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51.
文章介绍了利用陶瓷谐振器(CR)来提高振荡器频率稳定度的方法,并利用专用微波电路设计软件(AWR)对该方法进行了分析,同时还对压控支路进行了温度补偿设计。根据分析结果制作的C波段高稳定陶瓷振荡器取得令人满意的指标:在全温范围测试结果为温漂≤50×10^-6/℃,带内线性≤1.1,频率稳定度≤+15MHz,相噪≤-108...  相似文献   
52.
全硅MEMS时钟解决方案供应商SiTime公司近日宣布针对平板电脑以及电子书产品设计所需的所有时钟振荡器,推出完整的解决方案。基于SiTime公司低功耗全硅MEMS振荡器平台,该完整方案可满足平板电脑及电子书设计中不同功能电路区块的所有频率需求。  相似文献   
53.
基于CSMC0.5μm工艺,给出了一种应用于Class D类音频放大器的电流控制振荡器的设计方法,并通过Spectre电路进行了仿真。结果证明,该振荡器能输出频率为250kHz方波信号,其输出频率变化和温度变化均可达到设计要求。另外,为了达到更高的输出精度,文中还给出了采用修调技术来提高关键电阻精度的实现方法。  相似文献   
54.
针对复合板结构中弯曲板波谐振频率计算相对复杂的问题,建立并分析了基于弯曲板波延迟线振荡器的理论模型,计算得到A0(0阶反对称)模式板波的谐振频率为41 MHz;为了验证理论分析的结果,利用有限元软件ANSYS建立了基于弯曲板波的延迟线振荡器的3D有限元模型,并对其进行了谐响应分析以及瞬态动力学分析。谐响应分析得到A0模式的谐振频率为37.2 MHz,与理论计算结果的相对误差为9.3%;瞬态动力学分析得到A0模式的谐振频率为39.1 MHz,与理论计算结果的相对误差为4.6%。计算和仿真为基于弯曲板波的延迟线振荡器的结构设计提供了重要的依据。  相似文献   
55.
胡福云 《信息通信》2011,(4):186-187
555定时器是一种将模拟电路和数字电路集成于一体的电子器件,应用十分广泛.本文介绍了555定时器的电路结构及功能特性,并通过实际应用电路来说明555定时器的应用.  相似文献   
56.
曾军  朱薇薇  李斌  樊祥宁 《高技术通讯》2011,(12):1285-1290
采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计并实现了一个应用于无线传感器网络射频前端频率综合器的低功耗、低相位噪声4.8GHz电感电容压控振荡器.此振荡器的核心电路采用电流源偏置的互补差分负阻结构,降低了电路对电源电压变化的灵敏度和功耗.电感电容谐振腔采用了降低相位噪声的设计方法.在不恶化相位噪声性能的前提下,核...  相似文献   
57.
如今,在射频和微波系统中,测试和确定相位噪声特性已经变得越来越重要,在如卫星通讯、无线电传输、雷达系统等应用中,相位噪声经常是最重要的限制因素。介质振荡器在无线电通信系统、电子产品中应用非常广泛,作为核心器件,它的相位噪声大小是衡量振荡器的性能好坏的绝对性因素,直接影响整机系统或仪器的性能,因此,对振荡器相位噪声的测量和分析有着广泛的用途和重大实用价值,文章以Ku波段介质谐振器稳频振荡器为例,对相位噪声的产生及如何改善进行了分析,并给出了相位噪声的测试结果及分析。  相似文献   
58.
基于0.18μm CMOS工艺,设计了一款可用于UHF RFID读写器的低相位噪声、宽带的压控振荡器(VCO)。使用全集成、低输出噪声和高电源抑制比(PSRR)的低压差线性稳压器(LDO)为VCO供电;采用4bit电阻偏置型开关电容阵列拓宽了频带,减少了寄生二极管引入的损耗,有效提升了VCO的相位噪声性能。测试结果表明:LDO输出2.5V电压的条件下,整个电路消耗电流为4.8mA时,压控振荡器的输出频率可在3.12GHz至4.21GHz(增幅30.5%)的范围内变化。在载波3.6GHz频偏200kHz和1 MHz时相位噪声分别为:-109.9dBc/Hz和-129dBc/Hz。  相似文献   
59.
为了进一步有效提高光电振荡器的性能,提出了一种基于光电混合双环的高边模抑制比振荡器.利用两级电功分器构成电增益环腔,结合偏振分束器和偏振合束器形成的光纤双环结构,在没有引入外调制器和电滤波器的前提下,得到了高边模抑制比的小型化光电振荡器.实验中光纤长度取110m和2 km,获得了中心频率为11.4 GHz的微波信号,边模抑制比为60 dB,其相位噪声为-103.6 dBc/Hz@10 kHz.  相似文献   
60.
王巍  梁耀  赵辰  蔡文琪  莫啸  袁军  王冠宇 《微电子学》2015,45(1):54-57, 62
采用互补型交差耦合结构,设计了一个可工作于WiMAX(IEEE 802.16e,2.469~2.69 GHz)和LTE(2 496~2 690 MHz)无线射频收发机的压控振荡器(VCO)。采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺对VCO电路进行设计及仿真。仿真结果表明,在1.2 V电源电压下,压控振荡器的功耗为1.44 mW,振荡频率变化范围为2.43~2.69 GHz,可调范围约为10.15%,相位噪声为-120.4 dBc/Hz@1 MHz,FOM为-186.9,满足WIMAX/LTE无线通信系统的要求。  相似文献   
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