上研制NO2气敏传感器。采用X射线衍射仪(XRD)、X光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)来研究WO3/MWCNTs材料的表面形貌、表面化学状态、表面化学元素等材料特性,研究结果表明MWCNTs已经掺杂进SnO2材料,合成的SnO2/MWCNTs气敏传感器表现出对低浓度(甚至低于10ppb)的NO2气体有较高的灵敏度和较好的反应-恢复特性,并解释了该传感器的工作机理是基于pn结(P型MWCNTs和N型SnO2)作用的结果。 相似文献
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科氏质量流量计的工作原理建立在振动的基础上,良好的流量管振动控制是产生精确测量数据的前提。传统的模拟控制方法增益有限,动态响应慢,导致流量管振动不稳定甚至停振。为改善对测量管振幅的控制,本文采用模糊比例积分(PI)控制方法,并根据牛津大学对两相流进行试验得到的数据,模拟在两相流发生过程中阻尼比的变化规律,在 Simulink 中建立驱动系统仿真模型,并与传统的 PI控制方法进行比较。结果显示,采用模糊 PI控制方法能使流量管响应速度更快,且振动幅值更稳定。 相似文献
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以三端稳压集成电路LM317为基础,设计了一种16级数控直流稳压电源,介绍了该电源中可调电阻的选取与实现。该电源可用TTL电平直接驱动,调整方便,成本低而步进精度高,输出电压范围大。 相似文献
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32通道256级灰度高压驱动芯片HV632 总被引:1,自引:1,他引:0
HV632是一种用于聚合体液晶(PLCD)、真空荧光管(VFD)和场致发光显示器(FED)的一种80 V,32通道显示器驱动芯片,具有256级灰度控制能力。采用Supertex公司的HVCMOS技术,内含全集成低压CMOS逻辑。通过对HV632芯片内部结构的研究,详细介绍了该芯片的功能特点和工作原理,并通过仿真软件Max Plus II和Spice对其部分结构进行了仿真,给出了仿真分析结果,对掌握该芯片的工作原理及使用该芯片有很大的帮助。另外还简单介绍了该芯片的应用方法。 相似文献
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