芯片级电磁兼容性的设计

介绍了电磁兼容性的基本概念、原理及其在集成电路设计中的重要性 ,对电磁兼容性设计的基本方法作了介绍 ,其中着重论述了芯片级电磁兼容性的设计方法。最后给出了芯片级电磁兼容性研究中存在的问题及未来的研究重点     

中低温烧结的温度稳定型Ba1-xCdxTiO3介电材料

温度稳定型钛酸钡基介电材料具有良好的性能，然而做为MLCs瓷料时，烧结温度偏高。用固溶体Ba1-xCdxTiO3替代BaTiO3做为基料，可以有效地降低烧结温度，制备符合X7R标准的MLCs瓷料，获得较高的室温介电常数。     

2号采石场——水花园

正这个面积仅为0.4ha的采石场坑底较平缓,西北部分地势较低,积水为塘,南侧和东侧地势较高,为陆地,水位在2m的范围内涨落变化,水陆比例会随着水位的变化而改变。西侧崖壁陡峭突兀,高24m,岩层肌理完整,凹凸有致,倒影在水中,在这个小尺度空间中显得颇为壮观。因矿坑废弃已有些时日,在坡度较缓的岩壁和坑底部分区域有不少草本植物和灌木的生     

利用通用可编程控制器改造旧式数控机床

提出利用通用可编程控制器对旧式数控机床进行升级改造，并通过实例介绍了改造机床中可编程顺序控制的设计、编程等。     

基于单端QD-SOA波长转换增益恢复特性研究

为了对单端量子点半导体光放大器（QD-SOA）全光波长转换器的增益恢复特性进行系统分析,采用分段法和4阶龙格-库塔法,利用单端QD-SOA的交叉增益调制效应的全光波长转换原理分别求解速率方程和光场方程,分析了注入电流、后端面反射率以及最大模式增益等变化时对单端QD-SOA全光波长转换器增益恢复时间的影响。结果表明,当增大注入电流和后端面反射率、减小最大模式增益时,均可以减小增益恢复时间,进而可以通过优化上述参量改善单端QD-SOA的增益恢复特性。     

Al-Si@Al2O3核壳结构载体的制备及其催化应用

以微米级铝硅（Al-Si）合金粉为原料,采用简单的水热反应,设计开发出一种以鳞片状Al2O3为壳、Al-Si 合金为核的催化剂载体（Al-Si@Al2O3）。通过傅里叶红外分析（FT-IR）、X 射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）及透射电镜（TEM）等表征分析表明,经过水热反应后,Al-Si 合金表面原位生成片状的AlOOH,内核为未反应的Al-Si合金,500℃煅烧后浸渍载Pd制备出Pd/Al-Si@Al2O3催化剂,活性组分Pd粒子均匀分散在载体表面。以苯乙烯加氢为探针反应考察Al-Si合金原料的粒径、铝含量等因素对所制备催化剂性能的影响,同时还与水浴、碱处理及酸处理所制备的载体和传统载体活性炭、活性氧化铝进行比较。结果表明,在水热条件下,以粒径为5μm、铝含量为88%的Al-Si合金粉为原料制备的Pd/Al-Si@Al2O3具有较优的催化性能,且其催化活性优于活性炭和活性氧化铝载Pd催化剂。     

南宁园博园采石场花园

正设计南宁园博园采石场花园是一个偶然的机会,也是我给自己出的一道题。虽然从一开始我就知道这是一个非常有挑战的任务,但是在设计建造过程中遇到的困难还是超出了原来的想象,它大概是我们所有实践中过程最为艰辛的。2015年3月,我接到南宁市园林局的邀请,前去调     

2007年以来北京市装配式住宅的新发展

对2007年以来北京市装配式住宅的发展历程进行梳理回顾,总结并剖析近十年来装配式住宅建筑设计的技术特点,最后进行技术小结并提出一些意见和建议。     

外墙乳胶漆耐沾污性的分析及发展状况

建筑涂料漆膜的耐沾污性已成为影响其推广应用的重要因素.介绍了外墙乳胶漆发生污染的机理,分析了影响漆膜耐沾污性的主要因素,简要介绍了耐沾污乳胶漆的发展应用.综合结果,认为憎水性漆膜是提高乳胶漆耐沾污性的重要发展方向之一.